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公开(公告)号：CN113314554B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202110214299.0
申请日：2021-02-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本申请的实施例公开了一种具有应力调整层的图像传感器及其制造方法。该图像传感器包括具有前侧表面和与前侧表面相反的背侧表面的衬底、设置在衬底的背侧表面上的抗反射涂层(ARC)、设置在ARC层上的介电层、设置在介电层上的金属层以及设置在金属层上的应力调整层。应力调整层包括富硅氧化物层。应力调整层中的硅和氧原子的浓度分布不重叠并且彼此不同。图像传感器还包括设置在应力调整层上的氧化物栅格结构。本申请的实施例还提供了一种半导体器件。
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公开(公告)号：CN109427833B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN201711246848.2
申请日：2017-12-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供光感测元件及其形成方法，光感测元件包括半导体基板及位于半导体基板中的光感测区域。光感测元件亦包括位于半导体基板之上的光反射零件。光感测区域介于光反射零件及半导体基板的光接收表面之间。光反射零件包括多对介电层的堆叠，每一对介电层具有第一介电层及第二介电层，且第一介电层具有与第二介电层不同的折射率。
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公开(公告)号：CN114678386A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202110510307.6
申请日：2021-05-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种影像感测器，包括一阵列的多个影像像素和多个黑色电平校正像素。每个黑色电平校正像素包括：黑色电平校正像素光电检测器、黑色电平校正像素感测电路、以及黑色电平校正像素光学器件组合件其配置为阻挡照射到黑色电平校正像素光电检测器的光。每个黑色电平校正像素光学器件组合件可包括层堆叠的第一部分其包括具有第一折射指数的第一材料层和具有第二折射指数的第二材料层的垂直交替的序列。
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公开(公告)号：CN109841640B
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN201810434110.7
申请日：2018-05-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明实施例涉及一种具有在前段制程工艺期间形成的焊盘结构的图像传感器及其形成方法。可以在形成背侧深沟槽隔离结构和金属栅格结构之前形成焊盘结构。在图像传感器件的背侧上形成开口以暴露嵌入式焊盘结构并形成电连接。
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公开(公告)号：CN113809105A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202110234486.5
申请日：2021-03-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开提供一种像素阵列和其形成方法,像素阵列包括第一像素区域、第二像素区域，以及在第一像素区域与第二像素区域之间的深沟槽隔离结构，其中深沟槽隔离结构以氧化物材料填充，形成在氧化物材料中的气隙包括深沟槽隔离结构中至少75％的面积。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113540132A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110080009.8
申请日：2021-01-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 在此描述影像感测器及形成影像感测器的方法及半导体元件。一种半导体元件包括载体、元件层、半导体层以及绝缘层。元件层位于载体上。半导体层位于元件层上。绝缘层位于半导体层上。半导体层包括隔离区域与像素区域。隔离区域为或包括第一半导体材料。像素区域为或包括第二半导体材料，第二半导体材料不同于第一半导体材料。
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公开(公告)号：CN113471082A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110172516.4
申请日：2021-02-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种形成半导体结构的方法以及形成接合半导体晶片的方法，可通过执行第一预接合边缘修剪制程来对第一晶圆的前侧周围区域进行边缘修剪。提供要与第一晶圆接合的第二晶圆。可选地，可通过执行第二预接合边缘修剪制程来对第二晶圆的前侧周围区域进行边缘修剪。第一晶圆的前表面接合至第二晶圆的前表面以形成接合组件。通过执行至少一个晶圆减薄制程来减薄第一晶圆的背侧。可通过执行接合后边缘修剪制程，来对第一晶圆及第二晶圆的前侧周围区域进行边缘修剪。接合组件可随后被切块成接合的半导体晶片。
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公开(公告)号：CN109786404B
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN201810805771.6
申请日：2018-07-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开实施例涉及图像传感器器件、图像传感器系统及其形成方法。本公开实施例涉及一种用于减小在图像传感器器件中的烘干工艺之后滤色器的表面变形的方法。可通过在烘干之前增大滤色器的表面面积来减小表面变形。例如，在图像传感器器件的半导体层的上方形成栅极结构，其中栅极结构包括具有一个或多个单元的第一区域，其中一个或多个单元具有共同侧壁；在栅极结构的第二区域中设置一个或多个滤色器；使栅极结构的第一区域中的共同侧壁凹陷以形成具有凹陷的共同侧壁的单元组；以及在该组单元中设置另一滤色器。
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公开(公告)号：CN109786406B
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN201810920751.3
申请日：2018-08-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明涉及可以用于在背侧照明图像传感器器件上形成光阻挡材料层的方法。光阻挡材料层可以阻挡或吸收以掠入角进入背侧照明图像传感器器件的光线。可以使用不需要使用光刻掩模或光刻操作的自对准工艺来形成光阻挡材料层。例如，光阻挡材料层可以形成在图像传感器器件上方并且随后被蚀刻，使得光阻挡材料层保持在以掠入角入射的光线进入背侧照明图像传感器器件的区域中。本发明的实施例还涉及用于图像传感器器件的光阻挡层。
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公开(公告)号：CN112310051A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202010288296.7
申请日：2020-04-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L25/065 , H01L23/367
Abstract: 本发明描述了形成在三维芯片结构的功能或非功能区域中的散热结构。这些散热结构被配置为将在三维芯片结构内产生的热量传递至三维芯片结构上或外部的指定区域。例如，三维芯片结构可以包括垂直堆叠在衬底上的多个芯片、介于多个芯片中的第一芯片和第二芯片之间的第一钝化层以及嵌入第一钝化层中并且配置为允许导电结构穿过的散热层。本发明还涉及堆叠结构。
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