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公开(公告)号：CN110212065B
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN201910501543.4
申请日：2019-06-11
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种PVD溅射设备、LED器件及其制作方法，包括：提供图形化衬底；在所述衬底表面形成Al(x)CU(1‑x)N缓冲层；在所述Al(x)CU(1‑x)N缓冲层表面形成GaN层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层、P型GaN层、欧姆接触层、N电极和P电极。与AlN缓冲层相比，Al(x)CU(1‑x)N缓冲层能够明显改善衬底和GaN层之间的晶格应力，提升LED器件的性能。并且，由于Al(x)CU(1‑x)N缓冲层中包含CuN，因此，使得Al(x)CU(1‑x)N缓冲层的稳定性变差，易于化学腐蚀，从而可以将Al(x)CU(1‑x)N缓冲层作为衬底剥离时的牺牲层。
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公开(公告)号：CN107731978A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201710919143.6
申请日：2017-09-30
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/0075 , H01L33/20 , H01L33/44
Abstract: 本申请公开了一种LED的外延结构及其制作方法，该制作方法包括：提供一图形化的衬底，所述衬底具有一用于形成氮化物外延层的第一表面，所述第一表面具有平面区域以及凸起区域；形成覆盖所述第一表面的牺牲层；去除位于所述平面区域的所述牺牲层；形成覆盖所述牺牲层以及所述平面区域的氮化物缓冲层；在位于所述凸起区域顶部的所述氮化物缓冲层形成开口，露出位于所述凸起区域顶部的所述牺牲层；去除覆盖所述凸起区域的所述牺牲层，去除位于所述凸起区域浮离的所述氮化物缓冲层，仅保留位于所述平面区域的氮化物缓冲层；以位于所述平面区域的所述氮化物缓冲层为基核沉积氮化物外延层。本发明技术方案提高了LED的外延结构的均匀性以及可靠性。
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公开(公告)号：CN104112805B
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201410338035.6
申请日：2014-07-16
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种具有防扩层的发光二极管的制造方法，采用前期增加外延生长防扩层，后期二极管制作工艺中在防扩层之上形成金属反射镜，并在防扩层嵌入金属导电通道，通过采用氧化工艺将防扩层变成氧化物介质层，且与金属反射镜、导电通道构成复合的全方位反射效果，通过叠加布拉格反射层而组成的两部分复合结构，获得较高的发光亮度。采用此方法解决了传统倒置芯片制作过程中，在外延层蒸镀氧化膜工艺，外延层与氧化膜、金属反射镜存在材料界面容易剥离的问题，提高发光二极管的稳定性及生产制造过程的成品率。本发明还公开所述方法制造的具有防扩层的发光二极管，使外量子效率较高，且内部层结构连接较为稳定。
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公开(公告)号：CN103500784B
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201310443689.0
申请日：2013-09-26
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种近红外发光二极管的外延结构，在衬底层上依次生长第一型电流扩展层、第一型限制层、有源层、第二型限制层及第二型电流扩展层；第二型电流扩展层由第一组成部分及第二组成部分组成，在第一组成部分和第二组成部分之间形成具有漫反射效果的接触界面。本发明还公开所述近红外发光二极管的外延生长工艺。本发明采用该外延生长工艺形成具有漫反射作用的电流扩展层的外延结构，明显地提高了外量子效率，使得近红外发光二极管能达到更大功率。
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公开(公告)号：CN104319330A
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201410551820.X
申请日：2014-10-17
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/0075 , H01L2933/0008
Abstract: 本发明公开一种具有高质量InGaN/GaN有源层的LED外延结构生长方法，其中，InxGa1-xN/GaN有源层的生长步骤：在主载气为H2的氛围下，通入Ga源和NH3生长8-15nm的GaN垒层；切换主载气为N2，通入Ga源、In源和NH3，生长2-5nm的InxGa1-xN阱层；关闭Ga源和In源，保持NH3正常通入，停顿InxGa1-xN生长；打开Ga源，生长1-5nm的GaN保护层；切换主载气为H2，通入Ga源和NH3生长8-15nm的GaN垒层；重复二至五的生长步骤1至20个周期。本发明可以获得高质量InGaN/GaN有源层，提高LED发光效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112635626B
