公开(公告)号：CN113555320B

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN202110546015.8

申请日：2021-05-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林士尧 ,  林志翰 ,  张书维 ,  蔡雅怡 ,  张棋翔 ,  王梓仲 ,  古淑瑗

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 提供一种半导体装置及其形成方法。方法包含在基底上方形成第一鳍状物以及第二鳍状物。方法包含形成横跨第一鳍状物以及第二鳍状物的第一虚置栅极结构，第一虚置栅极结构包含第一虚置栅极介电质以及设置在第一虚置栅极介电质上方的第一虚置栅极。方法包含以栅极隔离结构取代第一虚置栅极的一部分，第一虚置栅极的部分设置在第二鳍状物上方。方法包含移除第一虚置栅极。方法包含移除在第一鳍状物周围的第一虚置栅极介电质的第一部分，同时保持在第二鳍状物周围的第一虚置栅极介电质的第二部分完整。方法包含形成横跨第一鳍状物以及第二鳍状物的栅极部件，其中栅极隔离结构与栅极部件相交。

公开(公告)号：CN114975121A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202210292168.9

申请日：2022-03-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡雅怡 ,  林士尧 ,  张棋翔 ,  王梓仲 ,  古淑瑗

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 半导体装置与其制作方法关于形成沟槽于半导体装置的鳍状物(如鳍状场效晶体管装置的鳍状物)上，并形成多层介电结构于沟槽中。依据应用可控制多层介电结构的轮廓，以减少阴影效应并减少切割失败的风险，并具有其他可能的优点。多层介电结构可包含两层、三层、或任何数目的层状物，且可具有阶状轮廓、线性轮廓、或任何其他种类的轮廓。

公开(公告)号：CN113555320A

公开(公告)日：2021-10-26

申请号：CN202110546015.8

申请日：2021-05-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林士尧 ,  林志翰 ,  张书维 ,  蔡雅怡 ,  张棋翔 ,  王梓仲 ,  古淑瑗

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 提供一种半导体装置及其形成方法。方法包含在基底上方形成第一鳍状物以及第二鳍状物。方法包含形成横跨第一鳍状物以及第二鳍状物的第一虚置栅极结构，第一虚置栅极结构包含第一虚置栅极介电质以及设置在第一虚置栅极介电质上方的第一虚置栅极。方法包含以栅极隔离结构取代第一虚置栅极的一部分，第一虚置栅极的部分设置在第二鳍状物上方。方法包含移除第一虚置栅极。方法包含移除在第一鳍状物周围的第一虚置栅极介电质的第一部分，同时保持在第二鳍状物周围的第一虚置栅极介电质的第二部分完整。方法包含形成横跨第一鳍状物以及第二鳍状物的栅极部件，其中栅极隔离结构与栅极部件相交。