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公开(公告)号：CN113463056A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110746018.6
申请日：2021-07-01
Applicant: 安徽工业大学
IPC: C23C14/50
Abstract: 本发明公开了一种真空镀膜无遮挡样品翻转装置，属于真空镀膜技术领域，包括上下对称的上部与下部，所述上部与下部均包括样品置物台、样品固定底座、伸缩杆组件、伸缩杆限位筒、伸缩杆驱动组件、旋转座、底座驱动组件、支撑限位组件，所述样品置物台设置在所述样品固定底座上，由所述样品固定底座对其卡紧或放松，所述样品固定底座与所述伸缩杆组件的一端连接，另一端设置在所述伸缩杆限位筒内部，所述伸缩杆限位筒与所述旋转座连接，所述伸缩杆驱动组件驱动所述伸缩杆组件实现伸缩。本发明在样品翻转过程中，并未采用任何夹具的形式，而是通过装置上下两部分互相压紧，然后再完成样品的翻转，不会对样品表面造成任何遮挡。
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公开(公告)号：CN113463041A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110746031.1
申请日：2021-07-01
Applicant: 安徽工业大学
IPC: C23C14/32
Abstract: 本发明公开了一种电弧阴极磁过滤镀膜装置，属于真空镀膜技术领域，包括真空腔室、挡板组件、工件转架、两个电弧阴极组、四个第二真空室、两个第一真空室、第一线圈组、第二线圈组、第三线圈组；所述工件转架、所述挡板组件均设置在所述真空腔室的内部，所述挡板组件与真空腔室活动连接并接地。本发明将过滤系统放大，使等离子体局部横穿真空室的特点，则镀膜的区域就被放大了，同时通过接地的大型挡板，能够有效地阻断等离子体从真空腔室一侧向另一侧的传输，进而阻挡等离子体穿越工件转架区域后直接到达另一端电弧阴极位置，能使大型的工件转架浸入等离子体中，进而完成大面积地均匀沉积。
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公开(公告)号：CN113463041B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202110746031.1
申请日：2021-07-01
Applicant: 安徽工业大学
IPC: C23C14/32
Abstract: 本发明公开了一种电弧阴极磁过滤镀膜装置，属于真空镀膜技术领域，包括真空腔室、挡板组件、工件转架、两个电弧阴极组、四个第二真空室、两个第一真空室、第一线圈组、第二线圈组、第三线圈组；所述工件转架、所述挡板组件均设置在所述真空腔室的内部，所述挡板组件与真空腔室活动连接并接地。本发明将过滤系统放大，使等离子体局部横穿真空室的特点，则镀膜的区域就被放大了，同时通过接地的大型挡板，能够有效地阻断等离子体从真空腔室一侧向另一侧的传输，进而阻挡等离子体穿越工件转架区域后直接到达另一端电弧阴极位置，能使大型的工件转架浸入等离子体中，进而完成大面积地均匀沉积。
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公开(公告)号：CN113201719A
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN202110425912.3
申请日：2021-04-20
Applicant: 安徽工业大学
Abstract: 本发明涉及涂层技术领域，具体涉及一种利用调制高功率脉冲磁控溅射制得的AlCrBN硬质涂层及其制备方法，抽真空、基体除气、基体清洗和在基体上溅射沉积AlCrBN硬质涂层，其特点在于，在基体上溅射AlCrBN硬质涂层的工艺参数如下：调制高功率脉冲电源的放电电压300～600V，频率100～300Hz，峰值电流100～300A，峰值电压400～800V；靶材的成分为：两个AlCr合金圆靶(原子比70/30，纯度99.97％)，两个AlCrB合金圆靶(原子比63/27/10，纯度99.95％)；氮气流量为100～300sccm；基体负偏压：50～200V。与传统电弧离子镀技术相比，该方法制备的AlCrBN涂层具有表面光滑、组织致密、力学性能优异等优点，具有良好应用前景的。
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公开(公告)号：CN113463056B
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202110746018.6
申请日：2021-07-01
Applicant: 安徽工业大学
IPC: C23C14/50
Abstract: 本发明公开了一种真空镀膜无遮挡样品翻转装置，属于真空镀膜技术领域，包括上下对称的上部与下部，所述上部与下部均包括样品置物台、样品固定底座、伸缩杆组件、伸缩杆限位筒、伸缩杆驱动组件、旋转座、底座驱动组件、支撑限位组件，所述样品置物台设置在所述样品固定底座上，由所述样品固定底座对其卡紧或放松，所述样品固定底座与所述伸缩杆组件的一端连接，另一端设置在所述伸缩杆限位筒内部，所述伸缩杆限位筒与所述旋转座连接，所述伸缩杆驱动组件驱动所述伸缩杆组件实现伸缩。本发明在样品翻转过程中，并未采用任何夹具的形式，而是通过装置上下两部分互相压紧，然后再完成样品的翻转，不会对样品表面造成任何遮挡。
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