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公开(公告)号：CN113628987B
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202010375907.1
申请日：2020-05-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本揭露部分实施例提供一种光固化的方法及其设备。方法包括提供一半导体晶圆至一腔体中。方法也包括以一光源照射半导体晶圆。方法还包括以非宽度的多个排气口供应一气体进入腔体中。另外，方法包括经由多个抽气口移除腔体中的气体，其中抽气口的数量大于排气口的数量。方法还包括自腔体移除半导体晶圆。
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公开(公告)号：CN113113326B
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202010025322.7
申请日：2020-01-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 一种半导体制程机台，包含缓冲室、机器手臂、气流供应源、抽气系统以及多个腔室。缓冲室具有一缓冲室本体，其中缓冲室本体具有进气口、抽气口、一第一晶圆通道以及一第二晶圆通道，其中进气口邻近该第一晶圆通道，抽气口邻近该第二晶圆通道，其中该第一晶圆通道与该第二晶圆通道相对设置。机器手臂设置于缓冲室中。气流供应源连接进气口。抽气系统连接抽气口。多个腔室分别连接缓冲室的第一晶圆通道以及第二晶圆通道。
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公开(公告)号：CN112342528B
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN201910719694.7
申请日：2019-08-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/458 , H01L21/67
Abstract: 一种半导体制程机台及其应用的方法。半导体制程机台包含壳体、载台、气体分配喷头以及气流导引元件。壳体用以环绕反应室。载台设置于反应室且用以支撑基板。气体分配喷头设置于载台的上方且用以提供至少一第一气体，其中第一气体用以在基板上沉积而形成薄膜。气流导引元件设置于载台的下方且用以提供第二气体，其中第二气体不同于第一气体且不与第一气体反应。
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公开(公告)号：CN113380602A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110031638.1
申请日：2021-01-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/67 , C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/50
Abstract: 提供一种处理半导体晶圆的方法与晶圆制造系统，用于处理半导体晶圆的方法包括在一晶圆承载台的一顶表面上装载一半导体晶圆。该方法亦包括经由一第一气体入口端口及一第二气体入口端口在该半导体晶圆与该晶圆承载台的该顶表面之间供应一气态材料，该第一气体入口端口及该第二气体入口端口位于该顶表面的一扇状区段下方。该方法进一步包括将一流体介质供应至该晶圆承载台的一流体入口端口且引导来自该流体入口端口的该流体介质以流经位于该顶表面的该扇状区段下方的许多弧状通道。另外，该方法包括在该半导体晶圆上方供应一电浆气体。
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公开(公告)号：CN112342528A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN201910719694.7
申请日：2019-08-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/458 , H01L21/67
Abstract: 一种半导体制程机台及其应用的方法。半导体制程机台包含壳体、载台、气体分配喷头以及气流导引元件。壳体用以环绕反应室。载台设置于反应室且用以支撑基板。气体分配喷头设置于载台的上方且用以提供至少一第一气体，其中第一气体用以在基板上沉积而形成薄膜。气流导引元件设置于载台的下方且用以提供第二气体，其中第二气体不同于第一气体且不与第一气体反应。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111584336A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN201910120050.6
申请日：2019-02-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本揭露提供一种进气装置、气体反应系统与其清洗方法。此进气装置包含进气单元、气体分散单元与气体分散板。气体分散单元具有凹陷部，且进气单元容置于此凹陷部中。气体分散板固设于进气单元的底表面，并位于进气单元与气体分散单元之间。进气单元第一个流道、第二流道与多个调节元件。第一流道贯穿进气单元的顶表面与底表面，且第二流道贯穿进气单元的顶表面、底表面与侧面。调节单元设置于第二流道中，并邻近本体的侧面。
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公开(公告)号：CN109763115A
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201811258690.5
申请日：2018-10-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: C23C16/44
Abstract: 提供一种化学气相沉积设备，化学气相沉积设备包括化学气相沉积腔室，上述化学气相沉积腔室包括多个壁部分，基座设置于化学气相沉积腔室内，配置以支撑基板，进气口设置于壁部分的其中的一个上，且位于基座的基板支撑部分下方。除此之外，气流引导构件设置于化学气相沉积腔室内，耦接至进气口，并配置以将来自进气口的清洁气体分配至化学气相沉积腔室。
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公开(公告)号：CN115527886A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202210152932.2
申请日：2022-02-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/324
Abstract: 一种用于在半导体基板的处理腔室的出入口上方产生气幕的系统及方法。气流稳定器及气流接收器，各个包括合作以产生气幕的水平流动段及垂直流动段，该气幕阻碍处理腔室之外的气体，例如，氧，流入腔室中，举例而言，在出入口打开以添加/或自处理腔室移除工件时。
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公开(公告)号：CN114927455A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210201303.4
申请日：2022-03-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/683 , H01L21/67
Abstract: 一种半导体处理工具的吸盘真空管线包含：第一部分，其穿过所述半导体处理工具的主泵管线的侧壁。所述吸盘真空管线包含：第二部分，其实质上平行于所述主泵管线的所述侧壁和所述主泵管线中的流动方向。所述第二部分的尺寸在所述第二部分的入口端与所述第二部分的出口端之间沿着所述主泵管线中的所述流动方向增大。
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公开(公告)号：CN113628987A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202010375907.1
申请日：2020-05-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本揭露部分实施例提供一种光固化的方法及其设备。方法包括提供一半导体晶圆至一腔体中。方法也包括以一光源照射半导体晶圆。方法还包括以非宽度的多个排气口供应一气体进入腔体中。另外，方法包括经由多个抽气口移除腔体中的气体，其中抽气口的数量大于排气口的数量。方法还包括自腔体移除半导体晶圆。
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