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公开(公告)号：CN105492507A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201480047764.4
申请日：2014-08-28
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 本发明涉及一种耐磨蚀性材料，其具有连续部和不连续部。连续部具有连续的构造。不连续部被配置为在连续部的内部成为不连续构造。该不连续部由平均粒径为1μm以下的粒子构成。另外，该不连续部由表面硬度以及杨氏模量比连续部高的材料构成。
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公开(公告)号：CN104952999A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201410453095.2
申请日：2014-09-05
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 田中明
CPC classification number: H01L33/26 , H01L33/0079 , H01L33/20 , H01L33/38 , H01L33/382 , H01L33/405 , H01L33/50
Abstract: 本发明提供一种动作电压降低且光输出提高的氮化物半导体发光装置。实施方式的氮化物半导体发光装置包含积层体、第一电极、及第二电极。所述积层体具有包含第一导电型层的第一层、包含第二导电型层的第二层、及设置在所述第一层与所述第二层之间的发光层，且含有氮化物半导体，并且在中央部具有从成为与所述发光层相反侧的所述第一层的表面到达所述第二层的凹部。所述第一电极以覆盖所述第一层的所述表面的方式设置，且反射来自所述发光层的发出光。所述第二电极设置在所述凹部的底面的所述第二层上。与设置着所述凹部的面相反侧的所述第二层的面成为光出射面。所述第一电极的内缘与所述第二电极构成同心圆。
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公开(公告)号：CN1747265A
公开(公告)日：2006-03-15
申请号：CN200510099204.6
申请日：2005-09-09
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 田中明
CPC classification number: H01S5/4043 , B82Y20/00 , G11B7/1275 , G11B2007/0006 , H01S5/02236 , H01S5/0224 , H01S5/02272 , H01S5/0422 , H01S5/0425 , H01S5/2027 , H01S5/2231 , H01S5/34313 , H01S5/34326 , H01S5/3436 , H01S5/4087
Abstract: 一种半导体激光阵列，其包括基片以及位于基片上的第一激光元件，第一激光元件用于发射第一波长的激光。第一激光元件具有第一多层机构，第一多层结构包括第一激活层和第一波导结构。第一激活层具有一第一发射中心。在基片和第一多层结构上设置了第二激光元件，该元件用于发射出第二波长的激光。第二激光元件具有第二多层结构，第二多层结构包括第二激活层和第二波导结构。第二激活层具有第二发射中心。第二发射中心与第一发射中心在横向上和垂直方向上相互分来。
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公开(公告)号：CN1233079C
公开(公告)日：2005-12-21
申请号：CN03154693.5
申请日：2003-08-22
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 田中明
IPC: H01S5/343
CPC classification number: B82Y20/00 , G11B7/127 , H01S5/028 , H01S5/162 , H01S5/164 , H01S5/168 , H01S5/34326 , H01S5/3436
Abstract: 本发明提供一种不降低可靠性的高光输出功率的半导体激光器元件。在具有带隙比发光区宽的窗口区的窗口结构的半导体激光器元件中，背面侧窗口区的带隙比前面侧窗口区的带隙窄。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1229902C
公开(公告)日：2005-11-30
申请号：CN03140660.2
申请日：2003-06-02
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/22 , H01S5/2214 , H01S5/223 , H01S5/34326
Abstract: 一种半导体激光器包括：衬底；形成在衬底上的双异质结构，双异质结构包括形成在衬底上的第一覆盖层、形成在第一覆盖层上的有源层以及形成在有源层上的第二覆盖层，第二覆盖层的上表面上具有条形突起，突起具有侧壁基本上垂直地形成在衬底表面上的上部和线宽大于上部线宽的台阶形下部；以及除了突起的上表面，从突起的侧面延伸到第二覆盖层上表面形成的电流阻挡层。
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公开(公告)号：CN1404191A
公开(公告)日：2003-03-19
申请号：CN02132157.4
申请日：2002-09-02
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01S5/00
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/028 , H01S5/162 , H01S5/2004 , H01S5/209 , H01S5/2231 , H01S5/3211 , H01S5/3436 , H01S2301/185
Abstract: 本发明提供的半导体激光器装置，具有：第1导电型覆盖层(103)、设置在其上的活性层(107)、设置在其上面，在其上部对激光谐振方向平行延设脊的第2导电型覆盖层(108、110)和设置在上述脊两肋的电流抑制层(113)；由上述电流抑制层限制的电流，通过上述脊的上面，注入上述活性层，上述第1导电型及第2导电型的覆盖层，由组成大致相同的半导体构成，上述第1导电型的覆盖层的层厚比上述第2导电型覆盖层包含了上述脊的层厚要大。
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公开(公告)号：CN1253377A
公开(公告)日：2000-05-17
申请号：CN99123411.1
申请日：1999-11-04
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H05K3/0061 , H01L23/3735 , H01L2924/0002 , H05K1/0306 , H05K3/341 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种能够防止温度循环造成的焊料疲劳损伤并能够提高可靠性的模块式半导体器件。此模块式半导体器件具有绝缘陶瓷层1、连接于绝缘陶瓷层一个表面的第一导电层2、连接于绝缘陶瓷层另一个表面的第二导电层3、连接在第一导电层上的半导体元件、以及通过焊料6a连接在第二导电层上的导热底座7a,且导热底座的厚度tb对焊料的厚度ts的比率tb/ts在6.7—80的范围内。
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