公开(公告)号：CN100468811C

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：CN03131232.2

申请日：2003-03-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 高山彻 ,  山崎舜平

IPC: H01L51/50 ,  H05B33/12 ,  G02F1/1368

Abstract: 本发明提供了一种半导体设备的结构及其制造方法，该半导体设备即使在显示屏尺寸增加时也能实现低功耗。本发明形成一绝缘层，在绝缘层中形成隐埋互连(为Cu、Au、Ag、Ni、Cr、Pd、Rh、Sn、Pb或其合金)。进一步，在平面化绝缘层表面之后，在暴露部分中形成金属保护膜(Ti、TiN、Ta、TaN或类似物)。通过在发光设备或液晶显示设备的各种线(栅线、源线、电源线、公用线等等)的部分中使用隐埋互连，降低了线电阻。

公开(公告)号：CN100459217C

公开(公告)日：2009-02-04

申请号：CN02158444.3

申请日：2002-11-08

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  村上智史 ,  坂仓真之 ,  高山彻

IPC: H01L51/52 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L27/3244 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/3246 ,  H01L27/3258 ,  H01L29/16 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78696 ,  H01L51/5008 ,  H01L51/524 ,  H01L51/5253 ,  H01L51/56 ,  H01L2227/323 ,  H01L2251/566

Abstract: 本发明的目的是提高包含TFT和有机发光元件的发光设备的可靠性。根据本发明的发光设备具有薄膜晶体管和发光元件，包括：栅电极上的第二无机绝缘层，第二无机绝缘层上的第一有机绝缘层，第一有机绝缘层上的第三无机绝缘层，第三无机绝缘层上形成的阳极层，第二有机绝缘层和阳极层的末端重叠且具有35-45度的倾斜角，形成在第二有机绝缘层的上表面和侧表面上且在阳极层上有开口的第四无机绝缘层，与阳极层和第四无机绝缘层接触形成且包含发光材料的有机化合物层，和包含发光材料的有机化合物层接触形成的阴极层，其中，第三无机绝缘层和第四无机绝缘层用氮化硅或氮化铝形成。

公开(公告)号：CN100437907C

公开(公告)日：2008-11-26

申请号：CN200410069654.6

申请日：1993-12-04

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 张宏勇 ,  鱼地秀贵 ,  高山彻 ,  福永健司 ,  竹村保彦

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02672 ,  G09G2300/0408 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2022 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757

Abstract: 一种制造半导体器件，例如薄膜晶体管的方法。在非晶硅膜之上或之下，选择形成岛状、线状、条状、点状或膜状的镍、铁、钴、钌、铑、钯、锇、铱、铂、钪、钛、钒、铬、锰、铜、锌、金、银及其硅化物，得到结晶硅膜，再以它们作起始点，在低于普通非晶硅的结晶温度下退火使其结晶化。通过在将变成晶体管有源区的半导体层之上选择形成覆盖膜，然后再使其热结晶化，构成具有薄膜晶体管的动态电路的同时，得到漏电小和迁移率高的晶体管。

公开(公告)号：CN100411089C

公开(公告)日：2008-08-13

申请号：CN200410103896.2

申请日：2004-10-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 後藤裕吾 ,  福本由美子 ,  高山彻 ,  丸山纯矢 ,  鹤目卓也

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/84 ,  H01L21/762 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L27/1266 ,  G02F2001/13613 ,  H01L27/3246 ,  H01L51/524 ,  H01L51/5246 ,  H01L51/5253 ,  H01L51/56 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2227/323 ,  H01L2227/326 ,  Y10S438/976 ,  Y10S438/977

Abstract: 本发明的一个目的是提供一种不损伤剥离层以进行不仅剥离具有小尺寸区域的剥离层而且剥离具有大尺寸区域的整个剥离层、具有较好的成品率的剥离方法。在本发明中，在粘贴固定基板后，通过划线或在玻璃基板上进行其引起提供了触发的激光照射来移除一部分玻璃基板。然后，通过从移除了的部分进行剥离，实现具有较好的成品率的剥离。另外，除了端子电极的连接部分(包括端子电极的外围区域)之外，通过用树脂覆盖整个表面来防止破裂。

公开(公告)号：CN100392797C

公开(公告)日：2008-06-04

申请号：CN03147669.4

申请日：2003-07-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 高山彻 ,  丸山纯矢 ,  后藤裕吾 ,  大野由美子 ,  鹤目卓也 ,  桑原秀明

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L21/76251 ,  H01L27/1214

Abstract: 提供了一种不损伤待要剥离的层的剥离方法，且此方法不仅能够剥离面积小的待要剥离的层，而且能够以高的成品率剥离面积大的整个待要剥离的层。而且，提供了一种通过将待要剥离的层粘合到各种基底材料而降低了重量的半导体器件及其制造方法。确切地说，提供了一种通过将典型为TFT的各种元件粘合到柔性膜而降低了重量的半导体器件及其制造方法。金属层或氮化物层被提供在衬底上；氧化物层被提供成与金属层或氮化物层相接触；然后形成基底绝缘膜和含有氢的待要剥离的层；并在410℃或更高的温度下执行热处理，以便扩散氢。结果，能够用物理方法在氧化物层中或在其界面处获得完全的剥离。

