公开(公告)号：CN100438028C

公开(公告)日：2008-11-26

申请号：CN200510007875.5

申请日：2001-03-06

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  小山润 ,  须泽英臣 ,  小野幸治 ,  荒尾达也

IPC: H01L27/00 ,  H01L29/786 ,  H05B33/12

CPC classification number: H01L27/1222 ,  G02F1/13454 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/127 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78621 ,  H01L2029/7863

Abstract: 提供了一种高可靠性的半导体显示器件。半导体显示器件中的半导体层其有沟道形成区、LDD区、源区和漏区，LDD区与第一栅电极重叠，栅绝缘膜夹于其间。

公开(公告)号：CN101123193A

公开(公告)日：2008-02-13

申请号：CN200710152806.2

申请日：1995-09-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 须泽英臣 ,  竹村保彦 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01L21/306

Abstract: 一种薄膜晶体管，可减少源极和漏极之间的漏电流。用湿法蚀刻技术蚀刻硅膜以获得具有锥形边缘的岛状硅半导体区域。另外，用干法蚀刻技术形成具有锥形边缘部分的岛状半导体区域，并用蚀刻例如氢或氢氟氮酸蚀刻边缘部分。结果，在岛状半导体区域中，可除去干法蚀刻时已被等离子体破坏的部分。减少由这一部分引起的源极和漏极之间的漏电流和减少当栅极横断岛状硅区域时发生断开的缺陷。

公开(公告)号：CN101009241A

公开(公告)日：2007-08-01

申请号：CN200710085014.8

申请日：2002-03-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  须泽英臣 ,  小野幸治 ,  楠山义弘

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3213 ,  G02F1/1362

CPC classification number: H01L29/4908 ,  G02F2001/13629 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53223 ,  H01L27/3241 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/78648 ,  H01L51/5203 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的布线具有层叠结构，它包括具有第一宽度的第一导电层(第一层)，由选自W和Mo，或主要含该元素的合金或化合物的一种或多种元素制成；低阻的第二导电层(第二层)，其具有小于第一宽度的第二宽度，由主要含Al的合金或化合物制成；及第三导电层(第三层)，其具有小于第二宽度的第三宽度，由主要含Ti的合金或化合物制成。采用这种结构，使本发明为象素段的扩大留有充分的余地。至少第二导电层的边缘具有锥形的截面。由于这种形状，使得能够获得令人满意的覆盖范围。

公开(公告)号：CN1571165A

公开(公告)日：2005-01-26

申请号：CN200410064274.3

申请日：1994-09-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小沼利光 ,  菅原彰 ,  上原由起子 ,  张宏勇 ,  铃木敦则 ,  大沼英人 ,  山口直明 ,  须泽英臣 ,  鱼地秀贵 ,  竹村保彦

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/12 ,  H01L27/092 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L29/665 ,  H01L21/02145 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/02258 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/31683 ,  H01L21/31687 ,  H01L21/321 ,  H01L27/124 ,  H01L27/127 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66598 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78627

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，它包括至少一个第一晶体管和一个第二晶体管，所述第一和第二晶体管各自包括：结晶半导体，具有源区和漏区、源区和漏区间的沟道区、以及分别在沟道区和源区之间以及沟道区和漏区之间的一对杂质区，其中包含于该对杂质区内的一种导电类型杂质的浓度小于源区和漏区内杂质的浓度；位于沟道区上的栅绝缘膜；以及位于栅绝缘膜之上的栅电极，其中，第二晶体管中的那对杂质区至少部分地与栅电极重叠，而第一晶体管中的那对杂质区与栅电极之间没有重叠，其中，第一和第二晶体管的源区和漏区包括硅化镍。

公开(公告)号：CN1567528A

公开(公告)日：2005-01-19

申请号：CN200410056608.2

申请日：2000-07-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 须泽英臣 ,  小野幸治

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/84 ,  G02F1/136 ,  G09F9/30 ,  G09G3/36

CPC classification number: C23F4/00 ,  H01L21/28008 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28114 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/76852 ,  H01L21/76867 ,  H01L21/76873 ,  H01L23/528 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53257 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78621 ,  H01L2029/7863 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种干法腐蚀法，用于形成具有锥形且相对于底膜具有较大特定选择率的钨布线。如果适当调节偏置功率密度，并且如果利用具有氟作其主要成分的腐蚀气体去除钨薄膜的希望部分，则可以形成具有希望锥角的钨膜。

公开(公告)号：CN1444285A

公开(公告)日：2003-09-24

申请号：CN03107081.7

申请日：2003-03-05

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  加藤清 ,  矶部敦生 ,  宫入秀和 ,  须泽英臣

