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公开(公告)号：CN114023646B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202210005520.6
申请日：2022-01-05
Applicant: 季华实验室
IPC: H01L21/335 , H01L29/06 , H01L29/778
Abstract: 本申请涉及半导体器件领域，公开了一种高阻值GaN基HEMT器件及其制备方法，制备方法包括以下步骤：氮化处理；预铺Al；生长AlN缓冲层：依次生长第一AlN缓冲层、第二AlN缓冲层和第三AlN缓冲层；生长AlGaN缓冲层：依次生长第一AlyGa1‑yN缓冲层和第二AlyGa1‑yN缓冲层；生长自掺碳高阻值GaN外延层；生长GaN沟道层；生长AlyGa1‑yN势垒层；生长GaN帽层。本申请通过优化工艺，可以大幅降低AlN缓冲层以及自掺碳高阻值GaN外延层的位错密度，提高晶体质量。
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公开(公告)号：CN118995207A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411184372.4
申请日：2024-08-27
Applicant: 季华实验室
Inventor： 刘自然
Abstract: 本发明公开了一种红色荧光材料及其制备方法和应用，属于无机荧光材料领域，该红色荧光材料的成分化学通式为MAl12O19：Eu2+，Cr3+，其中M为钙、锶或钡；合成步骤包括，将原料研磨混合，置于高温炉中，在碳的还原气氛下烧结，得到白色多晶粉末，为红色荧光材料；原料包括碱土金属源、Al2O3、Cr2O3。本发明通过高温固相法合成了Eu2+,Cr3+共掺杂的碱土金属多铝酸盐红色荧光材料，改善了红色荧光材料的激发性能，通过两种掺杂离子之间的能量转换，能够把原来紫外不能激发的红色荧光材料变得能够通过紫外激发实现发光，即提供了一种更容易激发的红色荧光材料，将红色荧光材料的激发光谱扩展到紫外波段。
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公开(公告)号：CN116516485A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310704429.8
申请日：2023-06-14
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明公开了一种变温度碳化硅外延方法及一种碳化硅外延片，属于半导体工艺领域，方法步骤包括，以第一硅源氢气比、第一碳硅比和第一掺杂浓度在第一温度下生长出第一缓冲层，将反应室温度提高至第二温度短暂刻蚀后，在第二温度下重新通入满足第一硅源氢气比、第一碳硅比的硅源和碳源，并通入具有更低掺杂浓度的掺杂源，生长出第二缓冲层，将反应室温度降回第一温度短暂刻蚀后，以第一温度生长高速外延层。本发明在第二温度形成台阶聚集形貌，阻止三角形缺陷沿 方向的扩展，整个工艺中通过升降温过程中断外延工艺，形成生长界面，通过界面上的碳空位钉扎基平面位错，阻止其延伸进入外延层，提高基平面位错向刃位错的转化效率。
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公开(公告)号：CN116190217A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202310419902.8
申请日：2023-04-19
Applicant: 季华实验室
IPC: H01L21/205 , C30B25/18 , C30B25/16 , C30B29/36
Abstract: 本发明公开了一种有效减少碳化硅外延层三角形缺陷的方法，属于半导体加工领域，步骤包括，以第一硅源流量和第一碳源流量在碳化硅衬底上生长低速低碳硅比缓冲层；保持硅源流量不变，使碳源流量按关于时间的S型曲线增大达到第二碳源流量，期间形成碳硅比过渡层；以第一硅源流量和第二碳源流量生长低速高碳硅比缓冲层；从第一硅源流量增大过渡至第二硅源流量，且同时从第二碳源流量增大过渡至第三碳源流量，期间保持碳硅比不变，形成源流量过渡层；以第二硅源流量和第三碳源流量生长出高速外延层。该方法将碳硅比变化过程和生长速率变化过程分离，并且使碳硅比变化过程的起点和终点附近平滑过渡，有利于减少三角形缺陷。
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公开(公告)号：CN114093990B
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210055643.0
申请日：2022-01-18
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及半导体器件领域，公开了一种紫外LED垂直芯片外延结构及其制备方法，紫外LED垂直芯片外延结构，包括硅衬底以及由下至上依次设置在硅衬底上的预铺Al层、AlN缓冲层、AlyGa1‑yN缓冲层、掺杂Si的N型AlyGa1‑yN电流扩展层、AlyGa1‑yN spacer层、第一掺杂Si的GaN层、应力释放层、第二掺杂Si的GaN层、多量子阱发光层、电子阻挡层、掺杂Mg的P型AlyGa1‑yN电流扩展层、掺杂Mg的P型GaN欧姆接触层；应力释放层和多量子阱发光层均中不掺杂硅。本申请提供的紫外LED垂直芯片外延结构，能够避免因应力释放层和发光层掺Si导致的位错密度增加。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114507900A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202210205878.3
