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公开(公告)号：CN1191625C
公开(公告)日：2005-03-02
申请号：CN97197186.2
申请日：1997-07-04
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L21/8242 , H01L27/108
CPC classification number: H01L28/56 , H01L21/02197 , H01L21/02323 , H01L21/0234 , H01L28/75
Abstract: 一种防止电容下降和不良绝缘，特别是防止在比较低的温度下用等离子体加工而制作采用高介电常数即铁电材料的电容器的钝化膜(绝缘膜)所造成的电极剥层而改善了可靠性的半导体存储器以及制造此存储器的方法。半导体存储器具有由上电极、下电极、以及夹在二个电极之间且用作电容器绝缘膜的电容器绝缘膜(高介电常数即铁电薄膜制成的)构成的电容器结构，以及覆盖电容器结构且用等离子体处理方法制作的保护性绝缘膜组成的集成电容器。在组成电容器绝缘膜的薄膜表面上还制作了氧引入层。在存储器的制造工艺中，例如借助于在制作电极之后用等离子体处理方法制作保护性绝缘膜(SiO2钝化膜)之前，于氧气氛中进行热处理而将氧引入到电极与材料之间的边界中，从而在高介电常数即铁电材料的表面上制作氧引入层。因此能够防止电容下降、不良绝缘，特别是能够防止制作钝化膜(绝缘膜)所造成的电极剥层。此外，借助于抑制施加交流电场时的电容下降，能够减少不良绝缘的出现。而且，当铁电材料被用作介电膜时，可获得诸如提高剩余极化、降低矫顽电压之类的效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101364634B
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：CN200810128199.0
申请日：2008-07-22
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: G11C11/5614 , G11C13/0011 , G11C13/0069 , G11C2013/0083 , G11C2213/11 , G11C2213/15 , G11C2213/56 , G11C2213/79 , H01L27/24 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L45/085 , H01L45/141 , H01L45/142 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/1675
Abstract: 本发明的课题在于提高可存储信息的半导体装置的性能。本发明由下部电极BE侧的第1层ML1和上部电极TE侧的第2层ML2形成存储器元件RM的存储层ML。第1层ML1含有20原子％以上70原子％以下由Cu，Ag，Au，Al，Zn，Cd组成的第1元素组中的至少1种，含有3原子％以上40原子％以下由V，Nb，Ta，Cr，Mo，W，Ti，Zr，Hf，Fe，Co，Ni，Pt，Pd，Rh，Ir，Ru，Os，镧系元素组成的第2元素组中的至少1种，含有20原子％以上60原子％以下由S，Se，Te组成的第3元素组中的至少1种。第2层ML2含有5原子％以上50原子％以下第1元素组中的至少1种，含有10原子％以上50原子％以下第2元素组中的至少1种，含有30原子％以上70原子％以下的氧。
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公开(公告)号：CN1227669A
公开(公告)日：1999-09-01
申请号：CN97197186.2
申请日：1997-07-04
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L21/8242 , H01L27/108
CPC classification number: H01L28/56 , H01L21/02197 , H01L21/02323 , H01L21/0234 , H01L28/75
Abstract: 一种防止电容下降和不良绝缘，特别是防止在比较低的温度下用等离子体加工而制作采用高介电常数即铁电材料的电容器的钝化膜(绝缘膜)所造成的电极剥层而改善了可靠性的半导体存储器以及制造此存储器的方法。半导体存储器具有由上电极、下电极、以及夹在二个电极之间且用作电容器绝缘膜的电容器绝缘膜(高介电常数即铁电薄膜制成的)构成的电容器结构，以及覆盖电容器结构且用等离子体处理方法制作的保护性绝缘膜组成的集成电容器。在组成电容器绝缘膜的薄膜表面上还制作了氧引入层。在存储器的制造工艺中，例如借助于在制作电极之后用等离于体处理方法制作保护性绝缘膜(SiO2钝化膜)之前，于氧气氛中进行热处理而将氧引入到电极与材料之间的边界中，从而在高介电常数即铁电材料的表面上制作氧引入层。因此能够防止电容下降、不良绝缘，特别是能够防止制作钝化膜(绝缘膜)所造成的电极剥层。此外，借助于抑制施加交流电场时的电容下降，能够减少不良绝缘的出现。而且，当铁电材料被用作介电膜时，可获得诸如提高剩余极化、降低矫顽电压之类的效果。
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公开(公告)号：CN101552321A
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200910007170.1
申请日：2009-02-13
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L45/00 , H01L27/24 , H01L21/8239
CPC classification number: H01L45/085 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L45/1233 , H01L45/1266 , H01L45/147 , H01L45/1625 , H01L45/1641
Abstract: 固体电解质存储器存在因反复重写导致固体电解质中的离子A量及电极的形状发生变化，因此难以稳定地重写的问题。本发明提供一种半导体装置，所述半导体装置利用固体电解质层的电阻变化来存储信息或者使电路连接发生变化，其中，使固体电解质层的组成为例如Cu－Ta－S，与其邻接或接近的离子供给层的组成为Cu－Ta－O，由离子供给层供给的离子在固体电解质层内形成导电通路，从而根据电阻高低存储信息，通过施加电脉冲，能够使电阻发生变化。上述离子供给层是具有例如Cu－Ta－O＝1∶2∶6的组成比的结晶，能够稳定地进行重写动作。
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公开(公告)号：CN101364634A
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200810128199.0
申请日：2008-07-22
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: G11C11/5614 , G11C13/0011 , G11C13/0069 , G11C2013/0083 , G11C2213/11 , G11C2213/15 , G11C2213/56 , G11C2213/79 , H01L27/24 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L45/085 , H01L45/141 , H01L45/142 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/1675
Abstract: 本发明的课题在于提高可存储信息的半导体装置的性能。本发明由下部电极BE侧的第1层ML1和上部电极TE侧的第2层ML2形成存储器元件RM的存储层ML。第1层ML1含有20原子％以上70原子％以下由Cu，Ag，Au，Al，Zn，Cd组成的第1元素组中的至少1种，含有3原子％以上40原子％以下由V，Nb，Ta，Cr，Mo，W，Ti，Zr，Hf，Fe，Co，Ni，Pt，Pd，Rh，Ir，Ru，Os，镧系元素组成的第2元素组中的至少1种，含有20原子％以上60原子％以下由S，Se，Te组成的第3元素组中的至少1种。第2层ML2含有5原子％以上50原子％以下第1元素组中的至少1种，含有10原子％以上50原子％以下第2元素组中的至少1种，含有30原子％以上70原子％以下的氧。
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公开(公告)号：CN1229524A
公开(公告)日：1999-09-22
申请号：CN96180439.4
申请日：1996-08-07
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L21/8242 , H01L27/108
Abstract: 将氧化物介质用于电容器的半导体器件的制造方法,抑制电容器下电极界面处的氧化。该氧化物介质电容器由下电极层11、位于下电极层11上的氧化物介质层16、和位于氧化物介质层16上的上电极层17构成。下电极层11包括双层导电氧化物层12。相邻的两层14和15按相同结晶结构用相同元素构成。靠近衬底10侧的层14包括不充足的氧,所以可以防止与层14相邻的下电极层的单元13及其界面的氧化,从而确保其间的适当电连接。
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