公开(公告)号：CN101522942B

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：CN200780036234.X

申请日：2007-09-13

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 三木久幸 ,  塙健三 ,  佐佐木保正

IPC: C23C16/34 ,  C23C14/06 ,  C30B29/38 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明提供一种可稳定地在基板上成膜出由结晶性良好的III族氮化物化合物半导体形成的多层膜结构的方法。多层膜结构从基板侧起至少包含缓冲层和基底层，采用溅射法成膜出缓冲层和基底层。使缓冲层的成膜温度低于基底层的成膜温度，或使缓冲层的膜厚为5nm～500nm。进而，多层膜结构从基板侧起至少包含基底层和发光层，包括采用溅射法成膜出基底层，并且，采用金属有机化学气相淀积(MOCVD)法成膜出发光层的工序。

公开(公告)号：CN102017082A

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200980115352.9

申请日：2009-03-06

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 三木久幸 ,  横山泰典

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  H01L21/203 ,  H01L33/00

CPC classification number: C23C16/303 ,  C23C16/0272 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02631 ,  H01L33/12 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明的Ⅲ族氮化物半导体元件，是在基板(11)上至少层叠包含Ⅲ族氮化物化合物的缓冲层(12)而构成的，该缓冲层(12)由AlN形成，该缓冲层(12)的a轴的晶格常数比大块状态下的AlN的a轴的晶格常数小。

公开(公告)号：CN100481540C

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200580004358.0

申请日：2005-02-23

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 小早川真人 ,  武田仁志 ,  三木久幸 ,  桜井哲朗

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/32 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/06 ,  H01L33/24

Abstract: 本发明的一个目的是提供一种氮化镓化合物半导体多层结构，用于制造氮化镓化合物半导体发光器件，所述器件在低电压下工作，同时维持令人满意的发光输出。本发明的氮化镓化合物半导体多层结构包括衬底以及形成在所述衬底上的n型层、发光层和p型层，所述发光层具有其中阱层和势垒层重复地交替层叠的多量子阱结构，所述发光层被夹在所述n型层和所述p型层之间，其中所述阱层包括厚部分和薄部分，以及所述势垒层包含掺杂剂。

公开(公告)号：CN100481330C

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200580034835.8

申请日：2005-09-12

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 小早川真人 ,  三木久幸

IPC: H01L21/205 ,  H01L33/00 ,  C23C16/34

CPC classification number: C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32257 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种制造III族氮化物半导体的方法，包括以下步骤：在反应容器中安装衬底；在所述衬底上形成III族氮化物半导体；使固体氮化合物存在于所述反应容器中作为III族氮化物半导体的氮源；以及向所述反应容器中供给作为III族元素的源的原材料气体，从而制造所述III族氮化物半导体。

公开(公告)号：CN101405876A

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200780009786.1

申请日：2007-03-23

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 三木久幸 ,  酒井浩光

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L33/02 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007 ,  H01L33/025 ,  H01L33/04 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供驱动电压低、且发光效率优越的双面电极型的III族氮化物半导体发光元件。这样的III族氮化物半导体发光元件是，其半导体叠层结构至少具备杂质层30和III族氮化物半导体层2，所述杂质层30含有高浓度层3b和低浓度层3a，所述高浓度层3b由含有高浓度杂质原子的III族氮化物半导体形成，所述低浓度层3a由含有比高浓度层3b浓度低的杂质原子的III族氮化物半导体形成，低浓度层3a与高浓度层3b依次在III族氮化物半导体层2上连续形成。

公开(公告)号：CN101258615A

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN200680032456.X

申请日：2006-09-05

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 篠原裕直 ,  三木久幸 ,  村木典孝

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/025 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/32 ,  H01L33/42

Abstract: 本发明的一个目的是提供一种氮化镓基化合物半导体发光器件，其具有优良的光输出效率，且仅仅需要很低的驱动电压(Vf)。本发明的氮化镓基化合物半导体发光器件包括在衬底上由氮化镓基化合物半导体形成和依次层叠的n型半导体层、发光层和p型半导体层，并且正电极和负电极被设置为分别与所述p型半导体层和所述n型半导体层接触，其中，p型杂质和氢原子共存于其中的区域存在于与所述正电极接触的所述p型半导体层中，并且所述正电极的至少与所述p型半导体层接触的部分由n型导电透光材料形成。

公开(公告)号：CN100338733C

公开(公告)日：2007-09-19

申请号：CN03805078.1

申请日：2003-02-14

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 三木久幸 ,  樱井哲朗 ,  奥山峰夫

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  C30B29/38

Abstract: 一种制造Ⅲ族氮化物半导体晶体的方法，包括以0至1，000的Ⅴ/Ⅲ比提供Ⅲ族原材料和Ⅴ族原材料以在热衬底上形成并生长Ⅲ族氮化物半导体的第一步骤，以及使用Ⅲ族原材料和氮原材料在衬底上气相生长Ⅲ族氮化物半导体晶体的第二步骤。

公开(公告)号：CN101925979B

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN200880125692.5

申请日：2008-11-21

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 横山泰典 ,  三木久幸

IPC: H01L21/203 ,  C30B25/06 ,  H01L33/00

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B23/02 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L33/007 ,  H01L33/06 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30111 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明的III族氮化物半导体的制造方法具有如下溅射工序：在配置有基板及含有Ga元素的靶材的腔室内，通过反应性溅射法在前述基板上形成单晶的III族氮化物半导体，所述溅射工序具有：第1溅射工序，使所述基板的温度为温度T1，进行前述III族氮化物半导体的成膜；第2溅射工序，将所述基板的温度降温至比前述温度T1低的温度T2，继续进行前述III族氮化物半导体的成膜。

公开(公告)号：CN101573804B

公开(公告)日：2011-01-05

申请号：CN200780047412.9

申请日：2007-12-20

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 三木久幸

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/42 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明的目的是提供发光输出功率高、且驱动电压低的氮化镓系化合物半导体发光元件。本发明的氮化镓系化合物半导体发光元件，在基板上依次具有由氮化镓系化合物半导体形成的n型半导体层、发光层和p型半导体层，在该n型半导体层和该p型半导体层上分别设置负极和正极，该正极由具有导电性和透光性的氧化物材料形成，该发光元件的特征在于，在该p型半导体层与该正极之间存在含有具有Ga-O键和/或N-O键的化合物的层。

公开(公告)号：CN101268562B

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200680034699.7

申请日：2006-09-20

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 织地学 ,  龟井宏二 ,  三木久幸 ,  松濑朗浩

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/20 ,  H01L27/153 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/025 ,  H01L33/24 ,  H01L33/38

Abstract: 本发明旨在提高III族氮化物半导体发光器件的光提取效率。本发明的III族氮化物半导体发光器件包括：衬底；以及层叠在所述衬底上的包括发光层的III族氮化物半导体层，其中所述III族氮化物半导体层的侧面相对于所述衬底的主表面的法线倾斜。