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公开(公告)号：CN113328017B
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202110562795.5
申请日：2021-05-24
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种通孔式垂直结构LED芯片及其制作方法，实现了将电流扩展层与PAD金属层集成到一起的制作方式，即形成集成金属层，用集成金属层取代电流扩展层，在制作集成金属层的过程中采用含Au金属材料，由于Au金属材料的电阻率较低，可以实现较好的电流扩展能力；另外，在PAD制作时，通过蚀刻的方式，裸露出集成金属层中的部分表面，该裸露部分承担PAD功能，可以实现与外部的电连接。通过该方式，节省了单独制作PAD金属层的工序，节约了成本。另外，与传统制作的PAD金属层不同，该集成金属层的侧壁包覆在绝缘层内，可以较好地耐受外部水汽、酸碱、盐雾等的侵蚀，提高了芯片的可靠性。
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公开(公告)号：CN112652686B
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202110001890.8
申请日：2021-01-04
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种大尺寸LED芯片及其制作方法，通过在所述外延叠层背离所述衬底的一侧表面设置隧穿结与若干个电流扩展复合层，其中，所述电流扩展复合层层叠于所述隧穿结背离所述外延叠层的一侧表面，且各所述电流扩展复合层包括沿第一方向依次堆叠的第二N型半导体层和欧姆接触层；所述电流扩展复合层具有第一通孔，所述第一通孔从顶层的欧姆接触层贯穿至部分所述第一N型半导体层，且裸露所述第一N型半导体层的部分表面；使所述P型半导体层与最底层的第二N型半导体层之间形成隧穿效应。从而实现通过外延材料层(即N型半导体层)替代传统结构的透明导电层，在保证其电流扩展效果的同时，可较好地实现稳定可靠的芯片结构。
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公开(公告)号：CN112349819B
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN202011214208.5
申请日：2020-11-04
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种通孔填充式LED芯片及其制作方法，其所述外延叠层具有裸露所述第一型半导体层部分表面的通孔，所述通孔内设有填充结构；所述填充结构通过不同实施方式呈现。在保证接触的前提下，减少了由于开孔导致的表面高度差以及由此产生的空洞，进而解决因其导致的应力失配、热量聚集及电流分布不均匀的技术问题。
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公开(公告)号：CN113328017A
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN202110562795.5
申请日：2021-05-24
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种通孔式垂直结构LED芯片及其制作方法，实现了将电流扩展层与PAD金属层集成到一起的制作方式，即形成集成金属层，用集成金属层取代电流扩展层，在制作集成金属层的过程中采用含Au金属材料，由于Au金属材料的电阻率较低，可以实现较好的电流扩展能力；另外，在PAD制作时，通过蚀刻的方式，裸露出集成金属层中的部分表面，该裸露部分承担PAD功能，可以实现与外部的电连接。通过该方式，节省了单独制作PAD金属层的工序，节约了成本。另外，与传统制作的PAD金属层不同，该集成金属层的侧壁包覆在绝缘层内，可以较好地耐受外部水汽、酸碱、盐雾等的侵蚀，提高了芯片的可靠性。
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公开(公告)号：CN111883552A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN202010771244.5
申请日：2020-08-04
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种集成式LED芯片模组及其制作、测试、切割方法，其LED阵列单元通过交叉沟槽隔离形成于所述基板表面；所述绝缘层覆盖所有所述LED阵列单元及沟槽，且所述绝缘层具有裸露各所述LED阵列单元表面的缺口；所述电极引线平铺于所述沟槽上方且相互间隔设置，并通过所述绝缘层与所述LED阵列单元和/或基板隔离设置；所述子电极沉积于所述缺口并延伸至所述绝缘层的表面与所述电极引线形成电连接；基于本发明所提供的技术方案，可利用测试电极做打线金球，从而避免在LED阵列单元表面打线引起的遮光问题；同时，可通过将测试电极与外部控制电路连接，实现LED阵列单元的独立控制，并降低控制电路与各LED阵列单元的连接难度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110085619A
