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公开(公告)号：CN116153898B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310437436.6
申请日：2023-04-23
Applicant: 宁波中车时代传感技术有限公司
IPC: H01L23/495 , H10N52/80
Abstract: 本发明公开了一种用于封装的引线框架结构及传感器封装结构，应用于传感器制备领域，该引线框架结构包括：焊盘部件和多个引脚部件，焊盘部件在与多个引脚部件形成共面的平面方向，形成向内的凹陷。在平面方向，焊盘部件在凹陷内轮廓和凹陷外轮廓对位形成抵消应力的弧形封装界面。本发明通过将焊盘部件在平面方向形成向内的凹陷，并在凹陷内轮廓和凹陷外轮廓对位封装界面设计成能够抵消内外应力的弧形结构，使封装好的塑封体与框架接触的内部界面和外部界面处形成大小相等、方向相反的应力，彼此之间通过将应力互相抵消，能够使得整体封装结构在温度变化环境下处于力平衡阶段，不易发生界面分层或结构形变，提高产品的稳定性。
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公开(公告)号：CN116153898A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202310437436.6
申请日：2023-04-23
Applicant: 宁波中车时代传感技术有限公司
IPC: H01L23/495 , H10N52/80
Abstract: 本发明公开了一种用于封装的引线框架结构及传感器封装结构，应用于传感器制备领域，该引线框架结构包括：焊盘部件和多个引脚部件，焊盘部件在与多个引脚部件形成共面的平面方向，形成向内的凹陷。在平面方向，焊盘部件在凹陷内轮廓和凹陷外轮廓对位形成抵消应力的弧形封装界面。本发明通过将焊盘部件在平面方向形成向内的凹陷，并在凹陷内轮廓和凹陷外轮廓对位封装界面设计成能够抵消内外应力的弧形结构，使封装好的塑封体与框架接触的内部界面和外部界面处形成大小相等、方向相反的应力，彼此之间通过将应力互相抵消，能够使得整体封装结构在温度变化环境下处于力平衡阶段，不易发生界面分层或结构形变，提高产品的稳定性。
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公开(公告)号：CN119110671A
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202411569966.7
申请日：2024-11-06
Applicant: 宁波中车时代传感技术有限公司
Abstract: 一种化合物霍尔集成芯片及其制备方法，其中制备方法为在器件制造工序完成后的硅基信号调理芯片的晶圆表面通过黄光和蚀刻形成凹槽，在凹槽内分别沉积介质薄膜和有机粘接胶，然后将化合物霍尔元件装配至凹槽的内部，再使用介质层填充凹槽，最后利用CONTACT、VIA、互连线实现化合物霍尔元件与硅基信号调理芯片的调理电路之间的信号连接，最终得到化合物霍尔集成芯片。本发明通过异质集成将化合物霍尔元件和硅基信号调理芯片集合在一起形成一个单独的化合物霍尔集成芯片，相比于单芯片硅基霍尔来说具有灵敏度和温漂特性等性能优势。
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公开(公告)号：CN118688488A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202411161963.X
申请日：2024-08-23
Applicant: 宁波中车时代传感技术有限公司
Abstract: 本发明公开了一种电流传感芯片的制作方法，涉及电流传感器的领域，所述制作方法包括：S1、配置母排框架、磁敏感元件和磁芯，所述母排的相对两侧分别具有第一安装槽和第二安装槽；相邻两个所述母排之间的两个所述连筋之间形成第一定位孔；磁敏感元件依次布置于纸编带上，所述纸编带上具有第二定位孔；S2、所述第一定位孔、所述第二定位孔分别与工装进行定位配合；磁芯插入第一安装槽中；S3、安装塑封模具，所述塑封模具包括模盒，模盒围合于所述电流传感芯片外，所述模盒的浇口位于所述磁芯远离所述第一安装槽底壁的一侧；S4、对所述电流传感芯片进行注胶塑封。本发明具有磁芯及磁敏感元件定位方便精确，减少封装前步骤，提升生产效率的优点。
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公开(公告)号：CN118434265A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410890900.1
申请日：2024-07-04
Applicant: 宁波中车时代传感技术有限公司
Abstract: 一种单芯片集成3D霍尔器件及制备方法，其中单芯片集成3D霍尔器件设置有：STI隔离槽、第一P型埋层、第二P型埋层、N型电极、氧化层、第三P型阱和金属层。该单芯片集成3D霍尔器件包括有4个第一N型电极和1个第二N型电极，其中4个第一N型电极中在检测垂直磁场时互相垂直的电极互为偏置电极和霍尔电压检测电极，在检测水平磁场时4个第一N型电极代表X或Y方向电流，当有垂直于电流方向的平行磁场穿过时，沿另一个垂直方向会产生感应电势，集中在第二N型电极，从而检测到Y或X方向磁场感应产生的霍尔电压。该器件在P型硅晶圆衬底中形成，其霍尔有源功能区的最大尺寸仅在30μm～50μm范围内，因此其尺寸非常小。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117133743B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311386811.5
