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公开(公告)号：CN101179008A
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200710167538.1
申请日：2007-10-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/3065 , H01L21/67 , H01L21/66
Abstract: 本发明提供能够正确地检知收容室内的状态的基板处理装置的分析方法。在处理模块(2)中，测定在腔室内零件即将更换前的导入腔室前的处理气体的发光强度(42)和通过腔室内后的处理气体的发光强度(43)，在腔室内零件刚更换后，导入腔室前的处理气体的发光强度(44)与发光强度(42)一致的情况下，测定通过腔室内后的处理气体的发光强度(45)，计算该发光强度(45)和发光强度(43)的变动量(47)，在对晶片(W)的等离子体处理开始后，测定通过腔室内后的处理气体的发光强度(48)，从该发光强度(48)之中除去所述发光强度的变动量(47)，计算真正反映腔室(10)内的状态的发光强度(49)，并由该发光强度(49)检知等离子体处理的终点。
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公开(公告)号：CN101640168B
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200910165569.2
申请日：2009-07-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67069 , H01L21/67242 , H01L22/12 , H01L22/26 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种基板处理控制方法，其在基板具有2种微小构造的情况下，也能够严格地控制微小构造中的形状的尺寸。该基板处理控制方法，针对存储单元(83)的每个CD值，使用RCWA计算得到来自存储单元(83)的反射率的光谱，并且使用标量分析计算得到来自逻辑部(82)的反射率的光谱，将这两个反射率的光谱叠加，针对存储单元(83)的每个CD值得到参考光谱数据，在蚀刻中，基于来自存储单元(83)和逻辑部(82)的反射光，计算出实测光谱数据，将与实测光谱数据基本一致的参考光谱数据的CD值作为存储单元(83)的测定得出的CD值，在该测定得出的CD值达到期望值的情况下，结束蚀刻。
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公开(公告)号：CN101640168A
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200910165569.2
申请日：2009-07-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67069 , H01L21/67242 , H01L22/12 , H01L22/26 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种基板处理控制方法，其在基板具有2种微小构造的情况下，也能够严格地控制微小构造中的形状的尺寸。该基板处理控制方法，针对存储单元(83)的每个CD值，使用RCWA计算得到来自存储单元(83)的反射率的光谱，并且使用标量分析计算得到来自逻辑部(82)的反射率的光谱，将这两个反射率的光谱叠加，针对存储单元(83)的每个CD值得到参考光谱数据，在蚀刻中，基于来自存储单元(83)和逻辑部(82)的反射光，计算出实测光谱数据，将与实测光谱数据基本一致的参考光谱数据的CD值作为存储单元(83)的测定得出的CD值，在该测定得出的CD值达到期望值的情况下，结束蚀刻。
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公开(公告)号：CN1722377A
公开(公告)日：2006-01-18
申请号：CN200510084674.5
申请日：2005-07-14
Applicant: 维里蒂器械公司 , 东京毅力科创株式会社
Inventor： 齐藤进 , 安德鲁·威克斯·库恩
IPC: H01L21/3065 , H01L21/66 , H01L21/00 , G02F1/136 , G01N21/00
CPC classification number: G01N21/68 , H01J37/32972
Abstract: 本发明的主题为一种等离子处理装置和光检测方法，该方法能够检测从多个测量位置得到的多个光学信号，并能够使用装置分析每个测量位置的状态，其中该装置具有更简化的结构的优势。干涉光L1通过光纤222并传输至分光镜部件230。等离子光L2通过光纤224并传输至分光镜部件230。分别对这些光束单独进行分光。通过对干涉光L1分光得到的干涉光光谱L1g通过第一光路226，并照射在光电转换部件240的干涉光感光区域上。通过对等离子光L2分光得到的等离子光光谱L2g通过第二光路228，并照射在光电转换部件240的等离子光感光区域上。
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公开(公告)号：CN109427523A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201811030301.3
申请日：2018-09-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/244 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体探测装置，其包括：天线部，其隔着将真空空间与大气空间之间密封的密封部件安装于开口部中，其中，上述开口部形成在处理容器的壁部或载置台；与上述天线部连接的电极；和由电介质形成的对上述天线部从周围进行支承的电介质支承部，上述天线部与上述壁部或上述载置台的相对面以规定的距离隔开间隔，上述天线部的从上述开口部露出的面，与形成有该开口部的上述壁部或上述载置台的等离子体生成空间侧的面相比凹入到内侧。由此，能够提供避免气体侵入的等离子体探测装置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100543932C
