公开(公告)号：CN110153872A

公开(公告)日：2019-08-23

申请号：CN201810151121.4

申请日：2018-02-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 颜妤庭 ,  张庭魁 ,  黄富明 ,  林均洁 ,  魏国修

IPC: B24B37/10 ,  B24B37/04 ,  B24B37/30 ,  B24B37/005 ,  B24B37/34 ,  B24B49/04 ,  B24B57/02 ,  H01L21/306

Abstract: 一种研磨系统，包含一研磨平台、一研磨垫、一晶片夹持装置、一检测装置、一控制装置以及一推动机构。研磨垫连接研磨平台并被研磨平台驱动旋转。晶片夹持装置配置以夹持一晶片。检测装置配置以检测晶片的厚度以产生一厚度信息。厚度信息包含对应晶片的一第一区域的一第一厚度以及对应于晶片的一第二区域的一第二厚度。控制装置配置以根据第一厚度与第二厚度的差值以产生一驱动信号。推动机构配置以根据驱动信号提供一推力，以使晶片接触研磨垫以削减至目标厚度。

公开(公告)号：CN104752338B

公开(公告)日：2018-11-09

申请号：CN201410843919.7

申请日：2014-12-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郭涵馨 ,  柯忠祁 ,  杨能杰 ,  黄富明 ,  蔡及铭 ,  陈亮光

IPC: H01L21/768

Abstract: 本发明提供了一种互连件和形成用于半导体器件的互连件的方法。通过处理介电层的上表面以产生高密度层来形成互连件。例如，处理可以包括使用六甲基二硅氮烷(HMDS)、三甲基硅烷基二乙胺(TMSDEA)或乙酸三甲基硅酯(OTMSA)生成高密度单层。处理之后，可以图案化介电层以生成随后用导电材料填充的开口。例如，可以使用化学机械抛光去除过量的导电材料。本发明涉及用于半导体器件的互连结构。

公开(公告)号：CN103367316B

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201210487708.5

申请日：2012-11-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡及铭 ,  陈亮光 ,  郭涵馨 ,  黄富明 ,  廖浩任 ,  梁明中

IPC: H01L23/528 ,  H01L21/768 ,  H01L23/544

CPC classification number: H01L22/12 ,  H01L21/7684 ,  H01L22/30 ,  H01L23/522 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体器件。该半导体器件包括衬底和设置在衬底上方的互连结构。互连结构包括多个互连层。互连层中的一层包含：多个金属通孔槽和设置在多个金属通孔槽上方的块体金属元件。本发明还提供了一种方法。该方法包括：提供晶圆以及在晶圆上方形成第一层。该方法包括在第一层上方形成互连结构。形成互连结构包括：在第一层上方形成第二互连层，以及在第二互连层上方形成第三互连层。形成包含多个金属通孔槽和在多个金属通孔槽上方形成的块体金属元件的第二互连层。第三互连层包含一个或多个金属沟槽。本发明提供了通过金属通孔槽减少OCD测量噪声。