申请日：2022-03-04
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及半导体制造领域，具体而言，涉及一种反应腔内表面保护装置、外延反应监控装置及方法，用于保护外延设备的反应腔的内表面，所述反应腔内表面保护装置包括：石墨纸、第一转轴和第二转轴，所述第一转轴和所述第二转轴分别安装在所述反应腔的进气端和出气端，所述石墨纸两端分别套接在所述第一转轴与所述第二转轴上，所述石墨纸在所述反应腔的内顶部具有水平段，且能在所述第一转轴以及所述第二转轴的转动作用下在所述反应腔的内顶部沿单一方向水平输送，通过在反应腔内表面设置保护装置，石墨纸持续工作带走石墨纸上的结晶，防止结晶掉落在衬底上，且无需对反应腔内表面频繁清洗。
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公开(公告)号：CN119433517A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411599416.X
申请日：2024-11-11
Applicant: 季华实验室
IPC: C23C16/50 , C23C16/455
Abstract: 本发明涉及半导体制造领域，特别是一种用于PECVD固定式自连接及分布式匀气系统结构和方法，其包括下腔体、上腔盖和匀气组件，所述下腔体顶部设有开口，所述下腔体内部设有第一气体通道，所述上腔盖盖设在所述开口处，使得所述上腔盖可开启或关闭所述开口，所述上腔盖内部设有第二气体通道，所述第一气体通道和所述第二气体通道形成特气通路，所述匀气组件设置在所述上腔盖的下方，所述匀气组件的进气端与所述第二气体通道的出气端连接。避免了在移除上腔盖的过程中，频繁拆装特气系统的需求，匀气结构从中间馈入局部分散的方式，转变为整体空间的均匀分布，提高了气体分布的一次均匀性，对整体反应气体空间的气体分布性产生了积极的影响。
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公开(公告)号：CN116791198A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310824886.0
申请日：2023-07-06
Applicant: 季华实验室
IPC: C30B25/16 , C23C16/44 , C30B29/36 , C30B25/12 , C23C16/458
Abstract: 本申请属于清洗碳化硅外延炉的技术领域，公开了一种外延炉清洗方法、装置、电子设备及存储介质，该方法包括：获取外延炉反应室中石墨件在清洗前的碳化硅信息，设置外延炉反应室为真空的清洗环境，调节外延炉反应室中石墨托盘的运动状态为旋转状态，利用氩气和三氟化氯气，基于预设的温度范围和预设的压力范围，结合真空的清洗环境和石墨托盘的旋转状态，对外延炉反应室进行清洗，得到清洗后的碳化硅信息，对比清洗前的碳化硅信息和清洗后的碳化硅信息，确定清洗效果，通过设置真空环境、维持石墨托盘的旋转状态和调节对应的温度及压力，利用氩气和三氟化氯气，对外延炉进行清洗，提高了外延炉清洗的效率。
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公开(公告)号：CN115201057A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210564195.7
申请日：2022-05-23
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及化学气相沉积技术领域，具体提供了一种气体流场均匀性检测系统及方法，其包括：驱动组件；检测盘，其包括承载台、气压传感器和至少一种气体浓度传感器，气压传感器和气体浓度传感器均设置在承载台上，气压传感器用于采集生成气压信息，气体浓度传感器用于采集生成对应的原料气体的浓度信息；控制器，与气压传感器、气体浓度传感器和驱动组件电性连接，用于控制驱动组件间隙性地驱动承载台旋转预设的第一角度，还用于根据气压传感器在不同位置采集生成的气压信息检测混合气体是否均匀，还用于根据气体浓度传感器在不同位置采集生成的浓度信息检测对应的原料气体是否均匀；该系统能够有效地提高外延生长的膜厚均匀性。
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公开(公告)号：CN114464708A
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202210380144.9
申请日：2022-04-12
Applicant: 季华实验室
IPC: H01L31/18 , H01L31/0745
Abstract: 本申请涉及光伏电池技术领域，公开了一种异质结太阳电池及其制备方法，包括以下步骤：以N型单晶硅片为衬底，在N型单晶硅片的正面和反面分别形成二氧化硅隧道钝化层；在N型单晶硅片的正面形成宽带隙的N型多晶碳化硅层；在N型单晶硅片的反面形成P型多晶硅层；在N型单晶硅片的正面和反面分别形成掺硼氧化锌层；在N型单晶硅片的正面和反面的掺硼氧化锌层上形成金属电极。本申请所提供的异质结太阳电池的制备方法，无需制绒工序，从而避免了金属离子对电池片的污染以及KOH废液的处理工序，提升异质结太阳电池的性能同时又降低了生产成本。
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