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公开(公告)号：CN116207198A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202310052332.3
申请日：2023-02-02
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种Micro‑LED芯片及其制备方法，通过在衬底上生长绝缘层并进行光刻，形成多个沟槽和具有一定倾角的柱状结构，在柱状结构和沟槽上生长外延层，使外延层的侧面形成倒角，研磨抛光柱状结构，直至柱状结构表面与沟槽内的外延层齐平，去除剩余的柱状结构，得到具有隔离槽的外延层，基于具有隔离槽的外延层完成芯片制备。通过形成并利用柱状结构的倾斜度使外延层的侧面形成倒角，无需对外延层进行干法刻蚀，避免外延层侧壁产生损伤，进而提高了基于具有隔离槽的外延层制备的Micro‑LED芯片的发光效率；同时，外延层的侧面形成有倒角，有效提升了Micro‑LED芯片的侧壁的出光亮度。
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公开(公告)号：CN114242866A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111505447.0
申请日：2021-12-10
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种垂直结构LED芯片及其制作方法，本发明提供的垂直结构LED芯片，通过在基板表面依次设置键合层、防扩散层、金属反射镜以及外延叠层；其中，所述防扩散层用于防止所述键合层的金属扩散，从而提高产品的可靠性以及外量子效率，此外，所述防扩散层层叠于所述金属反射镜的表面，亦可同步实现金属反射镜中的金属迁移；进一步地，将所述键合层设置为包括含有Sn合金的键合层，将低成本金属Sn代替贵金属Au，可明显降低LED芯片的制造成本。
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公开(公告)号：CN113871517A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202111101525.0
申请日：2021-09-18
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种多波长LED芯片及其制作方法，其中多波长LED芯片包括：依次堆叠在所述基板表面的键合层、金属反射镜、堆叠结构；所述堆叠包括发光结构和覆盖层，若干个所述发光结构沿所述第一方向依次堆叠且呈台阶状分布，各所述发光结构包括沿所述第一方向依次层叠的P型半导体层、有源层和N型半导体层；相邻两个发光结构通过覆盖层相互绝缘；金属连接层，其层叠于相邻两个发光结构所形成的台阶表面，用于串联对应的相邻两个发光结构，可优化晶体质量，提高多波长LED芯片发光效率。
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公开(公告)号：CN114242867B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202111533881.X
申请日：2021-12-15
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请实施例公开了一种LED芯片及其制作方法，该LED芯片包括：芯片衬底、外延结构、P型电极、N型电极以及绝缘层，外延结构包括第一P型层、第一有源层、第一N型层，第一N型层包括第一子N型层和第二子N型层，有源层、第一子N型层裸露P型层部分表面，第二子N型层位于第一N子型层表面，N型电极位于第二子N型层背离芯片衬底表面的一侧，并覆盖第二子N型层，绝缘层覆盖LED芯片表面除去P型电极表面和N型电极表面的部分。由上述可知，N型电极覆盖第二子N型层，能够避免所述第二子N型层裸露，并且绝缘层包裹第一子N型层以及第二子N型层没有被覆盖的部分，能够抑制N型层与环境中的水汽发生电化学反应。
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公开(公告)号：CN114512592A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202210144087.4
申请日：2022-02-17
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种倒装LED芯片及其制备方法、LED封装体及显示装置，包括绝缘衬底和通过键合工艺倒装固定于所述绝缘衬底表面的发光结构，其中，所述绝缘衬底设有若干个贯穿所述绝缘衬底且相互独立的金属填充孔，第一电极和第二电极通过键合工艺分别与所述绝缘衬底的金属填充物键合形成一体；也即通过金属填充孔型绝缘衬底的使用，可以实现第一电极和第二电极在键合过程中无需对准，减少了外延层的损失，藉以提升芯片亮度；同时，在封装过程中无需对电极进行打线，可以实现高可靠性无金线封装的LED显示装置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114242867A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111533881.X
申请日：2021-12-15
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请实施例公开了一种LED芯片及其制作方法，该LED芯片包括：芯片衬底、外延结构、P型电极、N型电极以及绝缘层，外延结构包括第一P型层、第一有源层、第一N型层，第一N型层包括第一子N型层和第二子N型层，有源层、第一子N型层裸露P型层部分表面，第二子N型层位于第一N子型层表面，N型电极位于第二子N型层背离芯片衬底表面的一侧，并覆盖第二子N型层，绝缘层覆盖LED芯片表面除去P型电极表面和N型电极表面的部分。由上述可知，N型电极覆盖第二子N型层，能够避免所述第二子N型层裸露，并且绝缘层包裹第一子N型层以及第二子N型层没有被覆盖的部分，能够抑制N型层与环境中的水汽发生电化学反应。
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公开(公告)号：CN114068782A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202111360490.2
申请日：2021-11-17
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种倒装LED芯片及其制备方法，通过将所述外延叠层的局部区域蚀刻至部分所述的第一型半导体层形成凹槽及台面，且在所述凹槽的侧壁附有隔离层，所述隔离层包括透明绝缘材料；再者，通过金属反射层覆盖所述台面并延伸至所述隔离层的表面，使金属反射层通过所述隔离层与所述第一型半导体层和有源区相互隔离。通过隔离层的透明、绝缘效果，可以将反射层制作到外延叠层的凹槽侧壁，实现反射层面积的增大，从而提高LED芯片的发光亮度。
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公开(公告)号：CN114005920A
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202111422016.8
申请日：2021-11-26
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种垂直结构LED芯片及其制作方法，通过在基板表面依次设置键合层、金属反射镜、介质层以及外延叠层，其中，所述介质层具有介质孔，且所述金属反射镜通过填充于所述介质孔内的欧姆接触结构与所述外延叠层形成连接；一方面，使欧姆接触结构通过所述介质孔与第二型半导体层电性连接，保证电流的注入和导通；同时，解决了外延叠层与介质层、金属反射镜之间结合力弱的问题，从而提高芯片的可靠性。另一方面，使金属反射镜与介质层形成ODR反射结构，将外延叠层朝向基板一侧辐射的光线返回至外延叠层，并从出光侧辐射出去，提高出光效率。
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公开(公告)号：CN114122222B
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202111558381.1
申请日：2021-12-20
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种复合钝化层及其制作方法、LED芯片，通过在LED芯片的外延叠层裸露面设有复合钝化层，其中，复合钝化层包括依次堆叠的钝化底层及钝化顶层，且所述钝化底层的折射率小于所述钝化顶层的折射率，所述钝化底层用于接触LED芯片的表面并使其耐受逆向电场，所述钝化顶层作为LED芯片与外界接触的膜层，用于减少孔洞；从而提升抗高逆压性能，并避免水汽的渗入。
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公开(公告)号：CN114530534A
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202210327434.7
申请日：2022-03-30
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种LED芯片及其制备方法，其隔离层覆盖所述外延叠层并裸露所述凹槽的部分表面，且沿所述台面表面的隔离层具有至少一通孔；通过所述通孔实现对发光面积的控制；同时，所述通孔是对所述隔离层进行刻蚀工艺而形成，且隔离层为绝缘材料，则刻蚀过程容易控制，藉以更好地实现对发光面积的有效控制；再者，本发明提供的LED芯片，使电流扩展金属正下方的电流扩展层与所述第二型半导体层不直接接触，从而，避免了电流聚集在扩展电极正下方的情况，进而提高LED芯片的抗ESD能力。
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