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公开(公告)号：CN118829349A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410734705.X
申请日：2024-06-07
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种室温多阻态器件的制备方法，属于阻态器件的制备技术领域，包括：在干净的硅片上旋涂光刻胶，进行曝光；将被曝光区域的光刻胶清除，然后马上将硅片进行干燥，得到电极；在电极上依次镀钛和活性金属；将Fe3GaTe2单晶剥离成纳米级厚度的Fe3GaTe2薄片，选取两块厚度不一样的Fe3GaTe2薄片转移至电极上形成Fe3GaTe2/Fe3GaTe2同质结，然后将氮化硼转移到Fe3GaTe2/Fe3GaTe2同质结上将其完全覆盖，得到室温多阻态器件；本发明制备工艺简单，能实现室温下的多阻态，即1，0，‑1态。
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公开(公告)号：CN118660615A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202410729396.7
申请日：2024-06-06
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种垂直忆阻器及其制备方法，属于忆阻器技术领域，方法包括在干净的硅片上依次旋涂甲基丙烯酸甲酯和聚甲基丙烯酸甲酯两层光刻胶、写入底电极图案、显影定影，得到预处理硅片；在预处理硅片上镀上黏附层，再镀上第二金属，然后剥离出多余的金属，得到底电极；将预先制备的二维材料转移到底电极上；在二维材料上制备顶电极，再镀上第三金属，得到垂直忆阻器；本发明采用预制备的新型的二维材料作为阻变功能层材料，经过测试，表现出优异的非易失阻变性能，开关比高达到105，开启电压低至0.5 V（功耗低），器件具有良好的循环耐久性（可达60次）以及很好的时间保持特性（达105 s）。
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公开(公告)号：CN114678087B
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202210232758.2
申请日：2022-03-09
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种高通量材料计算数据自动采集和加工方法及系统，包括，采集模块，用于采集数据并传送至处理模块；所述处理模块，用于构建最优目标材料晶体模型；计算模块，用于计算从而得到所述目标材料的第一性原理数据；判断模块，用于判断第一性原理计算结果的数据来源是否为多个计算过程；分析模块，用于进行可靠性分析；中控模块，与所述采集模块、所述计算模块、所述判断模块、所述分析模块相连接，其中，所述中控模块获取的目标材料物化性质数据不可靠，所述中控模块对目标材料建模参数进行调节，所述中控模块获取的目标材料物化性质数据不准确，所述中控模块对目标材料物化性质数据进行调节。
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公开(公告)号：CN114883484A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210285359.2
申请日：2022-03-23
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种基于材料MoS2‑xOx的阻变存储器及其制备方法，阻变存储器包括由下至上依次设置的Ti/Au底电极层、MoS2‑xOx层、Ti/Au顶电极层，采用Ti作为顶部接触电极，金属Au作为底部接触电极。制备包括：在SiO2/Si硅片衬底上制备Ti/Au底电极；制备MoS2‑xOx层，制备Ti/Au顶电极。通过外加电压，Ti和阻变层间形成了氧富集层，器件从低阻态转变为高阻态。当加反向电压时，氧富集层中的氧回到初始状态，器件从高阻态转变成为低阻态。这种可逆的氧化过程通过控制金属/氧化物界面的离子的含量，可以实现更实用、更有效的阻变效应，在阻变存储器件中具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN114678087A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202210232758.2
申请日：2022-03-09
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种高通量材料计算数据自动采集和加工方法及系统，包括，采集模块，用于采集数据并传送至处理模块；所述处理模块，用于构建最优目标材料晶体模型；计算模块，用于计算从而得到所述目标材料的第一性原理数据；判断模块，用于判断第一性原理计算结果的数据来源是否为多个计算过程；分析模块，用于进行可靠性分析；中控模块，与所述采集模块、所述计算模块、所述判断模块、所述分析模块相连接，其中，所述中控模块获取的目标材料物化性质数据不可靠，所述中控模块对目标材料建模参数进行调节，所述中控模块获取的目标材料物化性质数据不准确，所述中控模块对目标材料物化性质数据进行调节。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114883484B
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202210285359.2