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200710167538.1
申请日：2007-10-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/3065 , H01L21/67 , H01L21/66
Abstract: 本发明提供能够正确地检知收容室内的状态的基板处理装置的分析方法。在处理模块(2)中，测定在腔室内零件即将更换前的导入腔室前的处理气体的发光强度(42)和通过腔室内后的处理气体的发光强度(43)，在腔室内零件刚更换后，导入腔室前的处理气体的发光强度(44)与发光强度(42)一致的情况下，测定通过腔室内后的处理气体的发光强度(45)，计算该发光强度(45)和发光强度(43)的变动量(47)，在对晶片(W)的等离子体处理开始后，测定通过腔室内后的处理气体的发光强度(48)，从该发光强度(48)之中除去所述发光强度的变动量(47)，计算真正反映腔室(10)内的状态的发光强度(49)，并由该发光强度(49)检知等离子体处理的终点。
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公开(公告)号：CN101488456A
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200810188835.9
申请日：2008-12-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 齐藤进
IPC: H01L21/3065 , H01L21/66
Abstract: 本发明提供即便加上干扰也能够稳定正确地计算蚀刻量的蚀刻量计算方法和蚀刻量计算装置。在用掩膜(131)形成沟槽(132)的晶片(W)的蚀刻中，将激光(L1)照射在晶片(W)上，接受叠加了掩膜干涉光和沟槽干涉光的叠加干涉光，计算叠加干涉波，提取将现在定时T作为终点的窗波形，从用熵法对该窗波形实施频率分析得到的频率分布检测沟槽干涉光，使窗的终点只偏离Δt并反复进行叠加干涉波的计算、窗波形的提取、窗波形的频率分析和沟槽干涉周期的检测，每次反复都对检测出的沟槽干涉周期进行累计平均，根据该累计平均了的沟槽干涉周期计算沟槽(132)的蚀刻量。
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公开(公告)号：CN100507511C
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200510063258.7
申请日：2005-04-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种粒子监视装置，其具备：发出测量光的光源；和连接到所述减压容器上，向所述减压容器内投射所发的测量光而且接受来自在所述减压容器内浮游着的粒子的散射光的光投射接收单元。所述光投射接收单元被配置为与所述测量光大体上平行地接受所述散射光。该粒子监视装置还具备检测所述光投射接收单元所接受到的散射光的强度的接收光强度检测单元。所述接收光强度检测单元包括：判别所述所检测到的强度是否比规定值大的接收光强度判别部件；和根据该判别结果对所述处理装置发出所述处理装置的处理动作的开始、继续或停止的指令的指示部件。
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公开(公告)号：CN100495641C
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200710088374.3
申请日：2007-03-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/3213 , H01L21/66 , C23F4/00 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法及等离子体处理装置，能够自动判定基板的种类，自动选择与所判定基板类别对应的终点检测设定，由此，能够在不限定基板类别的情况下进行正确的终点检测。预先求得与多种晶片类别对应而设定的晶片类别数据与光学数据的相关关系，在等离子体处理晶片时，利用相关关系，从开始等离子体处理时得到的光学数据算出晶片类别数据(S221、S222)，基于算出的晶片类别数据判定晶片类别(S223)，从存储在数据存储单元中的各终点检测设定数据中选择与所判定晶片类别对应的终点检测设定数据(S224)，基于所选择的终点检测设定数据进行等离子体处理的终点检测。
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公开(公告)号：CN1750237A
公开(公告)日：2006-03-22
申请号：CN200510102880.4
申请日：2005-09-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/76 , H01L21/66
Abstract: 本发明提供一种在蚀刻处理时，能够将硬质掩模层的膜厚控制在一定厚度的蚀刻方法。通过使用包含例如四氟化碳(CF4)和氩气(Ar)的气体而作为蚀刻气体的等离子体蚀刻，一边监视氮化硅薄膜102的膜厚，一边进行蚀刻处理，以氮化硅薄膜102的膜厚达到规定膜厚时作为终点而结束自然氧化膜103的蚀刻处理。接着，将氮化硅薄膜102作为掩模，使用包含例如氯气(Cl2)、溴化氢(HBr)与氩气(Ar)的气体而作为蚀刻气体，一边监视槽111的深度，一边对硅基板101进行等离子体蚀刻，以槽111的深度达到规定的数值时作为终点。
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