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公开(公告)号：CN116344797A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202211658377.7
申请日：2022-12-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M4/525 , H01M4/505 , H01M4/04 , H01M10/0525 , H01M4/131
Abstract: 提供一种虽使用如玻璃衬底等廉价的衬底但不呈现(003)取向的具有层状岩盐型晶体结构的正极活性物质膜、具有该正极活性物质膜的正极、二次电池以及电子设备。该正极包括衬底、正极集流体膜及正极活性物质膜，正极集流体膜是钛膜及氮化钛膜的叠层，钛膜具有属于空间群P63/mmc的晶体结构并呈现(101)取向，氮化钛膜具有属于空间群Fm‑3m的晶体结构并呈现(311)取向，并且正极活性物质膜具有层状岩盐型晶体结构并呈现(116)取向。
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公开(公告)号：CN116018320A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202180056513.2
申请日：2021-07-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C01G53/00
Abstract: 提供一种其晶体结构即使反复进行充放电也不容易崩塌的正极活性物质。提供一种充放电容量大的正极活性物质。在该正极活性物质的表面上形成凸部。凸部优选包含锆及钇并为长方体。凸部优选具有立方晶、四方晶或者立方晶与四方晶的两相混合的晶体结构。优选的是，正极活性物质所包含的过渡金属为选自钴、镍和锰中的一个或两个以上，添加元素优选为选自镁、氟、铝、锆和钇中的两个以上。
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公开(公告)号：CN114930579A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202080089529.9
申请日：2020-12-15
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M4/525 , C01G53/00 , H01M4/36 , H01M10/0525
Abstract: 本发明的一个方式提供一种即使反复充放电晶体结构也不容易崩塌的正极活性物质。提供一种充放电容量大的正极活性物质。该正极活性物质包含锂、钴、镍、镁及氧，正极活性物质的最表面层的a轴的晶格常数大于内部的a轴的晶格常数，最表面层的c轴的晶格常数大于内部的c轴的晶格常数。优选的是，最表面层的a轴的晶格常数与内部的a轴的晶格常数的变化率大于0且为0.12以下，最表面层的c轴的晶格常数与内部的c轴的晶格常数的变化率大于0且为0.18以下。
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公开(公告)号：CN113557608A
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN202080020164.4
申请日：2020-03-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/28 , H01L21/316 , H01L21/336 , H01L21/768 , H01L21/822 , H01L21/8234 , H01L21/8242 , H01L27/04 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L27/108 , H01L27/1156 , H01L29/417 , H01L29/788 , H01L29/792
Abstract: 提供一种晶体管特性偏差小的半导体装置。该半导体装置包括如下制造步骤：形成第一至第三绝缘体；在第三绝缘体上依次形成第四绝缘体、第一氧化膜、第二氧化膜、第三氧化膜、第一导电膜、第一绝缘膜、第二导电膜；将其加工为岛状而形成第一氧化物、第二氧化物、第一氧化物层、第一导电层、第一绝缘层、第二导电层；去除第二导电层；在第四绝缘体、第一氧化物、第二氧化物、第一氧化物层、第一导电层、第一绝缘层上形成第五及第六绝缘体；通过形成到达第二氧化物的开口，形成第三氧化物、第四氧化物、第一导电体、第二导电体、第七绝缘体、第八绝缘体；在开口中形成第五氧化物、第九绝缘体、第三导电体，其中第五绝缘体利用偏压溅射法形成。
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公开(公告)号：CN110998863A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201880050205.7
申请日：2018-07-18
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/82 , H01L21/822 , H01L21/8242 , H01L27/04 , H01L27/10 , H01L27/108
