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公开(公告)号：CN101499437B
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN200910002805.9
申请日：2009-01-24
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H01L21/8221 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , H01L27/101 , H01L27/1285 , H01L27/2409 , H01L27/2481 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1675
Abstract: 本发明提供一种非易失性存储器件的制造方法。在相变存储器中，用于选择元件的二极管的电特性非常重要。但是，在采用了多晶硅的二极管中，膜中存在结晶粒界，因此泄漏特性的偏差较大，存在难以防止误读出这样的问题。为了达成上述目的，本发明在进行非晶硅的结晶化和活性化的激光热处理中，控制硅的温度分布，从而控制结晶粒界。通过利用本发明，能够减小二极管电特性的偏差，从而可以提高相变存储器的成品率。
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公开(公告)号：CN101645453B
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN200910139391.4
申请日：2009-05-21
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L27/24 , H01L23/532 , H01L21/82 , H01L21/768 , G11C11/56
CPC classification number: H01L45/144 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C2213/72 , H01L27/2409 , H01L27/2481 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1293 , H01L45/1675 , Y10S438/90
Abstract: 本发明提供一种可以实现即使相变化材料成为高温、二极管也难以成为高温的存储单元结构的技术，是具备相变化存储器的非易失性存储装置，所述相变化存储器由交叉型存储单元构成，所述交叉型存储单元组合由相变化材料构成的存储元件和由二极管构成的选择元件而得到。制造方法如下：配置存储单元，所述存储单元由存储元件和选择元件构成，所述存储元件位于沿着第1方向延伸的多条第1金属配线2和沿着与第1方向垂直的第2方向延伸的多条第3金属配线9的交点、由相变化材料7构成，所述选择元件由第1多晶硅膜3、第2多晶硅膜4及第3多晶硅膜5的层叠结构的二极管构成，在邻接的选择元件之间及邻接的存储元件之间形成层间膜(例如第2层间膜11)，在设置于邻接的存储元件之间的层间膜上形成空隙(例如空隙12b)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101499437A
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200910002805.9
申请日：2009-01-24
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H01L21/8221 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , H01L27/101 , H01L27/1285 , H01L27/2409 , H01L27/2481 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1675
Abstract: 本发明提供一种非易失性存储器件的制造方法。在相变存储器中，用于选择元件的二极管的电特性非常重要。但是，在采用了多晶硅的二极管中，膜中存在结晶粒界，因此泄漏特性的偏差较大，存在难以防止误读出这样的问题。为了达成上述目的，本发明在进行非晶硅的结晶化和活性化的激光热处理中，控制硅的温度分布，从而控制结晶粒界。通过利用本发明，能够减小二极管电特性的偏差，从而可以提高相变存储器的成品率。
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公开(公告)号：CN101436606A
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200810174029.6
申请日：2008-11-12
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H01L27/101 , G11C5/02 , G11C13/0004 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/1675
Abstract: 本发明提供一种非易失性半导体存储器件。在相变存储器等中，存在如下问题：用薄膜形成记录材料和选择元件双方时，因重写工作等的热而使与记录材料层相邻的层的原子扩散到记录材料层，重写特性发生变化。为了解决上述问题，本发明在非易失性记录材料层(224)与选择元件(220、221)之间具有膜厚为5nm～200nm的半导体层(222)。由此，可得到大容量且重写条件稳定的非易失性存储器。
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公开(公告)号：CN102959635B
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201180030368.7
申请日：2011-08-26
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G11C13/00 , H01L27/105 , H01L45/00
CPC classification number: G11C13/0004 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , G11C2213/75 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L27/2481 , H01L45/06 , H01L45/1233
Abstract: 本发明的目的在于提高相变存储器的重写传送速率和可靠性。为了达到上述目的，对于串联设置于字线(2)与位线(3)之间、各自具有彼此并联连接的选择元件和存储元件的多个相变存储器单元(SMC或USMC)，在将其全部被设为置位状态之后，将与数据图案相应的一部分单元设为复位状态。或者与其相反地进行设置。
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公开(公告)号：CN102959635A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201180030368.7
申请日：2011-08-26
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G11C13/00 , H01L27/105 , H01L45/00
CPC classification number: G11C13/0004 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , G11C2213/75 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L27/2481 , H01L45/06 , H01L45/1233
Abstract: 本发明的目的在于提高相变存储器的重写传送速率和可靠性。为了达到上述目的，对于串联设置于字线(2)与位线(3)之间、各自具有彼此并联连接的选择元件和存储元件的多个相变存储器单元(SMC或USMC)，在将其全部被设为置位状态之后，将与数据图案相应的一部分单元设为复位状态。或者与其相反地进行设置。
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公开(公告)号：CN101645453A
公开(公告)日：2010-02-10
申请号：CN200910139391.4
申请日：2009-05-21
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L27/24 , H01L23/532 , H01L21/82 , H01L21/768 , G11C11/56
CPC classification number: H01L45/144 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C2213/72 , H01L27/2409 , H01L27/2481 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1293 , H01L45/1675 , Y10S438/90
Abstract: 本发明提供一种可以实现即使相变化材料成为高温、二极管也难以成为高温的存储单元结构的技术，是具备相变化存储器的非易失性存储装置，所述相变化存储器由交叉型存储单元构成，所述交叉型存储单元组合由相变化材料构成的存储元件和由二极管构成的选择元件而得到。制造方法如下：配置存储单元，所述存储单元由存储元件和选择元件构成，所述存储元件位于沿着第1方向延伸的多条第1金属配线2和沿着与第1方向垂直的第2方向延伸的多条第3金属配线9的交点、由相变化材料7构成，所述选择元件由第1多晶硅膜3、第2多晶硅膜4及第3多晶硅膜5的层叠结构的二极管构成，在邻接的选择元件之间及邻接的存储元件之间形成层间膜(例如第2层间膜11)，在设置于邻接的存储元件之间的层间膜上形成空隙(例如空隙12b)。
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