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公开(公告)号：CN112599501B
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202010102081.1
申请日：2020-02-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种集成电路及其形成方法，所述集成电路包括上覆在衬底上的内连结构。所述内连结构具有上覆在衬底之上的多个金属层。第一介电层上覆在所述内连结构的最上表面上。所述第一介电层具有相对的侧壁，所述相对的侧壁界定沟槽。第一磁性层设置在沟槽内且沿着所述相对的侧壁共形地延伸。导电配线设置在沟槽内且上覆在第一磁性层上。第二磁性层上覆在第一磁性层及导电配线上。所述第二磁性层在横向上从所述相对的侧壁中的第一侧壁之上延伸到所述相对的侧壁中的第二侧壁。
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公开(公告)号：CN109411491B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN201810940085.X
申请日：2018-08-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明一些实施例关于具有沿着基板的第一表面的层间介电结构的集成芯片，且基板具有光检测器。蚀刻停止层位于层间介电结构上，而蚀刻停止层与层间介电结构围绕反射器。反射器具有的弧形表面面对基板并直接位于光检测器上。弧形表面耦接于反射器的第一侧壁与第二侧壁之间。反射器沿着第一侧壁与第二侧壁的厚度，大于反射器的中心厚度，且反射器的中心位于第一侧壁与第二侧壁之间。
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公开(公告)号：CN116259639A
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202310029270.4
申请日：2023-01-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开描述了一种具有由沟槽隔离结构分离的辐射感测区域的半导体器件。根据本申请的实施例，还提供了半导体结构。半导体结构包括在衬底上的第一沟槽填充结构和在衬底上的第二沟槽填充结构。第一沟槽填充结构具有第一宽度和凸底表面。第二沟槽填充结构具有凹底表面和大于第一宽度的第二宽度。根据本申请的其他实施例，还提供了形成半导体结构的方法。
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公开(公告)号：CN112750900A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN202011067688.7
申请日：2020-09-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/737 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L21/331
Abstract: 本发明的各个实施例针对用于形成双极结型晶体管(BJT)的方法。介电膜沉积在衬底上方，并且包括下介电层、上介电层以及位于下介电层和上介电层之间的中间介电层。第一半导体层沉积在介电膜上方，并且随后图案化以形成暴露介电膜的开口。穿过开口对上介电层实施第一蚀刻，以将开口延伸至中间介电层。此外，第一蚀刻停止在中间介电层上，并且横向底切第一半导体层。实施额外的蚀刻以将开口延伸至衬底。下基极结构和发射极形成为堆叠在开口中并且填充开口，并且图案化第一半导体层以形成上基极结构。本申请的实施例还涉及双极结型晶体管(BJT)。
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公开(公告)号：CN109407189B
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN201710710260.1
申请日：2017-08-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G02B5/18
Abstract: 本揭露有关于一种紫外光复合光栅及等离子装置。此紫外光复合光栅包含第一格栅及第二格栅。第一格栅设有多个第一穿孔，及第二格栅设有多个第二穿孔，且第一穿孔及第二穿孔是交错设置。第一格栅是由不透光材料所制成，且第二格栅是由滤光材料所制成。紫外光复合光栅可滤除波长小于180nm的紫外光。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112447779A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN201911394510.0
申请日：2019-12-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L23/552
Abstract: 本发明的各种实施例涉及包括设置在半导体衬底内的接垫的半导体结构及用于形成半导体结构的方法。半导体衬底具有后侧表面及与后侧表面相对的前侧表面。半导体衬底的上表面在垂直方向上低于后侧表面。接垫延伸穿过半导体衬底。接垫包括位于半导体衬底的上表面之上的导电主体以及从半导体衬底的上表面上方延伸到前侧表面下方的导电突出部。接垫的顶表面与半导体衬底的后侧表面之间的垂直距离小于导电突出部的高度。第一接垫隔离结构延伸穿过半导体衬底且横向地环绕导电突出部。
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公开(公告)号：CN106057784B
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201510769800.4
申请日：2015-11-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/64
Abstract: 本发明提供了一种形成半导体器件的方法，方法包括在位于衬底上方的第一介电层中形成下线圈片段，在下线圈片段和第一介电层上方形成第二介电层，各向异性蚀刻第二介电层的顶部以在下线圈片段上方形成开口，在开口中沉积磁性材料以形成磁芯，在磁芯和第二介电层上方形成第三介电层，形成延伸穿过第二介电层和第三介电层的通孔，以及在形成通孔之后，在第三介电层和磁芯上方形成上线圈片段，其中，通孔将上线圈片段和下线圈片段连接。本发明实施例涉及集成磁芯感应器及其制造方法。
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公开(公告)号：CN107230682A
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201710165170.9
申请日：2017-03-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1462 , H01L27/14623 , H01L27/1464 , H01L27/14685 , H01L27/14689 , H01L27/14643 , H01L27/14601 , H01L27/14683
Abstract: 本发明的实施例提供了背照式(BSI)图像传感器及其形成方法。该方法包括在衬底中形成多个感光像素，该衬底具有第一表面和第二表面，第二表面与第一表面相对，该衬底具有位于第一表面上的一个或多个有源器件。保护第二表面的第一部分。图案化第二表面的第二部分以在衬底中形成凹槽。在凹槽的侧壁上形成抗反射层。在第二表面的第二部分上方形成金属栅格，抗反射层介于衬底和金属栅格之间。
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公开(公告)号：CN104465680A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410426056.3
申请日：2014-08-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14685 , H01L27/14623 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14689
Abstract: 本发明提供了一种背照式半导体图像感测器件，该背照式半导体图像感测器件包括半导体衬底。该半导体衬底包括辐射敏感二极管和外围区。外围区接近背照式半导体图像感测器件的侧壁。该背照式半导体图像感测器件还包括位于半导体衬底的背侧上的第一抗反射涂层(ARC)和位于第一抗反射涂层上的介电层。此外，辐射屏蔽层设置在介电层上。而且，该背照式半导体图像感测器件具有位于背照式半导体图像感测器件的侧壁上的光子阻挡层。辐射屏蔽层的侧壁的至少一部分没有被光子阻挡层覆盖，并且光子阻挡层配置为阻挡光子穿入至半导体衬底内。本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。
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公开(公告)号：CN104051433A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201310302532.6
申请日：2013-07-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L23/522 , H01L21/31116 , H01L21/76898 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本公开提供了一种防止在半导体晶圆背侧的加工过程中产生电弧的方法。本方法包括在背侧上方沉积介电层以及在介电层上方沉积抗电弧层。抗电弧层是导电层，但不用于传导信号或电能。方法进一步包括蚀刻穿过半导体晶圆的多个材料层的开口。开口露出位于半导体晶圆的前侧的导电层。此外，本方法包括在开口中沉积导电层，以形成穿过晶圆的互连件。本文也公开了根据本方法制造的半导体晶圆。
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