申请日：2022-03-23
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H10N70/20
Abstract: 本发明公开了一种基于材料MoS2‑xOx的阻变存储器及其制备方法，阻变存储器包括由下至上依次设置的Ti/Au底电极层、MoS2‑xOx层、Ti/Au顶电极层，采用Ti作为顶部接触电极，金属Au作为底部接触电极。制备包括：在SiO2/Si硅片衬底上制备Ti/Au底电极；制备MoS2‑xOx层，制备Ti/Au顶电极。通过外加电压，Ti和阻变层间形成了氧富集层，器件从低阻态转变为高阻态。当加反向电压时，氧富集层中的氧回到初始状态，器件从高阻态转变成为低阻态。这种可逆的氧化过程通过控制金属/氧化物界面的离子的含量，可以实现更实用、更有效的阻变效应，在阻变存储器件中具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN114781118B
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202210232757.8
申请日：2022-03-09
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明涉及基于第一性原理的新型非线性光学材料虚拟筛选系统，包括，采集模块，用于采集非线性光学材料晶体结构和光学性能数据；存储模块，用于存储非线性光学材料数据，其包括若干非线性光学材料数据库，各非线性光学材料数据库包括用于存储各非线性光学材料的各晶体结构数据的晶体结构数据存储单元以及用于存储各非线性光学材料各光学性能的光学性能数据存储单元；模型构建模块，用于根据各非线性光学材料晶体结构数据与各光学性能数据建立构校模型，模型构建模块根据获取当前非线性光学材料晶体结构变化度，模型构建模块判定对构校模型进行调节；材料筛选模块，用于根据目标光学性能通过构校模型获取目标非线性光学材料晶体结构。
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公开(公告)号：CN114792753A
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN202210433744.7
申请日：2022-04-24
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 一种实现交换偏置效应的二维异质结器件的制备方法，首先切割硅衬底在上面制备金属电极，然后制备二维材料Fe3GeTe2、CrPS4和hBN纳米级厚度薄片；筛选出厚度均匀的Fe3GeTe2、CrPS4和hBN纳米级厚度薄片，依次将Fe3GeTe2、CrPS4和hBN转移至带有金属电极的硅衬底上。本方法通过堆叠二维铁磁层Fe3GeTe2和二维反铁磁层CrPS4制备出的异质结器件，可以实现能够在同一Fe3GeTe2上既测得异质结低温下的交换偏置效应，又能够对本征样品数据进行对比；解决了当下异质结器件制备成功率低、界面不干净以及测试效率低的问题；本发明在手套箱中制备并采用先做金属电极的方式，最大程度地减少器件接触化学药品和空气，从而减少氧化和污染，解决了传统工艺流程中会污染异质结样品导致测试结果不理想的问题。
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公开(公告)号：CN113206149A
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN202110488620.4
申请日：2021-05-06
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明提供一种铁电二维场效应晶体管及其制备方法，晶体管包括由下至上依次为底部金电极层、铁电衬底层、沟道层、钛层、顶部金电极层和包覆层，所述底部金电极层用作底栅，所述顶部金电极层用作源极、漏极和顶栅，所述包覆层用于防止器件氧化，所述铁电衬底层用于施加门电压改变沟道层电子掺杂浓度。本发明利用铁电衬底层和沟道层的界面效应，通过加门电压的方式，使得铁电衬底层产生极化，通过不同极化方向来调控沟道的电子掺杂浓度，从而改变沟道层的电阻大小，可使铁电场效应晶体管实现‘导通’和‘断开’的两种状态，对应于器件的低电阻态和高电阻态。由于铁电衬底极化具有非易失性，这种器件存在记忆性，可以实现新型非易失铁电二维存储器。
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公开(公告)号：CN111875823A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN202010661381.3
申请日：2020-07-10
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种厚度可控的全透光离子液体凝胶薄膜的制备方法，包括以下步骤：第一步：在容器中加入离子液体与聚合物，再放入溶剂，以使聚合物和离子液体溶解，将溶解后的混合溶液进行磁力搅拌，使其混合均匀；第二步：将基底吸附在匀胶机仪器上，将第一步得到的混合溶液滴在基底上，通过设定不同的转速进行旋涂，得到旋涂有离子液体凝胶的基底；第三步，将第二步得到的旋涂有离子液体凝胶的基底放至真空烤箱中烘烤，得到所述全透光离子液体凝胶薄膜。本发明极大的提升了凝胶类离子凝胶薄膜的制备简易性，在保留了离子液体性能的同时，凝胶薄膜的物理形态克服了离子液体易流动的缺陷且厚度均匀可控，可获得100％透光率的离子凝胶薄膜。
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