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202110001937.0
申请日：2021-01-04
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H10H20/816 , H10H20/01 , H10H20/83
Abstract: 本发明提供了一种半导体外延结构及其制作方法、LED芯片，包括在所述衬底表面依次堆叠N型半导体层、消闸层、有源层、P型半导体层，通过外延结构设计，释放多余的电子，有效提高电子浓度，增加电子隧穿几率，提高晶体质量的同时降低LED的工作电压，提高LED的抗静电能力。
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公开(公告)号：CN108110104B
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN201810048032.7
申请日：2018-01-18
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/06
Abstract: 本申请公开了一种发光二极管及其制备方法，发光二极管将传统结构中多量子阱层的最后一层量子垒层和电子阻挡层替换为包括多个第一类超晶格层和多个第二类超晶格层的超晶格结构，该超晶格结构减少了最后一层量子垒层的极化电场强度，增加了其电子空穴波函数交迭程度，有利于其辐射复合发光，并且超晶格结构不仅降低了发光二极管的制备难度，而且使得生长高质量的超晶格结构和第二型接触层成为可能。另外，超晶格结构的存在还使得整个第二型结构层的导带电子势垒高度进一步提升，大大减少了电子泄露，同时降低了价带空穴的势垒高度，促进了空穴的传输，极大提升了多量子阱层的内量子效率，减少效率骤降，大幅提升了发光二极管的整体发光功率。
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公开(公告)号：CN111900237A
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN202010811846.9
申请日：2020-08-13
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种紫外LED芯片及其制作方法，阱垒之间插入一层较薄的AlxInyGa1-x-yN插入层，由于其晶格常数介于InGaN和AlGaN之间，减少了阱垒之间的晶格失配，提高了阱垒界面的晶体质量，削弱了极化电场强度，有利于紫外LED芯片功率的提升。并且对Al组分和In组分进行掺杂梯度优化，实现更有效的电子束缚和更均匀的空穴注入，使载流子在整个多量子阱结构区域分布更加均衡，实现高光效的紫外LED芯片。并且AlxInyGa1-x-yN插入层采用脉冲通源的方法生成，Al和In原子有足够的时间在表面进行迁移，有利于二维层状生长，同时也可以更精细的控制材料组分，进而可提高AlxInyGa1-x-yN插入层的晶体质量。
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公开(公告)号：CN111477727A
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN202010361565.8
申请日：2020-04-30
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种改善电流扩展层的LED芯片及制作方法，通过只对AlInGaN层进行掺杂，形成了一种间断掺杂的高晶体质量的电流扩展层，利用其间断掺杂的特征形成低阻和高阻交替的状态，进而增强横向电流扩展能力，使电流扩展更加均匀。并且，AlInGaN层能够减小AlaGa1-aN层和InbGa1-bN层的晶格失配，提高了晶体质量，减小了多量子阱层的极化电场，从而获得了更高的光效。以及，AlaGa1-aN层、AlInGaN层和InbGa1-bN层具有的带隙特点，形成对电子有效的束缚作用，减少了电子泄露，极大程度的提升了LED芯片的整体性能。
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公开(公告)号：CN111261757A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN202010078729.6
申请日：2020-02-03
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请实施例提供了一种紫外LED及其制作方法，该LED包括：衬底；缓冲层；电流扩展层；多量子阱有源层；超晶格电子阻挡层，其中，多量子阱有源层包括量子垒结构和量子阱结构，量子垒结构包括第一量子垒层、第二量子垒层和第三量子垒层，第二量子垒层的Al组分高于第一量子垒层和第三量子垒层的Al组分，使得量子垒结构中的Al组分呈阶梯状，以利用第二量子垒层较高的Al组分形成高势垒，从而实现较强的电子阻挡作用，同时利用第一量子垒层和第三量子垒层较低的Al组分，减小量子垒结构和量子阱结构之间的应力，削弱多量子阱有源层中的极化电场，提高多量子阱有源层的辐射复合速率，提高紫外LED的发光功率。
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