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公开(公告)号：CN115233158A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210719169.7
申请日：2022-06-23
Applicant: 安徽工业大学
IPC: C23C14/16 , C23C14/02 , C23C14/06 , C23C14/54 , C23C14/35 , C23C14/50 , C09D5/08 , C09D183/06 , C09D163/00 , C09D7/48 , C09D7/61
Abstract: 本发明属于内燃机零件表面处理技术领域，更具体地，涉及一种内燃机气门杆件表层用复合涂层及其制备方法，气门杆基体的表面由内到外依次包括Ti金属结合层、TiAlN中间支撑层、TiAl‑DLC梯度工作层及耐腐涂层；所述TiAl‑DLC梯度工作层按照成分梯度设计由下至上TiAl元素含量依次减少，使涂层结构从纳米复合过渡到无定形结构；本发明所制备的复合涂层不仅能有效降低其与气门导管之间的摩擦，提高了杆件表面耐磨性；而且复合涂层本身还具有良好的耐蚀性及强抗氧化性，能有效提高气门的耐蚀性及耐高温特性，从而显著提升气门零件的使用寿命。
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公开(公告)号：CN113463041B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202110746031.1
申请日：2021-07-01
Applicant: 安徽工业大学
IPC: C23C14/32
Abstract: 本发明公开了一种电弧阴极磁过滤镀膜装置，属于真空镀膜技术领域，包括真空腔室、挡板组件、工件转架、两个电弧阴极组、四个第二真空室、两个第一真空室、第一线圈组、第二线圈组、第三线圈组；所述工件转架、所述挡板组件均设置在所述真空腔室的内部，所述挡板组件与真空腔室活动连接并接地。本发明将过滤系统放大，使等离子体局部横穿真空室的特点，则镀膜的区域就被放大了，同时通过接地的大型挡板，能够有效地阻断等离子体从真空腔室一侧向另一侧的传输，进而阻挡等离子体穿越工件转架区域后直接到达另一端电弧阴极位置，能使大型的工件转架浸入等离子体中，进而完成大面积地均匀沉积。
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公开(公告)号：CN113201719A
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN202110425912.3
申请日：2021-04-20
Applicant: 安徽工业大学
Abstract: 本发明涉及涂层技术领域，具体涉及一种利用调制高功率脉冲磁控溅射制得的AlCrBN硬质涂层及其制备方法，抽真空、基体除气、基体清洗和在基体上溅射沉积AlCrBN硬质涂层，其特点在于，在基体上溅射AlCrBN硬质涂层的工艺参数如下：调制高功率脉冲电源的放电电压300～600V，频率100～300Hz，峰值电流100～300A，峰值电压400～800V；靶材的成分为：两个AlCr合金圆靶(原子比70/30，纯度99.97％)，两个AlCrB合金圆靶(原子比63/27/10，纯度99.95％)；氮气流量为100～300sccm；基体负偏压：50～200V。与传统电弧离子镀技术相比，该方法制备的AlCrBN涂层具有表面光滑、组织致密、力学性能优异等优点，具有良好应用前景的。
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公开(公告)号：CN114990498B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202210602274.2
申请日：2022-05-30
Applicant: 安徽工业大学
Abstract: 本发明涉及真空镀膜技术领域，具体涉及一种多级触发脉冲电弧源装置，包括石墨阴极、阴极安装柱、绝缘套筒、触发放电阳极环、一级点火电极、二级点火电极，沿面击穿陶瓷、二级点火电极支撑座、绝缘套筒、二级点火电极引线柱、二级点火电源、一级点火电源、脉冲电弧电源、一级点火电极引线柱、一级点火电极触针、一级点火级固定筒、阳极环固定装置、脉冲电弧源阳极和真空室法兰；本发明采用逐级放大的方式，完成脉冲电弧的放电，完成靶材材料的蒸发，具有高真空条件下电弧放电、脉冲电弧放电瞬时电流大、膜层沉积效率高、靶材利用率高的技术特点。
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公开(公告)号：CN116607105A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310607158.4
申请日：2023-05-26
Applicant: 安徽工业大学
