公开(公告)号：CN115148785A

公开(公告)日：2022-10-04

申请号：CN202210577919.1

申请日：2022-05-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林士尧 ,  李筱雯 ,  蔡雅怡 ,  张书维 ,  林志翰 ,  古淑瑗

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L21/335

Abstract: 一种半导体装置，包括在基底上设置一隔离区域。多个通道自基底延伸并穿过隔离区域，此些通道包括一有源通道和一非有源通道。一虚置鳍部设置在隔离区域上且位于有源通道和非有源通道之间。一有源栅极设置在有源通道和非有源通道的上方且接触隔离区域。一介电材料延伸穿过有源栅极并接触虚置鳍部的顶部。此非有源通道是一最接近介电材料的非有源通道。此有源通道的长轴在第一方向上延伸。此有源栅极的长轴在第二方向上延伸。此有源通道从基底沿着第三方向延伸。介电材料更靠近非有源通道而不是更靠近有源通道。

公开(公告)号：CN109817581A

公开(公告)日：2019-05-28

申请号：CN201811251062.4

申请日：2018-10-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张书维 ,  曾建华 ,  吴中书 ,  蔡雅怡 ,  陈嘉仁 ,  魏安祺

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/762

Abstract: 一种形成半导体结构的方法包括：在半导体基板中的浅沟槽隔离(STI)材料上方形成金属栅极堆叠；在浅沟槽隔离材料上方形成层间介电层；凹陷层间介电层至低于金属栅极堆叠的顶表面的一高度处；在已凹陷的层间介电层上方形成护盔结构；以及在形成护盔结构之后，蚀刻金属栅极堆叠直到到达浅沟槽隔离材料。

公开(公告)号：CN113555320A

公开(公告)日：2021-10-26

申请号：CN202110546015.8

申请日：2021-05-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林士尧 ,  林志翰 ,  张书维 ,  蔡雅怡 ,  张棋翔 ,  王梓仲 ,  古淑瑗

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 提供一种半导体装置及其形成方法。方法包含在基底上方形成第一鳍状物以及第二鳍状物。方法包含形成横跨第一鳍状物以及第二鳍状物的第一虚置栅极结构，第一虚置栅极结构包含第一虚置栅极介电质以及设置在第一虚置栅极介电质上方的第一虚置栅极。方法包含以栅极隔离结构取代第一虚置栅极的一部分，第一虚置栅极的部分设置在第二鳍状物上方。方法包含移除第一虚置栅极。方法包含移除在第一鳍状物周围的第一虚置栅极介电质的第一部分，同时保持在第二鳍状物周围的第一虚置栅极介电质的第二部分完整。方法包含形成横跨第一鳍状物以及第二鳍状物的栅极部件，其中栅极隔离结构与栅极部件相交。

公开(公告)号：CN113206081A

公开(公告)日：2021-08-03

申请号：CN202011329103.4

申请日：2020-11-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林士尧 ,  林志翰 ,  张书维 ,  蔡雅怡 ,  古淑瑗

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 本公开涉及晶体管栅极及其形成方法。一种器件，包括：半导体衬底；以及第一栅极堆叠，该第一栅极堆叠位于半导体衬底之上，该第一栅极堆叠位于第一栅极间隔件和第二栅极间隔件之间。该器件还包括第二栅极堆叠，该第二栅极堆叠位于半导体衬底之上，该第二栅极堆叠位于第一栅极间隔件和第二栅极间隔件之间；以及电介质材料，该电介质材料将第一栅极堆叠与第二栅极堆叠分开。该电介质材料至少部分地位于第一栅极间隔件和第二栅极间隔件之间，电介质材料的上部分的第一宽度大于电介质材料的下部分的第二宽度，并且第一栅极间隔件的上部分的第三宽度小于第一栅极间隔件的下部分的第四宽度。

公开(公告)号：CN113140513A

公开(公告)日：2021-07-20

申请号：CN202110048098.8

申请日：2021-01-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄侦晃 ,  谢明哲 ,  张正忠 ,  徐绍华 ,  张书维 ,  魏安祺 ,  王祥保 ,  陈嘉仁

IPC: H01L21/8238

Abstract: 本公开涉及一种半导体装置的制造方法。揭示了在半导体装置中形成气体间隔物的方法以及包含气体间隔物的半导体装置。根据一实施例，方法包含在基底上方形成栅极堆叠；在栅极堆叠的侧壁上形成第一栅极间隔物；在第一栅极间隔物的侧壁上形成第二栅极间隔物；使用蚀刻制程移除第二栅极间隔物以形成第一开口，蚀刻制程在小于0℃的温度下进行，蚀刻制程使用包含氟化氢的蚀刻溶液；以及在第一栅极间隔物和栅极堆叠上方沉积介电层，介电层在第一开口中密封气体间隔物。

公开(公告)号：CN112750768A

公开(公告)日：2021-05-04

申请号：CN202011163833.1

申请日：2020-10-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林士尧 ,  林志翰 ,  张书维 ,  蔡雅怡 ,  古淑瑗

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088

Abstract: 本公开涉及虚设栅极切割工艺及所得栅极结构。一种方法包括：形成虚设栅极堆叠，蚀刻虚设栅极堆叠以形成开口，沉积延伸到开口中的第一电介质层，以及在第一电介质层上沉积第二电介质层，并且第二电介质层延伸到开口中。然后执行平坦化工艺，以形成包括第一电介质层和第二电介质层的栅极隔离区域。然后移除虚设栅极堆叠以在栅极隔离区域的相对侧上形成沟槽。该方法还包括：执行第一蚀刻工艺，以移除第一电介质层的侧壁部分，执行第二蚀刻工艺，以使第二电介质层变薄，以及在沟槽中形成替代栅极。

公开(公告)号：CN111261703A

公开(公告)日：2020-06-09

申请号：CN201910866955.8

申请日：2019-09-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张书维 ,  黄侦晃 ,  陈嘉仁 ,  王祥保 ,  古淑瑗

IPC: H01L29/417 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本公开涉及半导体器件及制造方法。半导体鳍上方的导电栅极被切割成第一导电栅极和第二导电栅极。从第一导电栅极的侧壁移除氧化物，并且将电介质材料施加到侧壁。移除与导电栅极相邻的间隔件以形成空隙，并且利用电介质材料帽盖空隙以形成空气间隔件。

公开(公告)号：CN220569685U

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN202321489164.6

申请日：2023-06-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张书维 ,  林士尧

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

Abstract: 公开了一种半导体装置，包括：基板，具有沿基板上方的Z方向突出的多个鳍片结构，及设置在些鳍片结构中的至少两个鳍片结构之间的非导电的混合鳍片结构(non‑conductive hybrid fin structure)；浅沟槽隔离(STI)材料，设置在鳍片结构之间并将鳍片结构彼此隔离；栅极结构，包括第一隔离栅极及第二隔离栅极；以及介电结构，介电结构与混合鳍片结构及STI材料一起隔离第一隔离栅极及第二隔离栅极，介电结构具有小于中间临界尺寸(middle critical dimension,MCD)的底部临界尺寸(bottom critical dimension,BCD)，且介电结构延伸进混合鳍片结构。