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公开(公告)号：CN107367288A
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201710624004.0
申请日：2017-07-27
Applicant: 宁波中车时代传感技术有限公司
CPC classification number: G01D5/12 , C23C16/402
Abstract: 本发明涉及一种微型磁通门传感器制备方法，选取两个高阻硅片，分别在两个高阻硅片上进行刻蚀，以使得两个高阻硅片键合后能够形成用于放置磁芯的磁芯腔、多个围绕在磁芯腔外周的螺线管腔以及与螺线管腔相连通的电极窗口。在螺线管腔内填充线圈材料，从而在螺线管腔内形成螺线管线圈。自磁芯腔中部的位置切割键合后的两个高阻硅片，使得磁芯腔一侧开口，自开口处将磁芯插入磁芯腔内，使用填充材料密封固定开口，从而完成微型磁通门传感器的制备。本发明中的微型磁通门传感器制备方法，螺线管线圈制作工艺简单，避免了使用微电镀工艺，降低了对环境的污染，缩减了成本。磁芯的设置方式，避免了对磁芯软磁性能的损害作用，提高磁芯的性能。
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公开(公告)号：CN118858737B
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411349801.9
申请日：2024-09-26
Applicant: 宁波中车时代传感技术有限公司
Abstract: 一种异形母排电流传感器及其电流测试方法，包括母排本体、内凹切口槽以及差分磁敏感芯片，内凹切口槽包括第一内切口和第二内切口，第二内切口沿母排本体的宽度方向对母排本体做减薄处理。本发明在内凹切口槽形成与磁敏感芯片相对应的阶梯结构，可以适应母排本体电流流通时电流分布高低频不同所产生的影响，解决带宽减少的问题，本发明还具有较好的通流能力和较小的位置误差，以增强电流检测的效果。
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公开(公告)号：CN119110671A
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202411569966.7
申请日：2024-11-06
Applicant: 宁波中车时代传感技术有限公司
Abstract: 一种化合物霍尔集成芯片及其制备方法，其中制备方法为在器件制造工序完成后的硅基信号调理芯片的晶圆表面通过黄光和蚀刻形成凹槽，在凹槽内分别沉积介质薄膜和有机粘接胶，然后将化合物霍尔元件装配至凹槽的内部，再使用介质层填充凹槽，最后利用CONTACT、VIA、互连线实现化合物霍尔元件与硅基信号调理芯片的调理电路之间的信号连接，最终得到化合物霍尔集成芯片。本发明通过异质集成将化合物霍尔元件和硅基信号调理芯片集合在一起形成一个单独的化合物霍尔集成芯片，相比于单芯片硅基霍尔来说具有灵敏度和温漂特性等性能优势。
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公开(公告)号：CN118434265A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410890900.1
申请日：2024-07-04
Applicant: 宁波中车时代传感技术有限公司
Abstract: 一种单芯片集成3D霍尔器件及制备方法，其中单芯片集成3D霍尔器件设置有：STI隔离槽、第一P型埋层、第二P型埋层、N型电极、氧化层、第三P型阱和金属层。该单芯片集成3D霍尔器件包括有4个第一N型电极和1个第二N型电极，其中4个第一N型电极中在检测垂直磁场时互相垂直的电极互为偏置电极和霍尔电压检测电极，在检测水平磁场时4个第一N型电极代表X或Y方向电流，当有垂直于电流方向的平行磁场穿过时，沿另一个垂直方向会产生感应电势，集中在第二N型电极，从而检测到Y或X方向磁场感应产生的霍尔电压。该器件在P型硅晶圆衬底中形成，其霍尔有源功能区的最大尺寸仅在30μm～50μm范围内，因此其尺寸非常小。
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公开(公告)号：CN117133743B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311386811.5
申请日：2023-10-25
Applicant: 宁波中车时代传感技术有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L23/495 , H10N52/80
Abstract: 本发明公开了一种减弱涡流效应的焊盘、引线框架及传感器封装结构，应用于半导体制备领域，该焊盘包括：第一焊盘部件和第二焊盘部件，第一焊盘部件和第二焊盘部件设置在芯片放置区域的相邻的两侧，且第一焊盘部件和第二焊盘部件导连，以使第一焊盘部件和第二焊盘部件，对芯片放置区域在相邻的两侧形成包围。本发明中通过将焊盘设置为沿芯片相邻的两侧布置，能够进一步减少金属框架内形成闭合涡流回路，削弱反向磁场的影响，进而提高传感器检测的灵敏度以及检测精度，同时通过减少金属焊盘的面积，在封装芯片时提高芯片与塑封体的接触面积，进而降低结构产生的应力，避免产生分层现象，提高了结构的稳固性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116314059B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310465497.3
