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公开(公告)号：CN119208466A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411335743.4
申请日：2024-09-24
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/00 , H01L23/544 , H01L33/38 , H01L33/46 , H01L33/62
Abstract: 本发明提供了一种微型LED芯片及其制作方法，本申请提供的微型LED芯片的制作方法，通过深刻蚀外延叠层，形成通过切割道相互间隔排布的若干个子外延叠层和与其对应设置的切割对准结构，其中，切割对准结构通过沟道与对应的子外延叠层间隔设置，沟道为切偏控制线，可在通过切割道实现LED芯片器件的物理分离时提高切割对准精度，进而提升切割良率；此外，在切割道预设区表面形成光刻胶栅线图形，通过干法刻蚀工艺露出衬底以形成切割道，其中，光刻胶栅线图形的栅线密度沿外延叠层的中心往外延叠层的边缘方向逐渐降低，且外延叠层的边缘区域无栅线，利用与刻蚀深宽比相关的负载效应，以提高刻蚀切割道的线宽均匀性，进一步提升切割良率。
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公开(公告)号：CN119069505A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202411166760.X
申请日：2024-08-23
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 一种LED芯片及其制作方法和显示器，LED芯片包括发光主体，发光主体包括外延结构、通道和电极结构；外延结构至少包括依次层叠设置的第一型半导体层、有源层和第二型半导体层；通道沿第一方向贯穿外延结构以将其划分为至少两个独立的外延单元，第一方向垂直于所述第一型半导体层，并由第一型半导体层指向有源层；电极结构设于外延结构设置第一型半导体层的一侧，并与各外延单元电连接形成独立的导电回路，以使得各外延单元适于独立发光。本申请的LED芯片及其制作方法和显示器能够在实现显示屏相同像素密度的情况下，相比于现有技术减少芯片的使用颗粒数，减少固晶成本和芯片成本。
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公开(公告)号：CN114551676B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202210269983.3
申请日：2022-03-18
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种LED芯片及其制备方法，所述第二电极层叠于所述发光台面的部分表面，且在所述发光台面中，所述第二电极及与其距离最短的棱角所形成的区域为强电流密度区；通过在除所述强电流密度区以外的发光台面表面构建透明导电层。从而，有效降低强电流密度区的电场，抑制该区域外延叠层的电化学水解，在长期应用中，大大降低逆电极脱落以及芯片短路，提高芯片在逆偏压状态下的稳定性，增强其可靠性。
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公开(公告)号：CN114242867B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202111533881.X
申请日：2021-12-15
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请实施例公开了一种LED芯片及其制作方法，该LED芯片包括：芯片衬底、外延结构、P型电极、N型电极以及绝缘层，外延结构包括第一P型层、第一有源层、第一N型层，第一N型层包括第一子N型层和第二子N型层，有源层、第一子N型层裸露P型层部分表面，第二子N型层位于第一N子型层表面，N型电极位于第二子N型层背离芯片衬底表面的一侧，并覆盖第二子N型层，绝缘层覆盖LED芯片表面除去P型电极表面和N型电极表面的部分。由上述可知，N型电极覆盖第二子N型层，能够避免所述第二子N型层裸露，并且绝缘层包裹第一子N型层以及第二子N型层没有被覆盖的部分，能够抑制N型层与环境中的水汽发生电化学反应。
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公开(公告)号：CN114512592A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202210144087.4
申请日：2022-02-17
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种倒装LED芯片及其制备方法、LED封装体及显示装置，包括绝缘衬底和通过键合工艺倒装固定于所述绝缘衬底表面的发光结构，其中，所述绝缘衬底设有若干个贯穿所述绝缘衬底且相互独立的金属填充孔，第一电极和第二电极通过键合工艺分别与所述绝缘衬底的金属填充物键合形成一体；也即通过金属填充孔型绝缘衬底的使用，可以实现第一电极和第二电极在键合过程中无需对准，减少了外延层的损失，藉以提升芯片亮度；同时，在封装过程中无需对电极进行打线，可以实现高可靠性无金线封装的LED显示装置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114242867A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111533881.X
申请日：2021-12-15
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请实施例公开了一种LED芯片及其制作方法，该LED芯片包括：芯片衬底、外延结构、P型电极、N型电极以及绝缘层，外延结构包括第一P型层、第一有源层、第一N型层，第一N型层包括第一子N型层和第二子N型层，有源层、第一子N型层裸露P型层部分表面，第二子N型层位于第一N子型层表面，N型电极位于第二子N型层背离芯片衬底表面的一侧，并覆盖第二子N型层，绝缘层覆盖LED芯片表面除去P型电极表面和N型电极表面的部分。由上述可知，N型电极覆盖第二子N型层，能够避免所述第二子N型层裸露，并且绝缘层包裹第一子N型层以及第二子N型层没有被覆盖的部分，能够抑制N型层与环境中的水汽发生电化学反应。
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公开(公告)号：CN114068782A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202111360490.2
申请日：2021-11-17
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种倒装LED芯片及其制备方法，通过将所述外延叠层的局部区域蚀刻至部分所述的第一型半导体层形成凹槽及台面，且在所述凹槽的侧壁附有隔离层，所述隔离层包括透明绝缘材料；再者，通过金属反射层覆盖所述台面并延伸至所述隔离层的表面，使金属反射层通过所述隔离层与所述第一型半导体层和有源区相互隔离。通过隔离层的透明、绝缘效果，可以将反射层制作到外延叠层的凹槽侧壁，实现反射层面积的增大，从而提高LED芯片的发光亮度。
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公开(公告)号：CN113437188A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202110702283.4
申请日：2021-06-24
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种LED芯片及其制备方法，通过将扩展电极层叠于所述发光结构背离所述衬底的一侧表面；所述透明导电层层叠于所述扩展电极背离所述发光结构的一侧表面，且所述透明导电层完全覆盖所述扩展电极或裸露部分所述扩展电极；使透明导电层层叠于扩展电极之上，实现第一电极与扩展电极分层制作，从而实现扩展电极的选择灵活性，以减少扩展电极对光的吸收，同时可防止扩展电极脱落的现象。
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公开(公告)号：CN116065124A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202211685513.1
申请日：2022-12-27
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种蒸镀装置及蒸镀方法，在对LED芯片的电极中的各材料进行蒸镀的过程中，对于任一材料膜层，通过旋转监控系统中的晶振片转盘使晶振片转盘上的多个晶振片中的一个晶振片位于蒸发系统的蒸汽开口内的预设位置上，监控该材料膜层的镀膜过程，不同材料膜层对应的晶振片不同，以避免不同材料膜层因材料密度、应力等差异造成的晶振片对膜层监控的差异，提高晶振片监控精度，提升蒸镀形成LED芯片电极中的各材料膜层的均匀性和稳定性，同时降低由于晶振片监控不同材料镀膜应力失配造成的晶振片跳频概率，提升晶振片的可靠性，并且，相同材料膜层采用相同晶振片监控，提升晶振控制精度，使相同材料膜层的蒸镀均匀性、稳定性较好。
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公开(公告)号：CN115938988A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211535831.X
申请日：2022-12-02
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种发光芯片的分选方法及系统，将同一发光圆片分选的母BIN细分为更多的子BIN，而后将子BIN对应的发光芯片按照预设固晶图分选至对应母BIN方片上固晶，由此将发光圆片进行充足的混分，使得由相同发光圆片得到的不同方片的光电性能一致性高，提高了显示屏的整面屏显示亮度的均匀性，提高了显示屏的显示效果。
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