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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110349838A
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201910276157.X
申请日：2019-04-08
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 任·何 , 马克西米利安·克莱蒙斯 , 石美仪 , 于敏锐 , 本切基·梅巴基 , 梅裕尔·B·奈克 , 殷正操 , 斯里尼瓦斯·D·内曼尼
IPC: H01L21/02
Abstract: 本文中描述用于使用物理气相沉积(PVD)工艺和退火工艺中的一种或物理气相沉积工艺和退火工艺的组合形成低电阻率的金属硅化物互连的方法。在一个实施方式中，一种形成多个导线互连的方法包含使溅射气体流入处理腔室的处理空间中，向设置在所述处理空间中的靶施加功率，在靠近所述靶的溅射表面的区域中形成等离子体，和在基板的表面上沉积金属和硅层。本文中，所述第一靶包括金属硅合金，并且所述第一靶的溅射表面相对于基板的表面成在约10°与约50°之间的角度。
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公开(公告)号：CN107611258A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201710661170.8
申请日：2012-10-16
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L43/12 , H01L21/033 , H01L21/67 , H01L21/677 , G11B5/74 , G11B5/84 , H01F41/34
CPC classification number: H01F41/34 , G11B5/743 , G11B5/84 , H01L21/0332 , H01L21/67161 , H01L21/67736
Abstract: 本发明实施例提供用于形成供磁性媒体中使用的图案化磁性层的方法和设备。根据本案实施例，通过低温化学气相沉积形成的氧化硅层用以在硬掩模层中形成图案，且图案化硬掩模用以通过等离子体离子注入形成图案化磁性层。
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公开(公告)号：CN103959380B
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201280057804.4
申请日：2012-10-16
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: H01F41/34 , G11B5/743 , G11B5/84 , H01L21/0332 , H01L21/67161 , H01L21/67736
Abstract: 本发明实施例提供用于形成供磁性媒体中使用的图案化磁性层的方法和设备。根据本案实施例，通过低温化学气相沉积形成的氧化硅层用以在硬掩模层中形成图案，且图案化硬掩模用以通过等离子体离子注入形成图案化磁性层。
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公开(公告)号：CN103503120A
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201280021915.X
申请日：2012-04-27
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/02074 , H01L21/76883
Abstract: 在此提供一种用于从半导体晶片的含铜与介电质的结构移除氧化铜的方法。所述含铜与介电质的结构可通过化学机械平坦化处理（CMP）平坦化，并且通过所述方法处理所述结构而移除氧化铜与CMP残余物。在氢气（H2）与紫外线（UV）环境中的退火移除氧化铜，而脉冲式氨等离子体移除CMP残余物。
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公开(公告)号：CN102906304A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201180026221.0
申请日：2011-06-03
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/04 , C23C16/44 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/02271 , C23C16/402 , H01L21/02164 , H01L21/0332 , H01L21/76898
Abstract: 使用包含有BDEAS及诸如臭氧之类的含氧气体的工艺气体将二氧化硅层沉积在衬底上。二氧化硅层可为包含有抗蚀剂层的抗蚀刻叠层的一部分。在另一方面中，将二氧化硅层沉积到穿孔中以形成用于硅通孔的氧化物衬垫。
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