申请日：2023-04-27
Applicant: 宁波中车时代传感技术有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/495 , G01R19/00
Abstract: 本发明公开了一种封装芯片及电流传感器，应用于芯片封装领域，该封装芯片包括：衬底、与衬底相同材质的保护层和在衬底一侧表面制备的有源区，有源区背向衬底的一侧，与保护层键合连接，保护层与衬底之间，在有源区侧面形成有隔离结构。本发明通过在衬底上制备的有源区，背向衬底的一侧连接保护层，并在保护层与衬底之间，有源区侧面形成有隔离结构，能够形成对有源区的绝缘隔离，当将形成的芯片结构连接到其他组件上时，无论是采用芯片引线键合或者是倒装焊焊接等方式，在芯片正面或背面都无需额外引入绝缘材料，通过有源区背向衬底的一侧与保护层键合连接，能够减少异种材料使用，提高绝缘性能的同时，提高了器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN116193972B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310465535.5
申请日：2023-04-27
Applicant: 宁波中车时代传感技术有限公司
Abstract: 本发明公开了一种传感器制备方法及结构，应用于传感器一体化封装领域，包括：对专用集成电路进行晶圆级封装，对功能传感器部件单独进行晶圆级封装，选取满足预设条件的完成晶圆级封装的专用集成电路和功能传感器部件，分别作为待连接专用集成电路和待连接功能传感器部件，将待连接专用集成电路与电路板导电连接，将待连接专用集成电路，与待连接功能传感器部件进行导电连接，完成传感器制备。本发明通过先对传感器中各个传感器部件以及专用集成电路，单独进行晶圆级封装，得到封装好的专用集成电路和功能传感器部件，各个晶圆级封装部件可作为独立的模块，提高产品装配的灵活性，同时能够避免单独器件的损坏影响整个传感器，进而提高产品良率。
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公开(公告)号：CN116193972A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202310465535.5
申请日：2023-04-27
Applicant: 宁波中车时代传感技术有限公司
Abstract: 本发明公开了一种传感器制备方法及结构，应用于传感器一体化封装领域，包括：对专用集成电路进行晶圆级封装，对功能传感器部件单独进行晶圆级封装，选取满足预设条件的完成晶圆级封装的专用集成电路和功能传感器部件，分别作为待连接专用集成电路和待连接功能传感器部件，将待连接专用集成电路与电路板导电连接，将待连接专用集成电路，与待连接功能传感器部件进行导电连接，完成传感器制备。本发明通过先对传感器中各个传感器部件以及专用集成电路，单独进行晶圆级封装，得到封装好的专用集成电路和功能传感器部件，各个晶圆级封装部件可作为独立的模块，提高产品装配的灵活性，同时能够避免单独器件的损坏影响整个传感器，进而提高产品良率。
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公开(公告)号：CN115663774A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211362334.4
申请日：2022-11-02
Applicant: 宁波中车时代传感技术有限公司
IPC: H02H9/04
Abstract: 本申请公开了一种ESD保护电路、电子设备，应用于电路领域。本申请所提供的一种ESD保护电路，包括：带动态检测功能的ESD电源钳位电路；而带动态检测功能的ESD电源钳位电路包括：放电通路、电源动态检测RC时间常数控制电路；放电通路与ESD保护电路的电源以及地相连，放电通路导通时，ESD保护电路的电源以及地导通；电源动态检测RC时间常数控制电路与放电通路相连，用于在ESD保护电路的电压在电源电压以及地的电压之间时，控制放电通路导通。本申请在已有的ESD电路集成上，增加一个带动态检测功能的ESD电源钳位电路设计，提升芯片的ESD保护电路的防护等级以及增强芯片抗EOS能力。
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公开(公告)号：CN113703512A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202111281765.3
申请日：2021-11-01
Applicant: 宁波中车时代传感技术有限公司
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明提供了一种霍尔传感器温度补偿电路及其补偿方法，属于传感器技术领域，包括霍尔传感模块，根据外部磁场和电流产生模拟电压信号；模拟补偿模块，与霍尔传感模块相连接，用于对产生的模拟电压信号进行模拟补偿；数字补偿模块，包括补偿计算单元，补偿计算单元根据外界环境温度信息获得补偿码字，进而由补偿码字对模拟补偿过程进行增益补偿，并对模数转换过程进行漂移补偿。本发明采用数字和模拟补偿相结合的方式进行温度补偿，对工艺依赖性低，使得霍尔传感器的精度更高，电路一致性更好，所需存储空间小，输出信号的响应速度更快，且补偿范围更大，便于设计实现以及客户应用。
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