-
公开(公告)号：CN103715345A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201410026124.7
申请日：2011-06-07
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/44 , H01L33/0079 , H01L33/0095 , H01L33/50 , H01L33/58 , H01L33/62 , H01L2224/16 , H01L2933/0058
Abstract: 根据一个实施例，一种光学半导体装置，包括发光层、透明层、第一金属柱、第二金属柱和密封层。发光层包括第一主表面、第二主表面、第一电极和第二电极。第二主表面是与第一主表面相对的表面，且第一电极和第二电极形成在第二主表面上。透明层设置在第一主表面上。第一金属柱设置在第一电极上。第二金属柱设置在第二电极上。密封层设置在第二主表面上。该密封层被配置为覆盖发光层的侧表面，并且密封第一金属柱和第二金属柱，而使第一金属柱的端部和第二金属柱的端部暴露在外。
-
公开(公告)号：CN103415937A
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201180068665.0
申请日：2011-09-12
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/62 , H01L33/0079 , H01L33/20 , H01L33/44 , H01L33/486 , H01L33/54 , H01L2924/0002 , H01L2933/0066 , H05K1/181 , H05K2201/10106 , H05K2201/10454 , H01L2924/00
Abstract: 根据一个实施例，发光器件(10)包括半导体层(15)、p侧电极(16)、n侧电极(17)、第一绝缘层(18)、p侧互连层(21)、n侧互连层(22)和第二绝缘层(25)。第二p侧互连层(21)的部分具有L形截面，其被配置成包括在第三表面(30)处从第一绝缘层(18)和第二绝缘层(25)暴露出的p侧外部端子(23a)，所述第三表面具有不同于第一表面和第二表面的平面取向。第二n侧互连层的部分具有L形截面，其被配置成包括在第三表面(30)处从第一绝缘层(18)和第二绝缘层(25)暴露出的n侧外部端子(24a)。
-
公开(公告)号：CN103035826A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201210433703.4
申请日：2012-09-17
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/56
CPC classification number: H01L33/56 , H01L27/15 , H01L33/502 , H01L33/505 , H01L33/508 , H01L33/54 , H01L2933/0041
Abstract: 本发明为半导体发光器件及其制造方法。根据一个实施例，制备发出光的发光单元、包括荧光体并且被提供在发光单元的主表面上的波长变换单元、以及提供在波长变换单元的顶部上的透明树脂。透明树脂比波长变换单元具有大的弹性模量和/或高的肖氏硬度。
-
公开(公告)号：CN102142464A
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN201110030782.X
申请日：2011-01-28
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L29/861 , H01L23/31 , H01L29/417 , H01L21/329 , H01L21/56
CPC classification number: H01L21/782 , H01L23/48 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及表面安装型二极管及其制造方法。二极管具备：具有相对置的第一及第二主面；负极，具有设在上述第一主面的表面上的第一内部电极部和设在上述第一内部电极部的表面上的第一外部电极部；正极，具备第二内部电极部和第二外部电极部，该第二内部电极部设在上述第二主面的表面，该第二外部电极部设在该第二内部电极部的表面且具有与上述负极的第一外部电极部相同的厚度；第一被覆部件，对上述第一内部电极部及上述第二内部电极部的任一方的内部电极部的外周面及上述二极管芯片的外周面进行覆盖；及第二被覆部件，对上述第一内部电极部及上述第二内部电极部中的另一方的上述内部电极部的外周面进行覆盖，具有与上述第一被覆部件不同的颜色。
-
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111540603B
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202010082333.9
申请日：2020-02-07
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 提供能够容易地增大平均设置面积的电容的技术。实施方式的电容器(1)具备：导电基板，具有第1主面、第2主面及从上述第1主面的边缘一直延伸到上述第2主面的边缘为止的端面，在上述第1主面上设置有1个以上的凹部；导电层，将上述第1主面和上述1个以上的凹部的侧壁及底面覆盖；电介质层，夹在上述导电基板与上述导电层之间；第1外部电极(70c)，包括与上述端面对置的第1电极部(70c3)，与上述导电层电连接；及第2外部电极(70d)，包括与上述端面对置的第2电极部(70d3)，与上述导电基板电连接。
-
公开(公告)号：CN112542314A
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN202010914347.2
申请日：2020-09-03
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 本发明的实施方式涉及电容器。提供一种能够实现较大的电容量且不易产生翘曲的电容器。实施方式的电容器具备：导电基板(CS)，具有第一主面与第二主面，所述第一主面包含多个副区域(A1a、A1b)，在所述多个副区域(A1a、A1b)的各个设置分别具有沿一个方向延伸的形状且在宽度方向上排列的多个凹部(TR1a、TR1b)或凸部(WM1a、WM1b)，所述多个副区域的一个以上(A1a)与所述多个副区域的其他一个以上(A1b)的所述多个凹部或凸部的长度方向不同；导电层，覆盖所述多个凹部的侧壁及底面或者所述多个凸部的侧壁及上表面；以及电介质层，夹设于所述导电基板与所述导电层之间。
-
公开(公告)号：CN111540603A
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN202010082333.9
申请日：2020-02-07
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 提供能够容易地增大平均设置面积的电容的技术。实施方式的电容器(1)具备：导电基板，具有第1主面、第2主面及从上述第1主面的边缘一直延伸到上述第2主面的边缘为止的端面，在上述第1主面上设置有1个以上的凹部；导电层，将上述第1主面和上述1个以上的凹部的侧壁及底面覆盖；电介质层，夹在上述导电基板与上述导电层之间；第1外部电极(70c)，包括与上述端面对置的第1电极部(70c3)，与上述导电层电连接；及第2外部电极(70d)，包括与上述端面对置的第2电极部(70d3)，与上述导电基板电连接。
-
公开(公告)号：CN103403895B
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201180066819.2
申请日：2011-06-08
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/38 , H01L33/0079 , H01L33/44 , H01L33/486 , H01L33/50 , H01L33/58 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 根据一个实施例，半导体发光器件包括半导体层、p侧电极、n侧电极、p侧金属柱、n侧金属柱和绝缘体。该半导体层包括第一表面、与该第一表面相对的第二表面、以及发光层。该p侧金属柱包括p侧外部端子。该n侧金属柱包括n侧外部端子。选自p侧外部端子的面积和平面构造中的至少一个不同于选自n侧外部端子的面积和平面构造中的至少一个。
-
公开(公告)号：CN103325933B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201310123335.8
申请日：2013-03-08
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/62
CPC classification number: H01L33/62 , H01L25/167 , H01L33/0075 , H01L33/486 , H01L33/52 , H01L33/647 , H01L2224/16245 , H01L2933/0033 , H01L2933/0041 , H01L2933/005 , H01L2933/0066
Abstract: 一种半导体发光器件包括发光单元、第一和第二导电柱、密封单元、以及第一和第二端子。该发光单元包括第一和第二半导体层以及发光层。该发光层设置在第一半导体层上。该第二半导体层设置在该发光层上。该第一导电柱设置在该第一半导体层上。该第二导电柱设置在该第二半导体层上。密封单元覆盖发光单元、第一导电柱、以及第二导电柱中的每一个的侧面。第一端子设置在第一导电柱和密封单元之上。第二端子设置在第二导电柱和密封单元上。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
48
records
(took 0.024 seconds)
