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公开(公告)号：CN114746824A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202080083306.1
申请日：2020-07-22
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G05D1/02
Abstract: 本发明提供一种自走式检查装置，在期待长期的室外运用的自走式检查装置中，能够使自走所需的系统导入成本、设定及其更新作业高效化。因此，是在检查路线上自主行驶的同时对检查对象进行自主检查的自走式检查装置，具备：自身位置推定部，其推定自身位置；地图信息数据库，其管理自主行驶用的地图信息；行驶单元，其具有驱动机构和转向机构；传感器，其对所述检查对象进行感测；地图信息更新部，其基于所述传感器感测到的信息来更新所述地图信息；以及行驶单元控制部，其基于更新后的所述地图信息来控制所述行驶单元。
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公开(公告)号：CN102171764B
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN200980139455.9
申请日：2009-10-05
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G11C11/15 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L43/08
CPC classification number: G11C11/1675 , G11C7/065 , G11C7/12 , G11C7/18 , G11C8/14 , G11C11/16 , G11C11/161 , G11C11/1655 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/4094 , G11C11/4097 , H01L27/228
Abstract: 本发明提供一种半导体器件。在使用了自旋注入磁化反转的存储器中，沿着一条全局位线分离地配置多个写入驱动器，对一个全局位线设置一个读出放大器。在两个阵列和读出放大器中共享写入了“1”和“0”的参考单元。根据本发明，能够实现以小面积提供所需足够的写电流的阵列结构，实现符合TMR元件的温度特性的参考单元结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102171764A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN200980139455.9
申请日：2009-10-05
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G11C11/15 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L43/08
CPC classification number: G11C11/1675 , G11C7/065 , G11C7/12 , G11C7/18 , G11C8/14 , G11C11/16 , G11C11/161 , G11C11/1655 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/4094 , G11C11/4097 , H01L27/228
Abstract: 本发明提供一种半导体器件。在使用了自旋注入磁化反转的存储器中，沿着一条全局位线分离地配置多个写入驱动器，对一个全局位线设置一个读出放大器。在两个阵列和读出放大器中共享写入了“1”和“0”的参考单元。根据本发明，能够实现以小面积提供所需足够的写电流的阵列结构，实现符合TMR元件的温度特性的参考单元结构。
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公开(公告)号：CN101364634B
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：CN200810128199.0
申请日：2008-07-22
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: G11C11/5614 , G11C13/0011 , G11C13/0069 , G11C2013/0083 , G11C2213/11 , G11C2213/15 , G11C2213/56 , G11C2213/79 , H01L27/24 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L45/085 , H01L45/141 , H01L45/142 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/1675
Abstract: 本发明的课题在于提高可存储信息的半导体装置的性能。本发明由下部电极BE侧的第1层ML1和上部电极TE侧的第2层ML2形成存储器元件RM的存储层ML。第1层ML1含有20原子％以上70原子％以下由Cu，Ag，Au，Al，Zn，Cd组成的第1元素组中的至少1种，含有3原子％以上40原子％以下由V，Nb，Ta，Cr，Mo，W，Ti，Zr，Hf，Fe，Co，Ni，Pt，Pd，Rh，Ir，Ru，Os，镧系元素组成的第2元素组中的至少1种，含有20原子％以上60原子％以下由S，Se，Te组成的第3元素组中的至少1种。第2层ML2含有5原子％以上50原子％以下第1元素组中的至少1种，含有10原子％以上50原子％以下第2元素组中的至少1种，含有30原子％以上70原子％以下的氧。
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公开(公告)号：CN104200834A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201410382579.2
申请日：2009-10-05
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: G11C11/1675 , G11C7/065 , G11C7/12 , G11C7/18 , G11C8/14 , G11C11/16 , G11C11/161 , G11C11/1655 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/4094 , G11C11/4097 , H01L27/228
Abstract: 本发明提供一种半导体器件。在使用了自旋注入磁化反转的存储器中，沿着一条全局位线分离地配置多个写入驱动器，对一个全局位线设置一个读出放大器。在两个阵列和读出放大器中共享写入了“1”和“0”的参考单元。根据本发明，能够实现以小面积提供所需足够的写电流的阵列结构，实现符合TMR元件的温度特性的参考单元结构。
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公开(公告)号：CN101552321A
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200910007170.1
申请日：2009-02-13
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L45/00 , H01L27/24 , H01L21/8239
CPC classification number: H01L45/085 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L45/1233 , H01L45/1266 , H01L45/147 , H01L45/1625 , H01L45/1641
Abstract: 固体电解质存储器存在因反复重写导致固体电解质中的离子A量及电极的形状发生变化，因此难以稳定地重写的问题。本发明提供一种半导体装置，所述半导体装置利用固体电解质层的电阻变化来存储信息或者使电路连接发生变化，其中，使固体电解质层的组成为例如Cu－Ta－S，与其邻接或接近的离子供给层的组成为Cu－Ta－O，由离子供给层供给的离子在固体电解质层内形成导电通路，从而根据电阻高低存储信息，通过施加电脉冲，能够使电阻发生变化。上述离子供给层是具有例如Cu－Ta－O＝1∶2∶6的组成比的结晶，能够稳定地进行重写动作。
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公开(公告)号：CN101364634A
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200810128199.0
申请日：2008-07-22
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: G11C11/5614 , G11C13/0011 , G11C13/0069 , G11C2013/0083 , G11C2213/11 , G11C2213/15 , G11C2213/56 , G11C2213/79 , H01L27/24 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L45/085 , H01L45/141 , H01L45/142 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/1675
Abstract: 本发明的课题在于提高可存储信息的半导体装置的性能。本发明由下部电极BE侧的第1层ML1和上部电极TE侧的第2层ML2形成存储器元件RM的存储层ML。第1层ML1含有20原子％以上70原子％以下由Cu，Ag，Au，Al，Zn，Cd组成的第1元素组中的至少1种，含有3原子％以上40原子％以下由V，Nb，Ta，Cr，Mo，W，Ti，Zr，Hf，Fe，Co，Ni，Pt，Pd，Rh，Ir，Ru，Os，镧系元素组成的第2元素组中的至少1种，含有20原子％以上60原子％以下由S，Se，Te组成的第3元素组中的至少1种。第2层ML2含有5原子％以上50原子％以下第1元素组中的至少1种，含有10原子％以上50原子％以下第2元素组中的至少1种，含有30原子％以上70原子％以下的氧。
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