申请日：2023-10-25
Applicant: 宁波中车时代传感技术有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L23/495 , H10N52/80
Abstract: 本发明公开了一种减弱涡流效应的焊盘、引线框架及传感器封装结构，应用于半导体制备领域，该焊盘包括：第一焊盘部件和第二焊盘部件，第一焊盘部件和第二焊盘部件设置在芯片放置区域的相邻的两侧，且第一焊盘部件和第二焊盘部件导连，以使第一焊盘部件和第二焊盘部件，对芯片放置区域在相邻的两侧形成包围。本发明中通过将焊盘设置为沿芯片相邻的两侧布置，能够进一步减少金属框架内形成闭合涡流回路，削弱反向磁场的影响，进而提高传感器检测的灵敏度以及检测精度，同时通过减少金属焊盘的面积，在封装芯片时提高芯片与塑封体的接触面积，进而降低结构产生的应力，避免产生分层现象，提高了结构的稳固性。
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公开(公告)号：CN116884942A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202310841945.5
申请日：2023-07-11
Applicant: 宁波中车时代传感技术有限公司
IPC: H01L23/495
Abstract: 本发明公开了一种引线框架单元及多排引线框架,包括:框架本体；架边框，沿所述框架本体的周向设置；所述框架本体沿框架边框的长度方向布置若干芯片；流道，设置于所述框架边框；用于引线框架单元的注塑成型工序，同时采用多段流道设计，有效减少框架边框与注塑成形的粘接面积；中筋，设置于相邻芯片中间以避免芯片引脚变形；边筋，设置芯片与框架边框之间以避免芯片引脚变形。该发明可以满足高端产品、车规级以及工业级的使用需求。
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公开(公告)号：CN116314059B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310465497.3
申请日：2023-04-27
Applicant: 宁波中车时代传感技术有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/495 , G01R19/00
Abstract: 本发明公开了一种封装芯片及电流传感器，应用于芯片封装领域，该封装芯片包括：衬底、与衬底相同材质的保护层和在衬底一侧表面制备的有源区，有源区背向衬底的一侧，与保护层键合连接，保护层与衬底之间，在有源区侧面形成有隔离结构。本发明通过在衬底上制备的有源区，背向衬底的一侧连接保护层，并在保护层与衬底之间，有源区侧面形成有隔离结构，能够形成对有源区的绝缘隔离，当将形成的芯片结构连接到其他组件上时，无论是采用芯片引线键合或者是倒装焊焊接等方式，在芯片正面或背面都无需额外引入绝缘材料，通过有源区背向衬底的一侧与保护层键合连接，能够减少异种材料使用，提高绝缘性能的同时，提高了器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN116193972B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310465535.5
申请日：2023-04-27
Applicant: 宁波中车时代传感技术有限公司
Abstract: 本发明公开了一种传感器制备方法及结构，应用于传感器一体化封装领域，包括：对专用集成电路进行晶圆级封装，对功能传感器部件单独进行晶圆级封装，选取满足预设条件的完成晶圆级封装的专用集成电路和功能传感器部件，分别作为待连接专用集成电路和待连接功能传感器部件，将待连接专用集成电路与电路板导电连接，将待连接专用集成电路，与待连接功能传感器部件进行导电连接，完成传感器制备。本发明通过先对传感器中各个传感器部件以及专用集成电路，单独进行晶圆级封装，得到封装好的专用集成电路和功能传感器部件，各个晶圆级封装部件可作为独立的模块，提高产品装配的灵活性，同时能够避免单独器件的损坏影响整个传感器，进而提高产品良率。
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公开(公告)号：CN116193972A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202310465535.5
申请日：2023-04-27
Applicant: 宁波中车时代传感技术有限公司
Abstract: 本发明公开了一种传感器制备方法及结构，应用于传感器一体化封装领域，包括：对专用集成电路进行晶圆级封装，对功能传感器部件单独进行晶圆级封装，选取满足预设条件的完成晶圆级封装的专用集成电路和功能传感器部件，分别作为待连接专用集成电路和待连接功能传感器部件，将待连接专用集成电路与电路板导电连接，将待连接专用集成电路，与待连接功能传感器部件进行导电连接，完成传感器制备。本发明通过先对传感器中各个传感器部件以及专用集成电路，单独进行晶圆级封装，得到封装好的专用集成电路和功能传感器部件，各个晶圆级封装部件可作为独立的模块，提高产品装配的灵活性，同时能够避免单独器件的损坏影响整个传感器，进而提高产品良率。
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