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公开(公告)号：CN1925155B
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200610129044.X
申请日：2006-09-04
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/02 , H01L23/367 , H01L25/00
CPC classification number: H01L23/367 , H01L23/3735 , H01L23/49855 , H01L23/5389 , H01L25/0652 , H01L25/105 , H01L2221/68359 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 为解决从集成电路产生的热量的积累导致的问题。本发明的集成电路包括基板，其一个表面上形成集成电路。该基板的另一表面(其上不形成集成电路的表面)包括凹陷部分，并且其表面积比所述一个表面的大。基板的另一表面上形成的凹陷部分填充以吸热材料，或至少在凹陷部分的表面上形成包含吸热材料的薄膜。这种集成电路装置可以以多层结构提供。
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公开(公告)号：CN1940977B
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200610159571.5
申请日：2006-09-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G06K19/077 , H01L27/02 , H01L23/522 , H01L23/48
CPC classification number: H01L23/49855 , G06K19/07749 , G06K19/0775 , H01L23/5389 , H01L2223/6677 , H01L2224/16 , H01L2924/01004 , H01L2924/01046 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/04941 , H01L2924/12044 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体装置，该半导体装置能够实现批量生产，而且具有跟现有的小型元件不同的结构。本发明的目的还在于提供一种可以提高强度，并可以抑制在制造步骤中的元件的损坏，且可靠性以及成品率高的半导体装置的结构以及其制造方法。本发明的半导体装置包括：具有集成电路的层；形成在具有集成电路的层上，而且与具有集成电路的层电连接的第一端子；形成在第一端子上，而且与第一端子电连接的起天线作用的导电层；形成在具有集成电路的层上，而且与具有集成电路的层、起天线作用的导电层、第一端子不电连接的第二端子。
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公开(公告)号：CN101305465B
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200680041872.6
申请日：2006-11-02
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/105 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L27/10 , H01L27/28 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/786 , H01L51/05
CPC classification number: H01L27/1266 , B82Y10/00 , G02F2001/13613 , G11C13/00 , G11C13/0014 , G11C2213/77 , G11C2213/79 , H01L27/1214 , H01L27/281 , H01L29/458 , H01L51/003 , H01L2251/558
Abstract: 提供功能更高且可靠的半导体器件和无需使装置或工艺复杂化就能够以高产率低成本制造该半导体器件的技术。形成第一导电层和第二导电层，其中至少一层含有铟、锡、铅、铋、钙、锰或锌中的一种或多种；或在有机化合物层与第一导电层之间和在有机化合物层与第二导电层之间的至少一个界面处进行氧化处理。在第一衬底上形成并与第一衬底之间夹着剥离层的第一导电层、有机化合物层和第二导电层可以借助剥离层从第一衬底上剥离并转置到第二衬底上。
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公开(公告)号：CN100585867C
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200510108891.3
申请日：2005-09-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/1214 , H01L27/14609 , H01L27/14645 , H01L27/14692
Abstract: 本发明揭示一种半导体装置及其制造方法。传感器元件中存在的课题是，为了进一步推进今后的大功率输出及小型化，要在有限的面积上形成多个元件，要缩小元件所占的面积进行集成。还存在的课题是，提供能够提高传感器元件的合格率的工艺。本发明是在具有绝缘表面的基板上将采用非晶态硅膜的传感器元件、以及由薄膜晶体管构成的输出放大电路进行集成。另外，在传感器元件的光电变换层形成图形时，在光电变换层与薄膜晶体管连接的布线之间设置包含露出的保护布线用的金属层。
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公开(公告)号：CN101305465A
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200680041872.6
申请日：2006-11-02
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/105 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L27/10 , H01L27/28 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/786 , H01L51/05
CPC classification number: H01L27/1266 , B82Y10/00 , G02F2001/13613 , G11C13/00 , G11C13/0014 , G11C2213/77 , G11C2213/79 , H01L27/1214 , H01L27/281 , H01L29/458 , H01L51/003 , H01L2251/558
