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公开(公告)号：CN107431032A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201680013362.1
申请日：2016-01-14
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/683
CPC classification number: H01L21/6831 , C23C16/458 , H01J37/32715 , H01L21/67109
Abstract: 描述一种气流，用于减少基板处理夹盘的冷凝。在一示例中，该腔室中的工件支架具有定位盘、上板、冷却板、底板、以及该底板的干燥气体入口，该定位盘用于携载该工件以进行制造处理，该上板热耦接至该定位盘，该冷却板紧固至并热耦接至该上板，该冷却板具有冷却通道以携载热传递流体从而传递来自该冷却板的热，该底板与该定位盘相对地紧固至该冷却板，而该底板的干燥气体入口用以在压力下供应干燥气体至该底板与该冷却板之间的空间从而驱动来自该底板与该冷却板之间的环境空气。
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公开(公告)号：CN106409744A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610548298.9
申请日：2016-07-13
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/683
CPC classification number: H01L21/68742 , B66F3/25 , H01L21/6831 , H01L21/68714
Abstract: 本文中描述的实施方案提供一种升降杆致动器。所述升降杆致动器具有外壳。所述外壳具有内部容积。轨道设置在所述内部容积中并耦接到所述外壳。中心轴至少部分设置在所述外壳的所述内部容积中。导向件可移动地耦接到所述轨道。至少一个内波纹管设置在所述内部容积中，所述内波纹管在所述中心轴与所述外壳之间形成密封。弹性构件设置在所述内部容积中，并配置用于施加使所述中心轴回缩到所述外壳中的力。入口端口被配置成引导流体在所述内波纹管与所述外壳之间进入所述内部容积。所述流体产生反作用于所述弹性构件以使所述中心轴相对于所述外壳伸展的力。
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公开(公告)号：CN116250072A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202180060480.9
申请日：2021-11-09
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/687
Abstract: 本发明实施例提供一种用于处理基板的方法和设备。所述设备具有环组件。环组件具有边缘环和遮蔽环。边缘环具有环形主体。边缘环主体具有顶表面和底表面。销孔从顶表面延伸穿过边缘环主体到底表面。遮蔽环具有环形主体。遮蔽环主体具有上表面和下表面。孔座形成在所述下表面上，其中所述遮蔽环主体中的所述孔座与所述边缘环主体中的所述销孔对准。
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公开(公告)号：CN115135967A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202180015393.1
申请日：2021-01-20
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本文公开的实施例包括传感器组件。在实施例中，传感器组件包括传感器模块和壳体组件。在实施例中，所述传感器模块包括；基板；电容器，所述电容器具有在所述基板上的第一电极和第二电极；以及电容到数字转换器(CDC)，所述CDC电耦合至所述第一电极和所述第二电极。在实施例中，所述壳体组件附接至所述传感器模块并且包括：轴件，其中所述轴件是中空的；以及帽，所述帽在所述轴件的第一端上，其中所述帽具有暴露所述电容器的开口。
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公开(公告)号：CN113363189A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202110723961.5
申请日：2016-01-14
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/683 , C23C16/458 , H01J37/32
Abstract: 描述一种气流，用于减少基板处理夹盘的冷凝。在一示例中，该腔室中的工件支架具有定位盘、上板、冷却板、底板、以及该底板的干燥气体入口，该定位盘用于携载该工件以进行制造处理，该上板热耦接至该定位盘，该冷却板紧固至并热耦接至该上板，该冷却板具有冷却通道以携载热传递流体从而传递来自该冷却板的热，该底板与该定位盘相对地紧固至该冷却板，而该底板的干燥气体入口用以在压力下供应干燥气体至该底板与该冷却板之间的空间从而驱动来自该底板与该冷却板之间的环境空气。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111180305A
