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公开(公告)号：CN1975345A
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200610163607.7
申请日：2006-12-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: B81C99/004 , G01R31/3025
Abstract: 本发明的目的在于提供一种微机械的测试方法，其中无接触地进行微机械的结构体的过程检测的测试、电特性的测试及机械特性的测试。本发明的测试方法如下：包括具有第一导电层、设置为与所述第一导电层平行的第二导电层、设置在所述第一导电层和第二导电层之间的牺牲层或具有空间部分的结构体、以及与连接到所述结构体的天线，通过所述天线向所述结构体以无线供给电力，检验出从所述天线中产生的电磁波作为所述结构体的特性。
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公开(公告)号：CN1893142A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200610099772.0
申请日：2006-06-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/0021 , H01L27/1214 , H01L27/1255 , H01L27/1266
Abstract: 微机械一般使用半导体衬底比如硅晶片形成。本发明的一个目的是通过将微细结构和用于控制微细结构的半导体元件在一个步骤中集成在一个绝缘表面上来进一步降低成本。一种微细结构具有这样的结构：其中形成为框架形状的第一层提供在绝缘表面上，间隙形成在该框架的里面，形成第二层以与第一层交叉。这种微细结构和薄膜晶体管可以在一个步骤中集成在一个绝缘表面上。
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公开(公告)号：CN101834312B
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201010143783.0
申请日：2010-03-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M10/0525 , H01M4/13 , H01M10/058 , H01M4/139 , H01G9/048
CPC classification number: H01M10/058 , C23F4/00 , H01G9/016 , H01G9/02 , H01G9/038 , H01G9/058 , H01G9/155 , H01G11/24 , H01G11/26 , H01G11/28 , H01G11/52 , H01G11/60 , H01G11/68 , H01M2/16 , H01M4/0404 , H01M4/13 , H01M4/139 , H01M4/366 , H01M4/661 , H01M10/052 , H01M10/0525 , H01M10/0566 , H01M10/0569 , H01M2004/021 , H01M2300/0025 , Y02E60/122 , Y02E60/13 , Y02P70/54 , Y10T29/49115
Abstract: 本发明涉及一种蓄电装置，其中包括：正极，该正极具有正极集电体、设置在所述正极集电体上且具有多个第一突起的正极活性物质、及设置在所述多个第一突起的每一个尖端上的第一绝缘体；负极，该负极具有负极集电体、设置在所述负极集电体的表面且具有多个第二突起的负极活性物质、及设置在所述多个第二突起的每一个尖端上的第二绝缘体；设置在所述正极和负极之间的隔离物；以及设置在所述正极和负极之间的空间且包含载体离子的电解质，在所述第一突起及第二突起的每一个中，高度对宽度的比例是3以上且1000以下对1，即(3～1000)∶1。
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公开(公告)号：CN1899951B
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN200610128501.3
申请日：2006-06-16
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/1255 , B81C1/00246 , B81C2203/0728 , H01L27/1214 , H01L27/1266 , H01L27/1277 , H01L27/13
Abstract: 一直以来在一个衬底上制造一种配置具有空间的微结构、用于控制该微结构的电路以及其他结构的半导体器件是困难的。本发明通过用这样的方式能够在半导体器件中提供微结构和用于控制该微结构的电路：在低温下形成和处理通过利用金属元件的激光结晶或热结晶获得的具有多晶硅的结构层。作为上述电子电路，有用于与天线进行无线通信的无线通信电路。
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公开(公告)号：CN102169850A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN201110034786.5
申请日：2007-04-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/77 , H01L21/822 , H01L21/84 , H01L27/06 , H01L27/12
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L21/6835 , H01L21/8221 , H01L21/84 , H01L23/4985 , H01L23/49855 , H01L23/5389 , H01L25/105 , H01L27/0688 , H01L27/12 , H01L27/124 , H01L2224/24145 , H01L2224/76155 , H01L2924/01019 , H01L2924/07811 , H01L2924/12032 , H01L2924/12044 , H01L2924/1305 , H01L2924/13091 , H01L2924/00
