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公开(公告)号：CN114875383A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210042419.8
申请日：2022-01-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/50 , C23C16/52 , C23C16/40
Abstract: 本发明公开一种在半导体工件上沉积层的方法。方法包含：将半导体工件放置在处理腔室中的晶片卡盘上；将第一前体引入到处理腔室中；将第二前体引入到处理腔室中；以及当第二前体在处理腔室中时，将辐射施加到半导体工件，由此加热半导体工件的表面。方法还包含当第二前体在处理腔室中时，将偏置电压施加到晶片卡盘。本发明公开还一种沉积系统及替换沉积系统的窗口的方法。本发明能够在低温下进行膜沉积。
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公开(公告)号：CN113451507A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110055248.8
申请日：2021-01-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明的各种实施例是关于一种存储器器件、用于形成其的方法及集成芯片，所述存储器器件包含上覆衬底的数据存储结构。底部电极上覆衬底且顶部电极上覆底部电极。数据存储结构设置于底部电极与顶部电极之间。数据存储结构包括掺杂有第一掺杂物及第二掺杂物的介电材料，其中第一掺杂物与第二掺杂物不同。
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公开(公告)号：CN113451507B
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202110055248.8
申请日：2021-01-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H10B63/00
Abstract: 本发明的各种实施例是关于一种电阻式随机存取存储器器件、用于形成其的方法及集成芯片，所述电阻式随机存取存储器器件包含上覆衬底的数据存储结构。底部电极上覆衬底且顶部电极上覆底部电极。数据存储结构设置于底部电极与顶部电极之间。数据存储结构包括掺杂有第一掺杂物及第二掺杂物的介电材料，其中第一掺杂物与第二掺杂物不同。
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公开(公告)号：CN110783452B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN201910119439.9
申请日：2019-02-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明的实施例提供一种相变存储器器件，包含具有安置在相变元件与介电层之间的吸气剂金属层的相变存储器结构。相变存储器结构包含介电层、底部电极、通孔、相变元件以及吸气剂金属层。介电层安置在衬底上方。底部电极上覆于介电层。通孔从介电层的底部表面延伸穿过介电层到介电层的顶部表面。相变元件上覆于底部电极。吸气剂金属层安置在介电层与相变元件之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109817662B
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN201811366380.5
申请日：2018-11-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/24 , H01L21/768 , H01L23/367 , H01L23/528 , H01L45/00
Abstract: 本发明实施例涉及半导体结构、存储器装置及用于形成半导体结构的方法。半导体结构包含第一导电层和第二导电层，以及所述第一导电层与所述第二导电层之间的存储器装置。所述存储器装置包含顶部电极、邻近于所述第一导电层的底部电极，以及所述顶部电极与所述底部电极之间的相变材料。所述底部电极包含第一部分和所述第一部分与所述第一导电层之间的第二部分。
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公开(公告)号：CN109560040B
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN201811108925.2
申请日：2018-09-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/522
Abstract: 本申请涉及一种包含用以增进电极粘合性的粘合层的集成电路及其形成方法。一些实施例中，集成电路包含连通柱介电层、粘合层及第一电极。粘合层上覆连通柱介电层，第一电极上覆并直接接触粘合层。粘合层在第一电极接触粘合层的界面处具有第一表面能，第一电极在界面处具有第二表面能。并且，第一表面能大于第二表面能，用以增进粘合性。
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公开(公告)号：CN112670407A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN202010639969.9
申请日：2020-07-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明的实施例涉及电阻式随机存取存储器(RRAM)器件及其形成方法。在一些实施例中，可以通过在衬底上方形成第一电极结构来执行该方法。在第一电极结构上方形成掺杂的数据存储元件。通过在第一电极结构上方形成第一数据存储层以及在第一数据存储层上方形成第二数据存储层来形成掺杂的数据存储元件。第一数据存储层形成为具有第一掺杂浓度的掺杂剂，并且第二数据存储层形成为具有第二掺杂浓度的掺杂剂，该第二掺杂浓度小于第一掺杂浓度。在掺杂的数据存储元件上方形成第二电极结构。
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公开(公告)号：CN110660908A
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201811357641.7
申请日：2018-11-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一些实施例涉及一种存储器装置及其制造方法。所述存储器装置包括可编程金属化单元随机存取存储器(PMCRAM)单元。所述可编程金属化单元包括设置在底部电极之上的介电层，所述介电层包含中心区。导电桥能够在介电层内形成以及被消除，且导电桥控制在介电层的中心区内。在介电层之上设置有金属层。在底部电极与介电层之间设置有热散逸层。
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