公开(公告)号：CN100385645C

公开(公告)日：2008-04-30

申请号：CN200410101934.0

申请日：2004-12-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  高山彻 ,  神野洋平

IPC: H01L21/82 ,  H01L27/00

CPC classification number: H01L21/6835 ,  G06K19/0704 ,  G06K19/0723 ,  G06K19/07703 ,  G06K19/07718 ,  G06K19/07745 ,  G06K19/07749 ,  G06K19/0775 ,  G06K19/07758 ,  G06K19/07779 ,  G06K19/07781 ,  G06K19/07783 ,  H01L23/49855 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48 ,  H01L2924/00011

Abstract: 随着非接触式和接触式IC芯片日益普遍，必须以低成本批量生产出应用于对人、动植物、商品、钞票等的巨大数量的IC芯片。譬如，制造用于商品、钞票等物的IC芯片的成本应为每IC芯片1到几日元，1日元以下则更好，人们期盼实现以低成本批量生产的IC芯片的一种结构和IC芯片的一种制作工艺。根据本发明，制作薄膜集成电路器件的方法包括以下步骤：在热氧化的硅衬底上形成一剥离层；在剥离层上形成多个薄膜集成电路器件，在其间插入基底膜；在多个薄膜集成电路器件之间刻槽；向槽内引入一种包含卤素氟化物的气体和液体以去除剥离层，分离成多个薄膜集成电路器件。

公开(公告)号：CN100380673C

公开(公告)日：2008-04-09

申请号：CN02157581.9

申请日：2002-11-08

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  村上智史 ,  坂仓真之 ,  高山彻

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/00 ,  H01L51/50 ,  H05B33/00 ,  G09F9/30

CPC classification number: H01L27/3244 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/3246 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78627 ,  H01L51/5234 ,  H01L51/5253 ,  H01L2251/5315 ,  H01L2251/566

Abstract: 本发明提高包含TFT和有机发光元件的发光设备的可靠性。该发光设备具有薄膜晶体管和发光元件，包括：半导体下表面上的第一无机绝缘层，栅电极上表面上的第二无机绝缘层，第二无机绝缘层上的第一有机绝缘层，第一有机绝缘层上的第三无机绝缘层，第三无机绝缘层上遍布的布线层，第二有机绝缘层和布线层的末端重叠且具有35-45度的倾斜角，形成在第二有机绝缘层的上表面和侧表面上且在布线层上有开口的第四无机绝缘层，与布线层接触形成且具有与第四无机绝缘层相重叠的侧端，与阴极层和第四无机绝缘层接触形成且包含发光材料的有机化合物层，和包含发光材料的有机化合物层接触形成的阳极层，第三和第四无机绝缘层用氮化硅或氮化铝形成。

公开(公告)号：CN100358095C

公开(公告)日：2007-12-26

申请号：CN200410086184.4

申请日：1994-12-02

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 大谷久 ,  安达广树 ,  宫永昭治 ,  高山彻

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2022 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1292 ,  H01L29/66757

Abstract: 本发明的目的是，在使用促进结晶化的催化剂元素于550℃进行4小时加热处理而得到结晶性硅的方法中，精确地控制催化剂元素的引入量。在玻璃衬底(11)上形成的无定形硅膜(12)，进而在该无定形硅膜(12)上形成掩膜(21)，将含有10～200ppm(需调整)镍等催化剂元素的乙酸盐溶液(或其它水溶液)(14)滴下。在该状态下保持一定的时间，用旋转器(15)进行旋转干燥，然后在550℃进行4小时加热处理，得到结晶性硅膜。

公开(公告)号：CN100350633C

公开(公告)日：2007-11-21

申请号：CN02122668.7

申请日：2002-06-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  高山彻 ,  秋叶麻衣

IPC: H01L33/00 ,  H01L25/00

CPC classification number: H01L51/0097 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/326 ,  H01L51/5237 ,  H01L51/5253 ,  H01L51/5256 ,  H01L51/529 ,  H01L51/56 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2227/326 ,  H01L2251/5315 ,  H01L2251/5338

Abstract: 本发明的目的是提供一种发光装置，它包括塑料基底上形成的OLED，能够防止由于湿气和氧气进入造成老化。在塑料基底上提供多层薄膜用于防止氧气和湿气进入OLED中的有机发光层(以后叫做隔离膜)、应力小于隔离膜的薄膜(以后叫做应力松弛膜)、隔离膜之间的薄膜。由于多层隔离膜的分层结构，即使一层隔离膜发生了开裂，其它隔离膜仍然能够有效地防止湿气和氧气进入有机发光层。此外，应力小于隔离膜的应力松弛膜夹在隔离膜之间，从而减小整层密封膜的应力。结果很难因为应力而发生开裂。

公开(公告)号：CN1992327A

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200510124760.4

申请日：2002-02-21

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  丸山纯矢 ,  小仓庆一 ,  高山彻

IPC: H01L27/32 ,  H01L23/28

CPC classification number: H01L51/5259 ,  H01L27/3244 ,  H01L51/524 ,  H01L51/5253

Abstract: 提供一可靠性高的发光器件，其中有机发光器件不因氧化、潮湿等而退化。该有机发光器件在真空中用包装膜(105)压合，该包装膜被一个含有Ar的DLC膜覆盖(或者一个氮化硅膜、一个AlN膜、一个表示为ALNxOy的化合物组成的膜)(106)。有机发光器件如此与外界完全隔离，可在整个有机发光器件上有效地防止加速有机发光器件老化的潮湿、氧化或者其它外部物质。