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公开(公告)号:CN119054068A
公开(公告)日:2024-11-29
申请号:CN202380034945.2
申请日:2023-03-30
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/768 , C23C16/02 , C23C16/04 , C23C16/06 , H01L21/67
Abstract: 提供了一种用于半导体器件中的间隙填充的方法和装置。该方法包括在基板的暴露的顶表面上形成金属种晶层,其中基板具有形成在基板的顶表面中的沟槽或通孔形式的特征,该特征具有侧壁和在侧壁之间延伸的底表面。执行梯度氧化处理以氧化金属种晶层的暴露部分以形成金属氧化物,其中梯度氧化处理优先氧化特征的底表面上方的基板的场区域。回蚀处理去除种晶层的氧化部分。第二蚀刻处理去除种晶层的其他部分。金属间隙填充处理用间隙填充材料填充或部分地填充特征。
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公开(公告)号:CN107078036B
公开(公告)日:2021-03-30
申请号:CN201580058667.X
申请日:2015-11-05
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/285 , H01L21/768 , C23C16/04 , C23C16/06 , H01L23/532
Abstract: 在此提供用以选择性地沉积钴层的方法。在一些实施方式中,一种用以选择性地沉积钴层的方法包括以下步骤:暴露基板于第一工艺气体以钝化暴露的电介质表面,其中该基板包含电介质层与金属层,该电介质层具有暴露的电介质表面,该金属层具有暴露的金属表面;以及使用热沉积工艺来选择性地沉积钴层于该暴露的金属表面上。
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公开(公告)号:CN106663614A
公开(公告)日:2017-05-10
申请号:CN201580043803.8
申请日:2015-08-26
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/285 , H01L21/768 , H01L21/02 , H01L21/3105 , H01L21/321
Abstract: 一种选择性沉积方法,其相对于电介质表面来将金属选择性地沉积在金属表面。所述方法包括下述步骤:将金属氧化物表面还原成金属表面;和保护电介质表面以最小化所述电介质表面上的沉积。
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公开(公告)号:CN308962345S
公开(公告)日:2024-11-22
申请号:CN202330664597.X
申请日:2022-07-11
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 1.本外观设计产品的名称:用于基板处理腔室的基板支撑件。
2.本外观设计产品的用途:本外观设计产品用作用于基板处理腔室的支撑件,例如在微电子器件和薄膜制造中使用的用于基板处理腔室的支撑件。
3.本外观设计产品的设计要点:在于形状。
4.最能表明设计要点的图片或照片:立体图。
5.其他需要说明的情形其他说明:视图中的虚线代表不要求保护的环境,并且不构成所要求保护的设计的部分。-
公开(公告)号:CN308638578S
公开(公告)日:2024-05-14
申请号:CN202230438294.1
申请日:2022-07-11
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 1.本外观设计产品的名称:基板支撑件的上部。
2.本外观设计产品的用途:用于基板处理腔室的支撑件,例如在微电子器件和薄膜制造中使用的用于基板处理腔室的支撑件。
3.本外观设计产品的设计要点:在于形状。
4.最能表明设计要点的图片或照片:立体图。
5.其他需要说明的情形其他说明:视图中的虚线代表不要求保护的环境,并且不构成所要求保护的设计的部分。
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