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201910360845.4
申请日：2019-04-30
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种垂直高压发光二极管芯片及其制作方法，其中。通过垂直高压发光二极管芯片的设计，将第一芯片区处的背面电极通过开孔和键合层与导电基板电连接，进而无需在第一芯片区进行刻蚀而裸露其背面电极，保证垂直高压发光二极管芯片的有效发光面积较大；以及，第一芯片区的背面电极不需要打线，节省了成本，提高了可靠性；另外，每一芯片区电流扩展都为垂直方向，且第一芯片区的背面电极与第N芯片区的正面电极形成垂直结构，使得垂直高压发光二极管芯片的电流扩展较好，进而能够避免电流拥堵而提高电流耐受能力；此外，垂直高压发光二极管芯片的光型较好，符合朗伯分布而更易于配光。
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公开(公告)号：CN116314521A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310214159.2
申请日：2023-03-08
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种LED芯片及其制备方法，通过提供一外延片，在外延片的表面沉积形成电荷平衡CB层，并得到图形化的CB图案和裸露的部分P‑GaN层；在裸露的部分P‑GaN层上制备反射镜；形成阻挡层；在阻挡层和提供的键合衬底上制备键合层；将完成制备键合层的外延片与键合衬底进行键合，并去除蓝宝石衬底；刻蚀去除蓝宝石衬底的外延片，形成满足配光需求的外延层结构，外延层结构的边缘为具有预设倾斜角度的侧壁；沉积绝缘PV层，并对PV层进行图形化使部分N‑GaN层裸露；在PV层和裸露的部分N‑GaN层上制备N电极。以此实现在制备过程中对LED芯片发光角度的调节的目的。
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公开(公告)号：CN115411162A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202211175513.7
申请日：2022-09-26
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种LED芯片及其制作方法，通过：基板及设置于所述基板上方的第一金属层、绝缘层、第二金属层、外延叠层、第一电极以及第二电极。从而，实现了LED芯片的两个电极位于芯片同侧，但在发光区中，电流分布与垂直结构芯片类似，其电流和热量分布相较于普通的同侧电极结构更加均匀。而本方案与传统的垂直结构芯片相比，其所采用的基板不受是否导电的限制，可以采用高导热的金刚石、氮化硼、碳化硅等基板，以实现芯片更低的热阻，因此本方案可以很好地运用于高功率LED芯片。
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公开(公告)号：CN113724616A
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202111025894.6
申请日：2021-09-02
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: G09F9/33 , H01L25/075 , H01L33/62
Abstract: 本发明提供了一种基于垂直结构LED芯粒应用的单/双面显示装置，包括导电面板及分别设置于所述导电面板上、下表面的第一LED阵列和第二LED阵列；通过共用所述导电面板将垂直结构LED芯粒分别键合至所述导电面板的上、下表面，并通过导电面板实现两组LED阵列的串联，可减少电极引线数量，使得LED芯粒的间距做得更小，从而可在受限的面板上集成更多的LED芯粒，最终得以提高显示装置的分辨率。且，可灵活控制第一LED阵列和第二LED阵列所对应的电信号及导电面板的控制信号，通过不同的控制方式实现双面同步显示或双面异步显示或单面显示的显示效果。
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公开(公告)号：CN113036011A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202110234520.9
申请日：2021-03-03
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种用于LED芯片表面的粗化方法及具粗化表面的LED芯片，本发明提供的用于LED芯片表面的粗化方法，通过将导电基板与外延结构键合后，利用腐蚀截止层作为DE刻蚀时的刻蚀截止，从而在沟槽内部ICP刻蚀气体截止，第一层胶充当粗化掩膜版，在DE刻蚀时完成对外延结构的干法粗化。相对于粗化与DE刻蚀进行分离的传统工艺，此发明将DE刻蚀与粗化相结合，在DE刻蚀的同时对图形进行粗化，可以显著提升效率。同时，对产品匀双层胶，可以通过光刻板图形以及曝光工艺对第一层胶的图形和倾斜角度进行调节，从而对最终的粗化形貌进行调整。
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