公开(公告)号：CN1106033C

公开(公告)日：2003-04-16

申请号：CN98116851.5

申请日：1998-08-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 罗吉进 ,  李弘名

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01L21/02129 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31625 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/76819

Abstract: 一种在半导体元件表面上形成一平坦的层间介电层的制造方法，包括先形成衬底氧化层，在衬底氧化层表面上形成一硼磷硅玻璃层，接着，对硼磷硅玻璃层进行平坦化制造工艺，然后在硼磷硅玻璃层表面上形成上覆氧化层，最后在上覆氧化层表面上形成氮化硅层。