Abstract: 本发明名称为半导体集成电路及其制造方法、使用该电路的半导体装置。在半导体衬底中形成通孔的工序或对半导体衬底从背面进行抛光的工序需要非常长的时间，这成为产率降低的原因。另外，由于层叠有半导体衬底，所以被层叠而形成的半导体集成电路变厚，机械柔软性低。本发明的技术要点如下：在多个衬底上形成剥离层，并在剥离层上形成半导体元件及用来形成贯穿布线的开口部。然后，从衬底剥离具有半导体元件的层并层叠它们，并通过在开口部中形成具有导电性的层形成贯穿布线，以制造半导体集成电路。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1911779B
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200610153433.6
申请日：2006-05-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/78
CPC classification number: B81C1/00246 , B81C2203/0735 , H01L21/0237 , H01L21/02532 , H01L21/02672 , H01L21/02675 , H01L21/02691 , H01L27/1266 , H01L27/1277
Abstract: 微机器所包括的微结构和半导体元件通常在不同的步骤中形成。本发明的目的是提供一种微机器的制造方法，其中该微结构和半导体元件形成在一个绝缘衬底上。本发明的特征在于微机器包括包含多晶硅的可移动层和在该层的下面或上面的间隔，该可移动层使用金属通过热结晶或激光结晶。该多晶硅具有高强度并形成在绝缘表面之上，使得它用作微结构和用于形成半导体元件。因此，可形成其中在一个绝缘衬底上形成微结构和半导体元件的半导体器件。
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公开(公告)号：CN101872840A
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN201010224583.8
申请日：2006-06-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/0021 , H01L27/1214 , H01L27/1255 , H01L27/1266
Abstract: 本发明公开了一种制造有机晶体管的方法。该方法包括：在绝缘表面上形成牺牲层；在所述牺牲层上形成第一层；蚀刻第一层以形成一对侧壁结构；在所述牺牲层和所述一对侧壁结构上形成第二层；通过蚀刻牺牲层在所述一对侧壁结构的里面形成空间；和在该空间中形成有机半导体层。微机械一般使用半导体衬底比如硅晶片形成。本发明的一个目的是通过将微细结构和用于控制微细结构的半导体元件在一个步骤中集成在一个绝缘表面上来进一步降低成本。一种微细结构具有这样的结构：其中形成为框架形状的第一层提供在绝缘表面上，空间形成在该框架的里面，形成第二层以与第一层交叉。这种微细结构和薄膜晶体管可以在一个步骤中集成在一个绝缘表面上。
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公开(公告)号：CN101826632A
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN201010122541.3
申请日：2010-02-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M10/0525 , H01M4/64 , H01M2/18
CPC classification number: H01M10/052 , H01G11/52 , H01G11/70 , H01M2/16 , H01M4/13 , H01M4/139 , H01M4/667 , H01M4/70 , H01M10/0569 , H01M2300/0045 , Y02E60/122 , Y02E60/13 , Y02P70/54
Abstract: 本发明涉及一种蓄电装置，包括：正极，该正极包括：具有多个第一突起的正极集流器；设置在多个第一突起的每一个上的第一绝缘体；以及设置在第一绝缘体及具有多个第一突起的正极集流器的表面上的正极活性物质；负极，该负极包括：具有多个第二突起的负极集流器；设置在多个第二突起的每一个上的第二绝缘体；以及设置在第二绝缘体及具有多个第二突起的负极集流器的表面上的负极活性物质；设置在正极和负极之间的分离器；以及设置在正极和负极之间的空间中且包含载体离子的电解质。
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公开(公告)号：CN100468741C
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200580018287.X
申请日：2005-05-31
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/10 , H01L21/82 , H01L29/786 , H01L21/336
Abstract: 提供了一种用于使用和便宜的存储器件，同时即使当存储器与其它功能电路在同一衬底上形成时，仍然保持产品规格和生产率。本发明的存储器件包括在绝缘表面上形成的存储单元。该存储单元包括具有两个杂质区域的半导体薄膜、栅极、以及连接相应杂质区域的两条接线。通过在栅极和两条接线的至少之一之间施加电压这两条接线彼此绝缘，以改变半导体薄膜的状态。
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公开(公告)号：CN1872657A
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN200610087708.0
申请日：2006-05-31
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: B81C1/00142
Abstract: 传统上形成微机械的微结构是用硅晶片作为主体形成的。考虑到这一点，本发明提供微结构制造方法，其中微结构是在绝缘衬底上形成的。本发明提供的微结构包括含多晶硅的层，该多晶硅是以金属元素用热晶化或激光晶化而晶化的，且该层包括在其上或其下的空间。这样的多晶硅可在绝缘表面上形成并具有高强度，因此，可以用作微结构。作为结果，提供了在绝缘衬底上形成的微结构或提供有微结构的微机械。
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