Abstract: 提供功能更高且可靠的半导体器件和无需使装置或工艺复杂化就能够以高产率低成本制造该半导体器件的技术。形成第一导电层和第二导电层，其中至少一层含有铟、锡、铅、铋、钙、锰或锌中的一种或多种；或在有机化合物层与第一导电层之间和在有机化合物层与第二导电层之间的至少一个界面处进行氧化处理。在第一衬底上形成并与第一衬底之间夹着剥离层的第一导电层、有机化合物层和第二导电层可以借助剥离层从第一衬底上剥离并转置到第二衬底上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101233394A
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200680027408.1
申请日：2006-07-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L31/102 , G01J1/44 , H01L31/145 , H04N5/2351
Abstract: 本发明提供了一种能够探测从弱光到强光的光的光电转换器件，并且涉及一种光电转换器件，其具有：具有光电转换层的光电二极管；包括晶体管的放大器电路；以及开关，其中，当入射光的强度低于预定强度时，通过所述开关使所述光电二极管和所述放大器电路相互电连接，从而通过所述放大器电路将光电电流放大，以供输出，并且可以通过所述开关使所述光电二极管和部分或全部所述放大器电路电断开，从而按照放大系数降低光电电流，以供输出。根据这样的光电转换器件，能够探测从弱光到强光的光。
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公开(公告)号：CN1925155A
公开(公告)日：2007-03-07
申请号：CN200610129044.X
申请日：2006-09-04
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/02 , H01L23/367 , H01L25/00
CPC classification number: H01L23/367 , H01L23/3735 , H01L23/49855 , H01L23/5389 , H01L25/0652 , H01L25/105 , H01L2221/68359 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 为解决从集成电路产生的热量的积累导致的问题。本发明的集成电路包括基板，其一个表面上形成集成电路。该基板的另一表面(其上不形成集成电路的表面)包括凹陷部分，并且其表面积比所述一个表面的大。基板的另一表面上形成的凹陷部分填充以吸热材料，或至少在凹陷部分的表面上形成包含吸热材料的薄膜。这种集成电路装置可以以多层结构提供。
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公开(公告)号：CN1893033A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200610100198.6
申请日：2006-06-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/84
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L27/1285 , H01L27/1292
Abstract: 本发明的一个目的在于提供制造半导体器件的方法，该方法消除了在将半导体元件形成在基片上后基片变薄或者除去基片的情形中，由于杂质元素或者水分等从外界进入而对半导体元件产生的影响。其一个特征是通过对基片进行表面处理在基片的至少一个侧面上形成起防护膜作用的绝缘薄膜，将半导体元件(比如薄膜晶体管)形成在所述绝缘薄膜上，和薄化所述基片。作为表面处理，对基片进行杂质元素的加入或者等离子处理。作为薄化基片的方法，通过对基片另一侧面进行研磨处理或者抛光处理等可以使基片被部分除去。
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公开(公告)号：CN1873950A
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN200610088624.9
申请日：2006-05-31
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/82 , H01L21/336 , H01L27/02 , H01L29/786 , G06K19/077
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L27/1214
Abstract: 提供一种低成本和薄厚度的薄膜集成电路，不像常规玻璃基板或单晶硅基板，该薄膜集成电路适于大规模生产，以及一种薄膜集成电路装置或具有该薄膜集成电路的IC芯片的结构和工艺。半导体装置的制造方法包括以下步骤：在硅基板的一个表面上形成第一绝缘薄膜、在该第一绝缘薄膜上形成至少具有两个薄膜集成电路的层、形成覆盖该具有薄膜集成电路的层的树脂层、形成覆盖该树脂层的薄膜、研磨硅基板的形成具有薄膜集成电路的层的一个表面的背面，并抛光硅基板的研磨的表面。
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公开(公告)号：CN1767179A
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：CN200510109909.1
申请日：2005-09-14
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L21/6835 , H01L23/20 , H01L23/22 , H01L23/58 , H01L24/83 , H01L2221/6834 , H01L2221/68363 , H01L2221/68368 , H01L2224/2929 , H01L2224/293 , H01L2224/83851 , H01L2924/00011 , H01L2924/01019 , H01L2924/01079 , H01L2924/09701 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/30105 , H01L2224/29075 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种无需固定到产品上便可使用的新型无线芯片。明确地说，无线芯片可通过密封步骤而具有新功能。根据本发明的无线芯片的一个特征是具有一种结构，在这种结构中，薄膜集成电路通过薄膜来密封。具体来说，密封集成电路的薄膜具有空心结构；因此无线芯片可具有新功能。
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