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公开(公告)号：CN116724422A
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202280010989.7
申请日：2022-01-13
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M4/525
Abstract: 本发明的一个方式提供一种新颖的正极活性物质的制造方法。该正极活性物质的制造方法包括：使钴水溶液与碱性水溶液起反应来形成钴化合物；混合钴化合物与锂化合物并进行第一加热处理来形成第一复合氧化物；混合第一复合氧化物与包含第一添加元素的化合物并进行第二加热处理来形成第二复合氧化物；以及混合第二复合氧化物与包含第二添加元素的化合物并进行第三加热处理，其中，第一加热处理以700℃以上且1100℃以下的温度进行，第二加热处理以700℃以上且1000℃以下的温度进行，并且，第三加热处理以等于或低于第二加热处理的温度进行。
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公开(公告)号：CN114026787A
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202080045169.2
申请日：2020-06-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H03K3/354
Abstract: 提供一种新颖的振荡器、放大电路、反相器电路、放大电路、电池控制电路、电池保护电路、蓄电装置、半导体装置及电气装置等。该半导体装置包括具有包含金属氧化物的第一晶体管以及第二至第五晶体管的振荡器，使第一晶体管成为开启状态而向第二晶体管的栅极及第三晶体管的栅极供应第一电位，使第一晶体管成为关闭状态而保持第一电位，振荡器向第一电路供应根据第一电位的第一信号，并且第一电路对第一信号进行整形和放大中的至少一方。第二晶体管与第四晶体管串联地连接，第三晶体管与第五晶体管串联地连接，第三晶体管的源极或漏极与第四晶体管的栅极电连接，并且第四晶体管的源极或漏极与第三晶体管的栅极电连接。
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公开(公告)号：CN119487652A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202380050291.2
申请日：2023-07-04
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种容量大且安全性高的正极活性物质。本发明是一种正极活性物质的制造方法，包括如下步骤：形成钴化合物和镍化合物溶解而成的混合液；使混合液与碱性水溶液起反应来得到钴镍氢氧化物沉淀的悬浮液；使用水对悬浮液进行第一抽滤；在第一抽滤后使用有机溶剂进行第二抽滤，在钴镍氢氧化物中，相对于钴的原子个数比与镍的原子个数比之和的镍的原子个数比大于0且为0.01以下。
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公开(公告)号：CN116964895A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202280020098.X
申请日：2022-03-11
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种系统，其中即使长期反复进行充电及放电，也高精度获得SOC‑OCV特性及FCC等的关于蓄电池的内部状态的数据，能够进行高精度推测。提供一种包括具备能够收发数据的单元的车辆的蓄电池管理系统，其中车辆包括蓄电池、与蓄电池电连接的平衡电路以及具有控制平衡电路的功能的车辆控制单元，蓄电池包括具有多个电池单元的组电池，车辆控制单元具有选择最接近组电池所包括的电池单元的状态的推测值的功能，平衡电路具有基于选择的推测值被控制的功能。
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公开(公告)号：CN116601707A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202180068830.6
申请日：2021-10-12
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G11C11/22
Abstract: 提供一种能够以高精度读出数据的半导体装置。该半导体装置包括第一及第二存储单元以及开关，第一存储单元包括第一及第二晶体管以及第一电容器，第二存储单元包括第三及第四晶体管以及第二电容器。第一及第二电容器在一对电极间包括铁电体层。第一晶体管的源极及漏极中的一个与第二晶体管的栅极电连接，第二晶体管的栅极与第一电容器的一个电极电连接。第三晶体管的源极及漏极中的一个与第四晶体管的栅极电连接，第四晶体管的栅极与第二电容器的一个电极电连接。第一晶体管的源极及漏极中的另一个与第三晶体管的源极及漏极中的另一个通过开关电连接。
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