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公开(公告)号：CN115698371A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202180027095.4
申请日：2021-02-02
Applicant: 应用材料公司 , 加利福尼亚大学董事会
Inventor： 基思·塔特森·王 , 斯里尼瓦斯·D·内曼尼 , 安德鲁·C·库梅尔 , 尤尼尔·曺 , 詹姆斯·黄
IPC: C23C16/04 , C23C16/40 , C23C16/455 , H01L21/02
Abstract: 本文描述与论述的实施方式提供用于在基板上选择性沉积金属氧化物的方法。在一个或多个实施方式中，用于形成金属氧化物材料的方法包括：将基板定位在处理腔室内，其中基板具有钝化与未钝化表面，将基板暴露于第一金属醇盐前驱物以将第一金属氧化物层选择性沉积在未钝化表面之上或上面，以及将基板暴露于第二金属醇盐前驱物以将第二金属氧化物层选择性沉积在第一金属氧化物层上。该方法也包括依序地重复将基板暴露于第一与第二金属醇盐前驱物以产生含有第一与第二金属氧化物层的交替层的积层膜。第一与第二金属醇盐前驱物各自含有选自钛、锆、铪、铝或镧的不同种类的金属。
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公开(公告)号：CN115244469A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202180019576.0
申请日：2021-02-03
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 戴辉雄 , 芒格什·阿肖克·邦阿 , 斯里尼瓦斯·D·内曼尼 , 克里斯托弗·S·恩盖 , 怡利·Y·叶
IPC: G03F7/38 , H01L21/027 , H01L21/311 , H01L21/3213
Abstract: 一种用于在光刻处理期间增强焦深处理窗的方法包括在设置在基板上的材料层上施加包括光酸产生剂的光刻胶层，在光刻曝光处理中，使未受光掩模保护的光刻胶层的第一部分暴露于光辐射，在曝光后烘烤处理中向光刻胶层提供热能，在实行曝光后烘烤处理的同时，施加电场或磁场，和在向光刻胶层提供热能的同时，动态地改变所产生的电场的频率。
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公开(公告)号：CN114975176A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210470647.5
申请日：2017-03-24
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 梁奇伟 , 阿迪卜·汗 , 托宾·卡芙曼·奥斯本 , 斯里尼瓦斯·D·内曼尼 , 卢多维克·戈代
IPC: H01L21/67 , C23C16/44 , C23C16/448 , C23C16/455
Abstract: 本文所述的实施方案涉及用于自组装单层(self‑assembled monolayer,SAM)沉积的设备和方法。本文所述的设备包括处理腔室，具有流体耦合到处理腔室上的各种气相输送设备。SAM前驱物可经由经加热以将前驱物维持在气相中的各种设备而输送到腔室的处理容积。在一个实施方案中，经构造以用于输送SAM前驱物的第一安瓿或蒸发器可流体耦接到处理腔室的处理容积。经构造以输送与SAM前驱物不同的材料的第二安瓿或蒸发器也可流体耦接到处理腔室的处理容积。
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公开(公告)号：CN114514468A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202080065502.6
申请日：2020-07-31
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 戴辉雄 , 芒格什·阿肖克·邦阿 , 平克什·罗希特·沙阿 , 斯里尼瓦斯·D·内曼尼 , 史蒂文·希隆·韦尔奇 , 克里斯托弗·小·唯格·恩盖 , 怡利·Y·叶
Abstract: 本公开内容的实施方式涉及光刻模拟和光学邻近校正。场引导曝光后烘烤工艺使得能够改善光刻性能，并且这样的工艺的各种参数包括于根据本文所述的实施方式产生的光学邻近校正模型中。光学邻近校正模型包括以下一个或多个参数：各向异性酸蚀刻特性、离子产生和/或运动特性、电子运动特性、空穴运动特性和化学反应特性。
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公开(公告)号：CN114080661A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202080048224.3
申请日：2020-06-19
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 形成集成电路结构的方法与设备，包括：输送工艺气体至工艺腔室的工艺空间；将低频RF功率施加到设置在工艺空间中由高二次电子发射系数材料形成的电极；在工艺空间中产生包含离子的等离子体；用离子轰击电极，以引起电极发射电子并且形成电子束；和使介电材料与电子束接触以固化介电材料，其中介电材料是可流动化学气相沉积产物。在实施方式中，固化通过降低介电材料的氧含量和增加介电材料的氮含量来使介电材料稳定。
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公开(公告)号：CN113196452A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN201980083895.0
