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公开(公告)号：CN101364634B
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：CN200810128199.0
申请日：2008-07-22
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: G11C11/5614 , G11C13/0011 , G11C13/0069 , G11C2013/0083 , G11C2213/11 , G11C2213/15 , G11C2213/56 , G11C2213/79 , H01L27/24 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L45/085 , H01L45/141 , H01L45/142 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/1675
Abstract: 本发明的课题在于提高可存储信息的半导体装置的性能。本发明由下部电极BE侧的第1层ML1和上部电极TE侧的第2层ML2形成存储器元件RM的存储层ML。第1层ML1含有20原子％以上70原子％以下由Cu，Ag，Au，Al，Zn，Cd组成的第1元素组中的至少1种，含有3原子％以上40原子％以下由V，Nb，Ta，Cr，Mo，W，Ti，Zr，Hf，Fe，Co，Ni，Pt，Pd，Rh，Ir，Ru，Os，镧系元素组成的第2元素组中的至少1种，含有20原子％以上60原子％以下由S，Se，Te组成的第3元素组中的至少1种。第2层ML2含有5原子％以上50原子％以下第1元素组中的至少1种，含有10原子％以上50原子％以下第2元素组中的至少1种，含有30原子％以上70原子％以下的氧。
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公开(公告)号：CN101645453A
公开(公告)日：2010-02-10
申请号：CN200910139391.4
申请日：2009-05-21
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L27/24 , H01L23/532 , H01L21/82 , H01L21/768 , G11C11/56
CPC classification number: H01L45/144 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C2213/72 , H01L27/2409 , H01L27/2481 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1293 , H01L45/1675 , Y10S438/90
Abstract: 本发明提供一种可以实现即使相变化材料成为高温、二极管也难以成为高温的存储单元结构的技术，是具备相变化存储器的非易失性存储装置，所述相变化存储器由交叉型存储单元构成，所述交叉型存储单元组合由相变化材料构成的存储元件和由二极管构成的选择元件而得到。制造方法如下：配置存储单元，所述存储单元由存储元件和选择元件构成，所述存储元件位于沿着第1方向延伸的多条第1金属配线2和沿着与第1方向垂直的第2方向延伸的多条第3金属配线9的交点、由相变化材料7构成，所述选择元件由第1多晶硅膜3、第2多晶硅膜4及第3多晶硅膜5的层叠结构的二极管构成，在邻接的选择元件之间及邻接的存储元件之间形成层间膜(例如第2层间膜11)，在设置于邻接的存储元件之间的层间膜上形成空隙(例如空隙12b)。
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公开(公告)号：CN101552321A
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200910007170.1
申请日：2009-02-13
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L45/00 , H01L27/24 , H01L21/8239
CPC classification number: H01L45/085 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L45/1233 , H01L45/1266 , H01L45/147 , H01L45/1625 , H01L45/1641
Abstract: 固体电解质存储器存在因反复重写导致固体电解质中的离子A量及电极的形状发生变化，因此难以稳定地重写的问题。本发明提供一种半导体装置，所述半导体装置利用固体电解质层的电阻变化来存储信息或者使电路连接发生变化，其中，使固体电解质层的组成为例如Cu－Ta－S，与其邻接或接近的离子供给层的组成为Cu－Ta－O，由离子供给层供给的离子在固体电解质层内形成导电通路，从而根据电阻高低存储信息，通过施加电脉冲，能够使电阻发生变化。上述离子供给层是具有例如Cu－Ta－O＝1∶2∶6的组成比的结晶，能够稳定地进行重写动作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101364634A
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200810128199.0
申请日：2008-07-22
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: G11C11/5614 , G11C13/0011 , G11C13/0069 , G11C2013/0083 , G11C2213/11 , G11C2213/15 , G11C2213/56 , G11C2213/79 , H01L27/24 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L45/085 , H01L45/141 , H01L45/142 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/1675
