公开(公告)号：CN109841679B

公开(公告)日：2021-10-08

申请号：CN201810596098.X

申请日：2018-06-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 洪志昌 ,  陈嘉仁 ,  张铭庆 ,  古淑瑗 ,  萧怡瑄 ,  杨宜伟

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明描述了切割栅极结构的方法以及形成的结构。在一个实施例中，结构包括有源区上方的第一和第二栅极结构以及栅极切割填充结构。第一和第二栅极结构平行延伸。有源区包括横向地设置在第一和第二栅极结构之间的源极/漏极区。栅极切割填充结构具有第一和第二主要部分以及中间部分。第一和第二主要部分分别邻接第一和第二栅极结构。中间部分在第一和第二主要部分之间横向地延伸。第一和第二主要部分沿着第一和第二栅极结构的纵向中线的第一和第二宽度中的每一个分别大于中间部分的第三宽度，其中，该第三宽度在第一和第二栅极结构之间的中间并且平行于第一栅极结构的纵向中线。本发明还提供了半导体结构的切割方法以及由此形成的半导体结构。

公开(公告)号：CN113314526A

公开(公告)日：2021-08-27

申请号：CN202110457644.3

申请日：2021-04-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林士尧 ,  林志翰 ,  张书维 ,  蔡雅怡 ,  杨宜伟 ,  古淑瑗

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 本公开提供一种半导体装置与其制作方法。半导体装置包括第一半导体鳍状物沿着第一方向延伸。半导体装置包括第二半导体鳍状物亦沿着第一方向延伸。半导体装置包括介电结构位于第一半导体鳍状物与第二半导体鳍状物之间。半导体装置包括栅极隔离结构，垂直地位于介电结构上。半导体装置包括金属栅极层沿着第二方向延伸，且第二方向垂直于第一方向，其中金属栅极层包括越过第一半导体鳍状物的第一部分，与越过第二半导体鳍状物的第二部分。栅极隔离结构使金属栅极层的第一部分与第二部分彼此分开，并包括底部延伸至介电结构中。

公开(公告)号：CN113113362A

公开(公告)日：2021-07-13

申请号：CN202110080777.3

申请日：2021-01-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈宜群 ,  蔡雅怡 ,  杨宜伟 ,  古淑瑗 ,  陈嘉仁

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 本公开实施例提供一种半导体装置与其形成方法。方法包括进行一系列的蚀刻工艺，以形成沟槽穿过金属栅极与隔离区至半导体基板中。沟槽切穿并分开金属栅极成第一金属栅极与第二金属栅极，并形成凹陷于半导体基板中。一旦形成沟槽，可沉积介电插塞材料至沟槽中以形成切割金属栅极插塞，其锚定于半导体基板的凹陷中并分开第一金属栅极与第二金属栅极。如此一来，锚定的切割金属栅极插塞可提供高电阻，以在操作时减少半导体装置中的漏电流，并可改善半导体装置的电压触发效能。

公开(公告)号：CN110610862A

公开(公告)日：2019-12-24

申请号：CN201910016047.X

申请日：2019-01-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴仲强 ,  邱诗航 ,  洪志昌 ,  杨宜伟 ,  古淑瑗 ,  洪正隆 ,  李达元 ,  苏庆煌

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088

Abstract: 一种半导体装置的制造方法包括在基板中形成第一半导体鳍片，在第一半导体鳍片上形成金属栅极结构，移除金属栅极结构的一部分，以在金属栅极结构中形成第一凹陷，第一凹陷与第一半导体鳍片横向地分开第一距离，其中第一距离根据第一半导体鳍片所相关联的第一期望临界电压来确定，以及使用介电材料填充第一凹陷。