电声MEMS换能器、麦克风和电子设备

    公开(公告)号:CN208337874U

    公开(公告)日:2019-01-04

    申请号:CN201720762832.6

    申请日:2017-06-27

    Abstract: 本公开涉及电声MEMS换能器、麦克风和电子设备,该电声MEMS换能器具有:半导体材料的衬底(23);在该衬底中的贯通空腔(24);背板(25),该背板由该衬底通过板锚定结构(26)承载,该背板具有面向该贯通空腔的表面(25A);固定电极(33),该固定电极在该背板的该表面之上延伸;采用导电材料的薄膜(22),该薄膜具有面向该固定电极的中心部分(22A)以及通过薄膜锚定结构(26)固定到该背板(25)的该表面(25A)上的外围部分(22B);以及在该薄膜(22)与该背板(25)之间的腔室(28),该腔室由该薄膜锚定结构外围地界定。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

    MEMS声换能器及电子设备
    13.
    实用新型

    公开(公告)号:CN206640794U

    公开(公告)日:2017-11-14

    申请号:CN201621446151.0

    申请日:2016-12-27

    CPC classification number: C12R1/01 C12P13/02

    Abstract: 一种MEMS声换能器,其设置有:半导体材料的衬底,具有背表面和相对于垂直方向相反的前表面;形成在衬底内的第一腔,其从背表面延伸到前表面;膜,其布置在上表面处,悬置在第一腔的上方并沿着其周界锚定到衬底;以及梳齿状电极布置,其包括耦接到膜的多个可移动电极以及耦接到衬底并面向相应的可移动电极以形成感测电容器的多个固定电极,其中作为入射声波压力波的结果的膜的变形引起感测电容器的电容变化。特别地,梳齿状电极布置相对于膜垂直地放置并且平行于膜延伸。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

    半导体裸片以及电子系统
    14.
    实用新型

    公开(公告)号:CN210030037U

    公开(公告)日:2020-02-07

    申请号:CN201920145463.5

    申请日:2019-01-28

    Abstract: 本公开涉及半导体裸片以及电子系统。半导体裸片包括:MEMS设备,包括具有通孔腔体的结构本体、在结构本体的第一侧处悬置在腔体之上的膜;以及过滤模块,在与第一侧相对的第二侧处直接耦合至结构本体,过滤模块的第一部分在腔体之上延伸,并且过滤模块的第二部分无缝地延伸为结构本体的延长部,其中过滤模块的第一部分包括多个通孔开口,多个通孔开口被配置为使腔体与半导体裸片的外部环境进行流体连通,并且同时阻挡污染颗粒从外部环境传到声室。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

    声学换能器装置和电子系统

    公开(公告)号:CN208836409U

    公开(公告)日:2019-05-07

    申请号:CN201821508057.2

    申请日:2018-09-14

    Abstract: 本实用新型公开了声学换能器装置和电子系统。所述声学换能器装置包括:封装,具有一起限定所述封装的内部空间的基础衬底和覆盖元件,所述基础衬底具有与所述封装外部的环境声学连通的声音端口;MEMS声学换能器,在所述封装的所述内部空间中,并且具有面向所述声音端口的声学室;以及过滤模块,在所述封装的所述内部空间中,并且被布置在所述MEMS声学换能器与所述声音端口之间,所述过滤模块包括具有与所述声音端口和所述声学室流体连接的多个贯通开口的过滤膜,所述过滤膜由半导体材料制成并且具有小于10μm的厚度。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

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