Abstract: 本发明的课题在于提高可存储信息的半导体装置的性能。本发明由下部电极BE侧的第1层ML1和上部电极TE侧的第2层ML2形成存储器元件RM的存储层ML。第1层ML1含有20原子％以上70原子％以下由Cu，Ag，Au，Al，Zn，Cd组成的第1元素组中的至少1种，含有3原子％以上40原子％以下由V，Nb，Ta，Cr，Mo，W，Ti，Zr，Hf，Fe，Co，Ni，Pt，Pd，Rh，Ir，Ru，Os，镧系元素组成的第2元素组中的至少1种，含有20原子％以上60原子％以下由S，Se，Te组成的第3元素组中的至少1种。第2层ML2含有5原子％以上50原子％以下第1元素组中的至少1种，含有10原子％以上50原子％以下第2元素组中的至少1种，含有30原子％以上70原子％以下的氧。
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公开(公告)号：CN101499437B
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN200910002805.9
申请日：2009-01-24
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H01L21/8221 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , H01L27/101 , H01L27/1285 , H01L27/2409 , H01L27/2481 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1675
Abstract: 本发明提供一种非易失性存储器件的制造方法。在相变存储器中，用于选择元件的二极管的电特性非常重要。但是，在采用了多晶硅的二极管中，膜中存在结晶粒界，因此泄漏特性的偏差较大，存在难以防止误读出这样的问题。为了达成上述目的，本发明在进行非晶硅的结晶化和活性化的激光热处理中，控制硅的温度分布，从而控制结晶粒界。通过利用本发明，能够减小二极管电特性的偏差，从而可以提高相变存储器的成品率。
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公开(公告)号：CN101645453B
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN200910139391.4
申请日：2009-05-21
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L27/24 , H01L23/532 , H01L21/82 , H01L21/768 , G11C11/56
CPC classification number: H01L45/144 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C2213/72 , H01L27/2409 , H01L27/2481 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1293 , H01L45/1675 , Y10S438/90
Abstract: 本发明提供一种可以实现即使相变化材料成为高温、二极管也难以成为高温的存储单元结构的技术，是具备相变化存储器的非易失性存储装置，所述相变化存储器由交叉型存储单元构成，所述交叉型存储单元组合由相变化材料构成的存储元件和由二极管构成的选择元件而得到。制造方法如下：配置存储单元，所述存储单元由存储元件和选择元件构成，所述存储元件位于沿着第1方向延伸的多条第1金属配线2和沿着与第1方向垂直的第2方向延伸的多条第3金属配线9的交点、由相变化材料7构成，所述选择元件由第1多晶硅膜3、第2多晶硅膜4及第3多晶硅膜5的层叠结构的二极管构成，在邻接的选择元件之间及邻接的存储元件之间形成层间膜(例如第2层间膜11)，在设置于邻接的存储元件之间的层间膜上形成空隙(例如空隙12b)。
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公开(公告)号：CN101499437A
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200910002805.9
申请日：2009-01-24
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H01L21/8221 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , H01L27/101 , H01L27/1285 , H01L27/2409 , H01L27/2481 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1675
Abstract: 本发明提供一种非易失性存储器件的制造方法。在相变存储器中，用于选择元件的二极管的电特性非常重要。但是，在采用了多晶硅的二极管中，膜中存在结晶粒界，因此泄漏特性的偏差较大，存在难以防止误读出这样的问题。为了达成上述目的，本发明在进行非晶硅的结晶化和活性化的激光热处理中，控制硅的温度分布，从而控制结晶粒界。通过利用本发明，能够减小二极管电特性的偏差，从而可以提高相变存储器的成品率。
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公开(公告)号：CN101436606A
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200810174029.6
申请日：2008-11-12
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H01L27/101 , G11C5/02 , G11C13/0004 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/1675
Abstract: 本发明提供一种非易失性半导体存储器件。在相变存储器等中，存在如下问题：用薄膜形成记录材料和选择元件双方时，因重写工作等的热而使与记录材料层相邻的层的原子扩散到记录材料层，重写特性发生变化。为了解决上述问题，本发明在非易失性记录材料层(224)与选择元件(220、221)之间具有膜厚为5nm～200nm的半导体层(222)。由此，可得到大容量且重写条件稳定的非易失性存储器。
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