Abstract: 本发明涉及表面工程技术领域，具体涉及一种复合材料表面磁控溅射镀铜前等离子体表面改性方法，包括如下步骤：步骤一：材料准备：复合材料；步骤二：样品化学清洗；步骤三：射频等离子体表面活化或高压条形离子源表面活化；步骤五：直流磁控溅射技术铜膜的制备，得到处理后的复合材料，经本发明方法处理后的复合材料不仅对表面进行了清洗、刻蚀，同时增加复合材料表面的粗糙度，提高了复合材料的表面能，改善其表面性能，进而提高了基底与铜膜的结合强度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114990498A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210602274.2
申请日：2022-05-30
Applicant: 安徽工业大学
Abstract: 本发明涉及真空镀膜技术领域，具体涉及一种多级触发脉冲电弧源装置，包括石墨阴极、阴极安装柱、绝缘套筒、触发放电阳极环、一级点火电极、二级点火电极，沿面击穿陶瓷、二级点火电极支撑座、绝缘套筒、二级点火电极引线柱、二级点火电源、一级点火电源、脉冲电弧电源、一级点火电极引线柱、一级点火电极触针、一级点火级固定筒、阳极环固定装置、脉冲电弧源阳极和真空室法兰；本发明采用逐级放大的方式，完成脉冲电弧的放电，完成靶材材料的蒸发，具有高真空条件下电弧放电、脉冲电弧放电瞬时电流大、膜层沉积效率高、靶材利用率高的技术特点。
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公开(公告)号：CN114182212A
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202111394101.8
申请日：2021-11-23
Applicant: 安徽工业大学
IPC: C23C14/32 , C23C14/35 , C23C16/452
Abstract: 本发明涉及气相沉积技术领域，具体涉及一种使用真空紫外光提高气相沉积过程离化率的方法，使用真空紫外光对气相沉积过程中的气相粒子(或固相靶材表面的原子)进行光电电离，从而提高气相/固相粒子离化率，这种使用真空紫外光提高气相沉积过程离化率的方法，通过控制真空紫外光源的输出功率，可以实现对其照射区域内的气相沉积粒子的离化率提高幅度进行有效控制；选用通过控制真空紫外光源的输出功率密度，可以实现对单位体积内的气相沉积粒子的离化率提高幅度进行有效控制。
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公开(公告)号：CN114164417A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202111394143.1
申请日：2021-11-23
Applicant: 安徽工业大学
Abstract: 本发明涉及气相沉积技术领域，具体涉及一种使用真空紫外光实现气相沉积中不同粒子可控离化的方法，使用真空紫外光对气相沉积过程中的气相粒子(或固相靶材表面的原子)进行光电电离，从而针对不同种类的粒子，设计不同的离化率调控方案，实现薄膜显微组织结构、化学成分等的针对性精准调控，进一步显著的优化多层结构、梯度结构、纳米复合结构等气相沉积薄膜的性能/功能，如：机械性能、力学性能、摩擦学性能、光学性能、电学性能、磁学性能、介电性能、半导体带隙及特性等各类性能/功能，因此具有不可替代的重要意义。
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公开(公告)号：CN113463056A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110746018.6
申请日：2021-07-01
Applicant: 安徽工业大学
IPC: C23C14/50
Abstract: 本发明公开了一种真空镀膜无遮挡样品翻转装置，属于真空镀膜技术领域，包括上下对称的上部与下部，所述上部与下部均包括样品置物台、样品固定底座、伸缩杆组件、伸缩杆限位筒、伸缩杆驱动组件、旋转座、底座驱动组件、支撑限位组件，所述样品置物台设置在所述样品固定底座上，由所述样品固定底座对其卡紧或放松，所述样品固定底座与所述伸缩杆组件的一端连接，另一端设置在所述伸缩杆限位筒内部，所述伸缩杆限位筒与所述旋转座连接，所述伸缩杆驱动组件驱动所述伸缩杆组件实现伸缩。本发明在样品翻转过程中，并未采用任何夹具的形式，而是通过装置上下两部分互相压紧，然后再完成样品的翻转，不会对样品表面造成任何遮挡。
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公开(公告)号：CN113463041A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110746031.1
申请日：2021-07-01
Applicant: 安徽工业大学
IPC: C23C14/32
Abstract: 本发明公开了一种电弧阴极磁过滤镀膜装置，属于真空镀膜技术领域，包括真空腔室、挡板组件、工件转架、两个电弧阴极组、四个第二真空室、两个第一真空室、第一线圈组、第二线圈组、第三线圈组；所述工件转架、所述挡板组件均设置在所述真空腔室的内部，所述挡板组件与真空腔室活动连接并接地。本发明将过滤系统放大，使等离子体局部横穿真空室的特点，则镀膜的区域就被放大了，同时通过接地的大型挡板，能够有效地阻断等离子体从真空腔室一侧向另一侧的传输，进而阻挡等离子体穿越工件转架区域后直接到达另一端电弧阴极位置，能使大型的工件转架浸入等离子体中，进而完成大面积地均匀沉积。
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