申请日：2019-10-11
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 戴辉雄 , 芒格什·邦阿 , 克里斯托弗·S·恩盖 , 斯里尼瓦斯·D·内曼尼 , 怡利·Y·叶 , 史蒂文·希隆·韦尔奇
IPC: H01L21/027 , H01L21/02 , G03F7/20 , H01L21/768
Abstract: 本文提供了用于最小化藉由光刻法所形成的线中的线缘/线宽粗糙度的方法和设备。在一个实例中，一种处理基板的方法包括以下步骤：将包括光酸产生剂的光刻胶层施加到设置在基板上的多层上，其中所述多层包括由有机材料、无机材料、或有机材料与无机材料的混合物所形成的下伏层；在光刻曝光工艺中将所述光刻胶层的未被光掩模保护的第一部分暴露于辐射光；和施加电场或磁场以实质上在垂直方向上变更所述光酸产生剂所产生的光酸的移动。
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公开(公告)号：CN112673457A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN201980059660.8
申请日：2019-08-20
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 巴加夫·S·西特拉 , 杰思罗·塔诺斯 , 李景义 , 小道格拉斯·A·布池贝尔格尔 , 华忠强 , 斯里尼瓦斯·D·内曼尼 , 怡利·Y·叶
IPC: H01L21/02 , H01L21/67 , C23C16/455 , H01J37/32 , H05H1/46
Abstract: 本发明的实施方式提供了一种用于使用RF偏压脉冲以及远程等离子体源沉积来沉积介电材料的设备和方法，以用于制造半导体装置，特别是用于在半导体应用中填充具有高深宽比的开口。在一个实施方式中，一种沉积介电材料的方法包括：将气体混合物提供到处理腔室中，处理腔室中设置有基板；在远程等离子体源中形成远程等离子体并将远程等离子体输送到处理腔室中界定的内部处理区域；以脉冲模式将RF偏压功率施加到处理腔室；及在存在气体混合物和远程等离子体的情况下，在设置在基板上的材料层中界定的开口中形成介电材料。
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公开(公告)号：CN112154534A
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN201980034219.4
申请日：2019-04-29
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 苏坦·马立克 , 斯里尼瓦斯·D·内曼尼 , 梁奇伟 , 阿迪卜·汗 , 马克西米利安·克莱蒙斯
IPC: H01L21/02 , C23C16/455 , H01L21/67 , H01L21/683 , H01L21/324 , H01L21/56
Abstract: 本文的系统和方法的实施方式涉及经由ALD或CVD在处理腔室的多个内部部件上原位形成保护膜。涂布有保护膜的内部部件包括腔室侧壁、腔室底部、基板支撑基座、喷头、和腔室顶部。保护膜可为具有包括非晶Si、碳硅烷、多晶硅、SiC、SiN、SiO2、Al2O3、AlON、HfO2、或Ni3Al的各种组成物，且在厚度上可从约80nm至约250nm变化。
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公开(公告)号：CN110349838A
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201910276157.X
申请日：2019-04-08
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 任·何 , 马克西米利安·克莱蒙斯 , 石美仪 , 于敏锐 , 本切基·梅巴基 , 梅裕尔·B·奈克 , 殷正操 , 斯里尼瓦斯·D·内曼尼
IPC: H01L21/02
Abstract: 本文中描述用于使用物理气相沉积(PVD)工艺和退火工艺中的一种或物理气相沉积工艺和退火工艺的组合形成低电阻率的金属硅化物互连的方法。在一个实施方式中，一种形成多个导线互连的方法包含使溅射气体流入处理腔室的处理空间中，向设置在所述处理空间中的靶施加功率，在靠近所述靶的溅射表面的区域中形成等离子体，和在基板的表面上沉积金属和硅层。本文中，所述第一靶包括金属硅合金，并且所述第一靶的溅射表面相对于基板的表面成在约10°与约50°之间的角度。
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公开(公告)号：CN109417042A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201780025455.0
申请日：2017-03-24
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 梁奇伟 , 阿迪卜·汗 , 托宾·卡芙曼·奥斯本 , 斯里尼瓦斯·D·内曼尼 , 卢多维克·戈代
Abstract: 本文所述的实施方案涉及用于自组装单层(self-assembled monolayer,SAM)沉积的设备和方法。本文所述的设备包括处理腔室，具有流体耦合到处理腔室上的各种气相输送设备。SAM前驱物可经由经加热以将前驱物维持在气相中的各种设备而输送到腔室的处理容积。在一个实施方案中，经构造以用于输送SAM前驱物的第一安瓿或蒸发器可流体耦接到处理腔室的处理容积。经构造以输送与SAM前驱物不同的材料的第二安瓿或蒸发器也可流体耦接到处理腔室的处理容积。
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