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN202010081458.X
申请日：2014-04-30
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32 , H01L21/3213
Abstract: 本发明涉及一种在ICP等离子体处理腔室中用于高产出、衬底极端边缘缺陷减少的单环设计。本新型的实施例提供了单环，所述单环包括具有内部表面的圆环状的主体，所述内部表面最接近所述主体的中心线附近；所述主体亦包括相对于所述内部表面的外部表面。所述主体具有底表面及顶表面，所述底表面具有形成于其中的凹槽，所述顶表面具有相邻于所述外部表面的外部端点及相邻于斜坡的内部端点，所述斜坡朝向所述中心线往下延伸至所述内部表面上的台阶。所述主体具有设置于所述内部表面上的唇部，所述内部表面从所述台阶下的垂直面向外延伸朝向所述主体的所述中心线，且所述唇部是经配置以支撑其上的衬底。所述主体的尺寸设定使得小于大约2mm的缝隙形成于所述衬底与所述台阶的所述垂直面的间的所述唇部上。
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公开(公告)号：CN104115260A
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201280070105.3
申请日：2012-10-15
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/3065 , H01L21/687
CPC classification number: H01J37/321 , H01J37/32642 , H01J37/32715 , H01J37/32724
Abstract: 藉由热隔离工艺环与静电夹盘的隔离圆片，以及藉由提供热传导及电绝缘的热环，来阻止半导体工艺环的不希望的加热，其中该热传导及电绝缘的热环接触半导体工艺环及底层的金属基底两者，该底层的金属基底具有内部冷却剂流动通道。
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公开(公告)号：CN113597659B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202080021717.8
申请日：2020-01-31
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 潘尧令 , P·J·唐 , M·D·威尔沃斯 , L·M·泰德斯奇 , D·S·卞 , P·A·克劳斯 , P·A·克里米诺儿 , C·李 , R·丁德萨 , A·施密特 , D·M·库萨
IPC: H01J37/32
Abstract: 本公开内容总体上涉及一种用于确定与在等离子体处理腔室内的蚀刻中使用的环组件的腐蚀有关的度量的方法和设备。在一个示例中，设备被配置为获取指示在等离子体处理腔室中设置在基板支撑组件上的边缘环上的腐蚀的度量。传感器获取边缘环的度量。度量与边缘环中的腐蚀量相关。在另一示例中，环传感器可布置在基板支撑组件的外周的外部。度量可由环传感器通过等离子体屏来获取。
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公开(公告)号：CN115066737A
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202180013444.7
申请日：2021-01-14
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 描述了用于等离子体腔室条件监测的电容传感器及电容感测位置。在一示例中，等离子体处理腔室包括腔室壁，所述腔室壁环绕处理区域。腔室盖在所述腔室壁之上并且在所述处理区域上方。腔室地板在所述腔室壁下并且在所述处理区域下方。支撑基座在所述处理区域中且在所述腔室盖下方并且在所述腔室地板上方，并且所述支撑基座被所述腔室壁环绕。电容传感器模块可在所述腔室壁的开口中。腔室盖可包括电容传感器模块。腔室地板可包括排气端口及在所述排气端口内或相邻于所述排气端口的电容传感器模块。支撑基座可包括环结构，所述环结构环绕基板支撑区域，并且电容传感器模块在所述环结构的开口中。
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公开(公告)号：CN114175231A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202080054037.6
申请日：2020-07-21
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/687 , H01L21/67 , H01J37/32
Abstract: 本文提供用于在处理腔室中使用的基板支撑件的实施例。在一些实施例中，基板支撑件包括基座，所述基座具有配置成容纳升降杆的上部表面，接近基座的边缘的第一环状区域，以及布置于第一环状区域与基座的中心之间的第二环状区域，其中基座包括从上部表面沿着第一环状区域以规律间隔延伸的第一多个孔洞，以及从上部表面沿着第二环状区域以规律间隔延伸的第二多个孔洞；以及非金属球，所述非金属球包含氧化铝，所述非金属球布置于第一多个孔洞和第二多个孔洞中的每个孔洞中，其中非金属球中的每一者的上部表面相对于基座的上部表面抬升以限定支撑表面。
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