公开(公告)号：CN109326617A

公开(公告)日：2019-02-12

申请号：CN201711116403.2

申请日：2017-11-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张朝钦 ,  李昇展 ,  周正贤 ,  黄琮伟 ,  林明辉 ,  林艺民

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种图像检测装置的制造方法，包括提供具有前表面及背表面的一基底。上述方法包括去除基底的一第一部分，以形成一第一沟槽。上述方法包括形成一第一隔离结构于第一沟槽内，第一隔离结构具有上表面。上述方法包括去除第一隔离沟槽的一第二部分及基底的一第三部分，以形成穿过第一隔离结构并延伸于基底内的一第二沟槽。上述方法包括形成一第二隔离结构于第二沟槽内。上述方法包括形成一光检测区于基底内。上述方法包括去除基底的一第四部分，以露出第二隔离结构的一第一底部及光检测区的背侧。

公开(公告)号：CN107039445A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201610823361.5

申请日：2016-09-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴正一 ,  蔡建欣 ,  郑国贤 ,  林明辉 ,  陈韦立 ,  张朝钦 ,  谢忠佑 ,  李锦思

IPC: H01L27/11517 ,  H01L27/11524 ,  H01L23/62

CPC classification number: H01L27/11206 ,  H01L23/5252 ,  H01L27/11517 ,  H01L23/62 ,  H01L27/11524

Abstract: 本发明的实施例提供了一种存储单元，包括选择器、与选择器串联连接的熔丝、形成在选择器和熔丝上的接触蚀刻停止层、连接至熔丝的位线以及连接至选择器的字线。接触蚀刻停止层包括用于提高捕获电子的能力的高k电介质，因此增加了存储单元的保持时间。本发明的实施例还提供了存储单元的制造方法。

公开(公告)号：CN222106718U

公开(公告)日：2024-12-03

申请号：CN202420642363.4

申请日：2024-03-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张櫂玹 ,  练秀芸 ,  洪铭 ,  林东毅 ,  张纯 ,  张朝钦 ,  李昇展 ,  陈昇照

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种半导体装置以及影像感测器装置，半导体装置包含多个介电质层以及深沟槽电容器结构，深沟槽电容器结构可包括在介于相对的多个导电性电极层之间具有绝缘体层的金属‑绝缘体‑金属结构。深沟槽电容器结构可延伸穿过在半导体装置中的多个介电质层。导电性电极层和绝缘体层可侧向地延伸到介电质层内。导电性电极层和绝缘体层向介电质层内的侧向延伸可被称作为电容器结构的鳍片部分。鳍片部分可从深沟槽电容器结构的中心部分(例如，沟槽部分)侧向地向外延伸。深沟槽电容器结构的鳍片部分使得导电性电极层的表面面积能够增加，这可增加深沟槽电容器结构的电容，而对于深沟槽电容器结构的整体占据区的增加为最小。