公开(公告)号：CN102668037B

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：CN201080049990.8

申请日：2010-10-29

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 岛明生 ,  朴泽一幸

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/268 ,  H01L21/324 ,  H01L21/6831 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7397

Abstract: 激光退火中，从薄膜化为300μm以下的半导体Si衬底的背面起算的深度大于1μm的位置的温度在950℃以上、1412℃以下的温度范围内，将Si加热而不溶解。本发明提供一种半导体器件的制造方法，从半导体衬底的表面导入杂质形成半导体区域，利用静电夹持方式固定在支持衬底上将衬底整体加热到250℃以上，并且通过照射3μm以上的长波长的激光将半导体衬底的表面加热使杂质活化。

公开(公告)号：CN101499437A

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200910002805.9

申请日：2009-01-24

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 木下胜治 ,  寺尾元康 ,  松冈秀行 ,  屉子佳孝 ,  木村嘉伸 ,  岛明生 ,  田井光春 ,  高浦则克

IPC: H01L21/77 ,  H01L21/20 ,  H01L27/24 ,  G11C11/56

CPC classification number: H01L21/8221 ,  G11C11/5678 ,  G11C13/0004 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72 ,  H01L27/101 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1675

Abstract: 本发明提供一种非易失性存储器件的制造方法。在相变存储器中，用于选择元件的二极管的电特性非常重要。但是，在采用了多晶硅的二极管中，膜中存在结晶粒界，因此泄漏特性的偏差较大，存在难以防止误读出这样的问题。为了达成上述目的，本发明在进行非晶硅的结晶化和活性化的激光热处理中，控制硅的温度分布，从而控制结晶粒界。通过利用本发明，能够减小二极管电特性的偏差，从而可以提高相变存储器的成品率。

公开(公告)号：CN101436606A

公开(公告)日：2009-05-20

申请号：CN200810174029.6

申请日：2008-11-12

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 木下胜治 ,  寺尾元康 ,  松冈秀行 ,  屉子佳孝 ,  木村嘉伸 ,  岛明生 ,  田井光春 ,  高浦则克

IPC: H01L27/24 ,  G11C16/02

CPC classification number: H01L27/101 ,  G11C5/02 ,  G11C13/0004 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1675

Abstract: 本发明提供一种非易失性半导体存储器件。在相变存储器等中，存在如下问题：用薄膜形成记录材料和选择元件双方时，因重写工作等的热而使与记录材料层相邻的层的原子扩散到记录材料层，重写特性发生变化。为了解决上述问题，本发明在非易失性记录材料层(224)与选择元件(220、221)之间具有膜厚为5nm～200nm的半导体层(222)。由此，可得到大容量且重写条件稳定的非易失性存储器。

公开(公告)号：CN102668037A

公开(公告)日：2012-09-12

申请号：CN201080049990.8

申请日：2010-10-29

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 岛明生 ,  朴泽一幸

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/268 ,  H01L21/324 ,  H01L21/6831 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7397

Abstract: 激光退火中，从薄膜化为300μm以下的半导体Si衬底的背面起算的深度大于1μm的位置的温度在950℃以上、1412℃以下的温度范围内，将Si加热而不溶解。本发明提供一种半导体器件的制造方法，从半导体衬底的表面导入杂质形成半导体区域，利用静电夹持方式固定在支持衬底上将衬底整体加热到250℃以上，并且通过照射3μm以上的长波长的激光将半导体衬底的表面加热使杂质活化。

公开(公告)号：CN101499437B

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN200910002805.9

申请日：2009-01-24

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 木下胜治 ,  寺尾元康 ,  松冈秀行 ,  屉子佳孝 ,  木村嘉伸 ,  岛明生 ,  田井光春 ,  高浦则克

IPC: H01L21/77 ,  H01L21/20 ,  H01L27/24 ,  G11C11/56

CPC classification number: H01L21/8221 ,  G11C11/5678 ,  G11C13/0004 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72 ,  H01L27/101 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1675

Abstract: 本发明提供一种非易失性存储器件的制造方法。在相变存储器中，用于选择元件的二极管的电特性非常重要。但是，在采用了多晶硅的二极管中，膜中存在结晶粒界，因此泄漏特性的偏差较大，存在难以防止误读出这样的问题。为了达成上述目的，本发明在进行非晶硅的结晶化和活性化的激光热处理中，控制硅的温度分布，从而控制结晶粒界。通过利用本发明，能够减小二极管电特性的偏差，从而可以提高相变存储器的成品率。