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公开(公告)号：CN114792753A
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN202210433744.7
申请日：2022-04-24
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 一种实现交换偏置效应的二维异质结器件的制备方法，首先切割硅衬底在上面制备金属电极，然后制备二维材料Fe3GeTe2、CrPS4和hBN纳米级厚度薄片；筛选出厚度均匀的Fe3GeTe2、CrPS4和hBN纳米级厚度薄片，依次将Fe3GeTe2、CrPS4和hBN转移至带有金属电极的硅衬底上。本方法通过堆叠二维铁磁层Fe3GeTe2和二维反铁磁层CrPS4制备出的异质结器件，可以实现能够在同一Fe3GeTe2上既测得异质结低温下的交换偏置效应，又能够对本征样品数据进行对比；解决了当下异质结器件制备成功率低、界面不干净以及测试效率低的问题；本发明在手套箱中制备并采用先做金属电极的方式，最大程度地减少器件接触化学药品和空气，从而减少氧化和污染，解决了传统工艺流程中会污染异质结样品导致测试结果不理想的问题。
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公开(公告)号：CN113206149A
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN202110488620.4
申请日：2021-05-06
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明提供一种铁电二维场效应晶体管及其制备方法，晶体管包括由下至上依次为底部金电极层、铁电衬底层、沟道层、钛层、顶部金电极层和包覆层，所述底部金电极层用作底栅，所述顶部金电极层用作源极、漏极和顶栅，所述包覆层用于防止器件氧化，所述铁电衬底层用于施加门电压改变沟道层电子掺杂浓度。本发明利用铁电衬底层和沟道层的界面效应，通过加门电压的方式，使得铁电衬底层产生极化，通过不同极化方向来调控沟道的电子掺杂浓度，从而改变沟道层的电阻大小，可使铁电场效应晶体管实现‘导通’和‘断开’的两种状态，对应于器件的低电阻态和高电阻态。由于铁电衬底极化具有非易失性，这种器件存在记忆性，可以实现新型非易失铁电二维存储器。
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公开(公告)号：CN114792753B
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202210433744.7
申请日：2022-04-24
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 一种实现交换偏置效应的二维异质结器件的制备方法，首先切割硅衬底在上面制备金属电极，然后制备二维材料Fe3GeTe2、CrPS4和hBN纳米级厚度薄片；筛选出厚度均匀的Fe3GeTe2、CrPS4和hBN纳米级厚度薄片，依次将Fe3GeTe2、CrPS4和hBN转移至带有金属电极的硅衬底上。本方法通过堆叠二维铁磁层Fe3GeTe2和二维反铁磁层CrPS4制备出的异质结器件，可以实现能够在同一Fe3GeTe2上既测得异质结低温下的交换偏置效应，又能够对本征样品数据进行对比；解决了当下异质结器件制备成功率低、界面不干净以及测试效率低的问题；本发明在手套箱中制备并采用先做金属电极的方式，最大程度地减少器件接触化学药品和空气，从而减少氧化和污染，解决了传统工艺流程中会污染异质结样品导致测试结果不理想的问题。
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