Abstract: 提供一种阈值电压大的半导体装置。该半导体装置包括：配置在衬底上的第一导电体；配置在第一导电体上的第一绝缘体；以接触于第一绝缘体的顶面的方式配置的第一氧化物；以接触于第一氧化物的顶面的方式配置的第二绝缘体；配置在第二绝缘体上的第二氧化物；配置在第二氧化物上的第三绝缘体；以及配置在第三绝缘体上的第二导电体，其中，混合层形成在第一绝缘体与第一氧化物之间，混合层包含第一绝缘体所含的原子中的至少一个和第一氧化物所含的原子中的至少一个，并且，混合层具有负的固定电荷。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103178240A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201210553567.2
申请日：2012-12-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M4/134 , H01M4/1395 , H01M4/70
CPC classification number: H01M4/70 , B82Y40/00 , H01M4/134 , H01M4/1395 , H01M4/366 , H01M4/386 , H01M4/661
Abstract: 本发明涉及非水二次电池用负极、非水二次电池及其制造方法。本发明的一个方式提供一种非水二次电池，在该非水二次电池中，充放电容量大，能够进行急速充放电，且充放电所导致的电池特性的劣化少。一种负极，该负极包括集电体及活性物质层，其中，集电体具有在实质上垂直的方向延伸的多个突起部及与多个突起部连接的基础部，突起部及基础部包括含有钛的共同材料，突起部的顶面、侧面及基础部的顶面被活性物质层覆盖，并且，活性物质层具有多个晶须。另外，活性物质也可以被石墨烯覆盖。
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公开(公告)号：CN112335024B
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN201980039953.X
申请日：2019-06-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/363 , C23C14/06 , C23C14/08 , C23C14/34 , H10D30/67 , H10H20/817
Abstract: 提供一种在低温下通过外延生长形成金属氧氮化物膜的方法。金属氧氮化物膜的制造方法，包括如下步骤：在单晶的衬底上，导入含有氮气体的气体，通过使用氧化物靶材利用溅射法对金属氧氮化物膜进行外延生长，其中，氧化物靶材包含锌，形成金属氧氮化物膜时的衬底为80℃以上且400℃以下，氮气体的流量为气体的总流量中的50％以上且100％以下。
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公开(公告)号：CN116964895A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202280020098.X
申请日：2022-03-11
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种系统，其中即使长期反复进行充电及放电，也高精度获得SOC‑OCV特性及FCC等的关于蓄电池的内部状态的数据，能够进行高精度推测。提供一种包括具备能够收发数据的单元的车辆的蓄电池管理系统，其中车辆包括蓄电池、与蓄电池电连接的平衡电路以及具有控制平衡电路的功能的车辆控制单元，蓄电池包括具有多个电池单元的组电池，车辆控制单元具有选择最接近组电池所包括的电池单元的状态的推测值的功能，平衡电路具有基于选择的推测值被控制的功能。
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公开(公告)号：CN116918134A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202280019042.2
申请日：2022-02-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M10/44
Abstract: 提供一种能量密度高的蓄电系统。提供一种安全性高的蓄电系统。提供一种能量密度高的二次电池。提供一种安全性高的二次电池。本发明的充电器具有控制二次电池充电的开始及停止的功能以及控制二次电池的充电电流的功能。二次电池包括正极，正极包含正极活性物质粒子，正极活性物质粒子是添加有镁的钴酸锂。充电器具有如下功能：通过在时间t1开始以恒流对二次电池充电的第一步骤以及在时间t2停止充电的第二步骤，控制二次电池充电。在时间t2，通过X射线粉末衍射确定的钴酸锂的晶体结构由空间群R‑3m表示。
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公开(公告)号：CN116031400A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202310134781.2
申请日：2021-10-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M4/525 , H01M10/0525
Abstract: 本发明涉及一种锂离子二次电池。提供一种二次电池，该二次电池为在提高充电深度时的dQ/dVvsV曲线中在4.55V附近具有较宽峰的正极活性物质的二次电池。或者，提供一种二次电池，该二次电池使用如下正极活性物质：在充电电压为4.6V以上且4.8V以下，充电深度为0.8以上且低于0.9的情况下也不成为H1‑3型结构，可以保持CoO2层的偏离被抑制的晶体结构。在dQ/dVvsV曲线中4.55V附近的峰较宽意味着在其附近的抽出锂所需的能量变化少且晶体结构的变化少。因此，可以得到CoO2层的偏离及体积的变化影响较少且即使充电深度较高也较稳定的正极活性物质。
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