公开(公告)号：CN1707791A

公开(公告)日：2005-12-14

申请号：CN200510075795.3

申请日：2005-06-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 庄建祥 ,  罗吉进

IPC: H01L23/62 ,  H01L23/525

CPC classification number: H01L23/5256 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明是揭露一种电子式熔线结构。此结构借由多晶硅层上的硅化层形成，其以一第一介电材料部分区隔电子式熔线与半导体基底，且以第二介电材料部分区隔电子式熔线与在熔线正上方的至少一导体。多晶硅层具有不大于约2500埃的厚度与不大于0.14微米的宽度，而第二介电材料部分实质上是含有低介电材料。

公开(公告)号：CN1093688C

公开(公告)日：2002-10-30

申请号：CN98115219.8

申请日：1998-06-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 罗吉进 ,  杜友伦

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/31 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L21/31604 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/76819

Abstract: 一种介层窗的制造方法，利用阻挡层做为介层窗的蚀刻掩模，进行介层窗的蚀刻步骤之前，利用等离子氧将光致抗蚀剂剥除，做为内金属介电层的SOG材料，不会暴露在等离子氧的环境中，因此可以有效避免介层窗污染。此外所选用的阻挡层并非高介电常数材料，完成介层窗的蚀刻后，不须将做为蚀刻掩模用的阻挡层剥除，因此可以简化制造工艺，并降低成本。

公开(公告)号：CN1893012A

公开(公告)日：2007-01-10

申请号：CN200610001613.2

申请日：2006-01-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈学忠 ,  罗吉进 ,  范淑贞

IPC: H01L21/68 ,  H01L25/065 ,  H01L25/18 ,  H01L25/00 ,  H01L23/544

CPC classification number: H01L21/681

Abstract: 一种三维集成电路装置以及集成电路基板的对准方法，该集成电路基板的对准方法，包括：提供一第一基板，上述第一基板具有一第一正面、一第一背面以及一第一对准标记，第一正面具有多个第一集成电路结构，第一对准标记形成于第一正面或第一背面。提供一第二基板，上述第二基板具有一第二正面、一第二背面以及一第二对准标记，第二正面具有多个第二集成电路结构，第二对准标记形成于第二正面或者第二背面。提供一第一光学感测器以及一第二光学感测器，分别感测第一、第二对准标记进而对准第一、第二基板，其中第一、第二对准标记是面朝相反方向，并分别正对于第一、第二光学感测器。本发明具有较佳的准确度，且可减少不必要的制程步骤。

公开(公告)号：CN1123920C

公开(公告)日：2003-10-08

申请号：CN98126568.5

申请日：1998-12-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 罗吉进 ,  杜友伦

IPC: H01L21/311

CPC classification number: H01L21/76831 ,  H01L21/7681 ,  H01L21/76832

Abstract: 一种在基底上制造双重镶嵌金属内连线以及接触窗开口结构的方法，包括：在基底上形成一第一氧化层、一第一氮化物层；图案化并蚀刻第一氮化物层以形成一接触窗开口；在接触窗开口及第一氮化物层上形成一第二氧化层；在第二氧化层上形成一光致抗蚀剂层；图案化并显影光致抗蚀剂层以暴露出与该接触窗开口具有不同尺寸的一沟渠开口；以光致抗蚀剂层为掩模，蚀刻第二氧化层，并且以第一氮化物层为掩模，蚀刻第一氧化层，以形成一双重镶嵌开口；移除光致抗蚀剂层；在该双重镶嵌开口中形成一氧化物间隙壁；以及在双重镶嵌开口中沉积一导电层，其中第一氧化层包括由一衬氧化层、一低介电常数介电层以及一盖氧化层所组成。

公开(公告)号：CN1110853C

公开(公告)日：2003-06-04

申请号：CN98118552.5

申请日：1998-09-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 罗吉进 ,  杜友伦

IPC: H01L21/8242

CPC classification number: H01L28/92 ,  H01L21/28568 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/84

Abstract: 一种制造MIM结构的电容器的方法包括在基底上形成第一介电层；在介电层上形成接触开口；形成第一金属层覆盖于第一介电层上与接触开口之中；在此金属层上依次形成阻挡层、第二介电层、不连续的半球形颗粒的多晶硅层；蚀刻第二介电层；去除多晶硅层；蚀刻阻挡层与第一金属层；去除第二介电层；对已限定的阻挡层与第一金属层构图与蚀刻；形成第三介电层覆盖阻挡层、第一金属层与第一介电层；在第三介电层上形成第二金属层。

公开(公告)号：CN1110851C

公开(公告)日：2003-06-04

申请号：CN98118802.8

申请日：1998-08-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 罗吉进

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/31 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L28/87 ,  H01L21/3143 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/84

Abstract: 一种堆叠形动态随机存取存储器存储单元的电容器的制造方法。首先，形成一接触窗开口于堆叠介电层，此堆叠介电层由一层间介电层、第一氮化物层、高温氧化层及第二氮化物层所组成，接着，在接触窗开口上形成一即时掺杂的非晶硅，并去除第二氮化物层，在此非晶硅上形成一半球型晶粒多晶硅层，之后，去除高温氧化层，并在半球型晶粒多晶硅层及非晶硅上，形成一电容器介电层，最后在电容器介电层上形成一顶部导电层。

公开(公告)号：CN1106039C

公开(公告)日：2003-04-16

申请号：CN98124199.9

申请日：1998-11-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杜友伦 ,  罗吉进

IPC: H01L21/8239 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/28 ,  H01L21/31

Abstract: 一种电容器制造方法，包括多重物，氮化物层夹于氧化层之间，在交替氧化层与氮化物层的多重物中，开启存储节点接触窗，并停止于接着垫，沿其接触窗侧壁，剥除部分氮化物层，在顶部氧化层上与其接触窗中，形成共形第一即时掺杂多晶硅层，在接触窗中形成一层光致抗蚀剂层，剥除第一即时掺杂多晶硅层，并剥除光致抗蚀剂层，在顶部氧化层上方及其接触窗内，形成共形薄介电层，在其上形成第二即时掺杂多晶硅层，并填满其接触窗。

公开(公告)号：CN1106033C

公开(公告)日：2003-04-16

申请号：CN98116851.5

申请日：1998-08-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 罗吉进 ,  李弘名

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01L21/02129 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31625 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/76819

Abstract: 一种在半导体元件表面上形成一平坦的层间介电层的制造方法，包括先形成衬底氧化层，在衬底氧化层表面上形成一硼磷硅玻璃层，接着，对硼磷硅玻璃层进行平坦化制造工艺，然后在硼磷硅玻璃层表面上形成上覆氧化层，最后在上覆氧化层表面上形成氮化硅层。