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L21/02609 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02683 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/04 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78696

Abstract: 提供有高电流驱动能力、能够高速运转并在多个半导体元件中几乎没有变化的半导体元件。它以下述事实为特征：半导体元件有包括多个晶体取向的第一结晶半导体区，第一结晶半导体区连接到导电的第二结晶半导体区，其中第一结晶半导体区在平行于在绝缘表面上的线形条状图形中延伸的绝缘膜的方向延伸，且第二结晶半导体区被提供，包括以线形条状图形延伸的绝缘膜。

公开(公告)号：CN1055790C

公开(公告)日：2000-08-23

申请号：CN94116346.6

申请日：1994-09-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小沼利光 ,  菅原彰 ,  上原由起子 ,  张宏勇 ,  铃木敦则 ,  大沼英人 ,  山口直明 ,  须泽英臣 ,  鱼地秀贵 ,  竹村保彦

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/665 ,  H01L21/02145 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/02258 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/31683 ,  H01L21/31687 ,  H01L21/321 ,  H01L27/124 ,  H01L27/127 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66598 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78627

Abstract: 一种在绝缘衬底上形成的TFT，具有源、漏和沟道区，至少在沟道区上形成栅绝缘膜，并在栅绝缘膜上形成栅电极。在沟道区和漏区间设有电阻率较高的区，以降低截止电流。形成这种结构的方法包括：阳极氧化栅电极以在栅电极侧形成多孔阳极氧化膜；用多孔阳极氧化膜为掩模除去一部分栅绝缘膜，使栅绝缘膜伸出栅电极但不全盖住源和漏区。此后，进行一种导电型元素的离子掺杂。在栅绝缘膜下限定高电阻率区。

公开(公告)号：CN1109220A

公开(公告)日：1995-09-27

申请号：CN94116346.6

申请日：1994-09-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小沼利光 ,  菅原彰 ,  上原由起子 ,  张宏勇 ,  铃木敦则 ,  大沼英人 ,  山口直明 ,  须泽英臣 ,  鱼地秀贵 ,  竹村保彦

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/665 ,  H01L21/02145 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/02258 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/31683 ,  H01L21/31687 ,  H01L21/321 ,  H01L27/124 ,  H01L27/127 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66598 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78627

Abstract: 一种在绝缘衬底上形成的TFT，具有源、漏和沟道区，至少在沟道区上形成栅绝缘膜，并在栅绝缘膜上形成栅电极。在沟道区和漏区间设有电阻率较高的区，以降低截止电流。形成这种结构的方法包括：阳极氧化栅电极以在栅电极侧形成多孔阳极氧化膜；用多孔阳极氧化膜为掩模除去一部分栅绝缘膜，使栅绝缘膜伸出栅电极但不全盖住源和漏区。此后，进行一种导电型元素的离子掺杂。在栅绝缘膜下限定高电阻率区。

公开(公告)号：CN1098227A

公开(公告)日：1995-02-01

申请号：CN94104088.7

申请日：1994-03-05

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 竹村保彦 ,  须泽英臣

IPC: H01L29/784 ,  H01L21/335 ,  H01L27/02

Abstract: 本发明的目的是要改善薄膜晶体管的栅极/引线与薄膜半导体区域(有源层)之间的绝缘可靠性，以及改善晶体管的特性。通过将具有与杂质区(源和漏区)的导电类型相反的导电类型的杂质引入薄膜半导体区域的边缘部分，尤其是此边缘部分的横置于栅极之下的部分，降低了源和漏极之间的电流泄漏。

公开(公告)号：CN103137495B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201210504910.4

申请日：2012-11-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 恵木勇司 ,  须泽英臣 ,  笹川慎也

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/44 ,  H01L21/465 ,  H01L21/4757 ,  H01L21/47635 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/127 ,  H01L27/14616 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78693

Abstract: 本发明以高成品率提供即使具有微型的结构也具有高电特性的晶体管。本发明在包括该晶体管的半导体装置中也实现高性能化、高可靠性化及高生产化。在具有依次层叠有氧化物半导体层、栅极绝缘层及在侧面设置有侧壁绝缘层的栅电极层的晶体管的半导体装置中，以与氧化物半导体层及侧壁绝缘层接触的方式设置源电极层及漏电极层。在该半导体装置的制造工序中，以覆盖氧化物半导体层、侧壁绝缘层及栅电极层上的方式层叠导电层及层间绝缘层，通过化学机械抛光法去除栅电极层上的层间绝缘层及导电层，来形成源电极层及漏电极层。在形成栅极绝缘层之前，对氧化物半导体层进行洗涤处理。