-
公开(公告)号：CN114695124B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202210363700.1
申请日：2022-04-08
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L21/336 , H01L29/16 , H01L29/51
Abstract: 本发明公开了一种独立式离子胶薄膜门控石墨烯场效应晶体管制备方法，包括：首先在硅衬底上旋涂光刻胶PMMA，光刻出预设电极图案；将曝光后的硅衬底进行显影操作后置于异丙醇中定影；使用EBE镀膜装置在衬底上蒸镀金属层，获得电极；然后将筛选出的石墨烯转移至目标电极上，制备石墨烯场效应晶体管；最后将提前配置的离子胶烘烤去除多余的溶剂后，剪切转移至上述石墨烯场效应晶体管上。本发明通过提出“先做电极后转样品”的方法，大大减少了传统繁琐操作过程对石墨烯样品表面的负面影响，有效提升了石墨烯场效应晶体管的制备效率和成功率，且这种“剪切粘贴”离子胶的加工策略便于应用于制造各种基于半导体材料的晶体管，为大规模集成电路提供了参考。
-
公开(公告)号：CN114695124A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202210363700.1
申请日：2022-04-08
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L21/336 , H01L29/16 , H01L29/51
Abstract: 本发明公开了一种独立式离子胶薄膜门控石墨烯场效应晶体管制备方法，包括：首先在硅衬底上旋涂光刻胶PMMA，光刻出预设电极图案；将曝光后的硅衬底进行显影操作后置于异丙醇中定影；使用EBE镀膜装置在衬底上蒸镀金属层，获得电极；然后将筛选出的石墨烯转移至目标电极上，制备石墨烯场效应晶体管；最后将提前配置的离子胶烘烤去除多余的溶剂后，剪切转移至上述石墨烯场效应晶体管上。本发明通过提出“先做电极后转样品”的方法，大大减少了传统繁琐操作过程对石墨烯样品表面的负面影响，有效提升了石墨烯场效应晶体管的制备效率和成功率，且这种“剪切粘贴”离子胶的加工策略便于应用于制造各种基于半导体材料的晶体管，为大规模集成电路提供了参考。
-
公开(公告)号：CN114781118A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210232757.8
申请日：2022-03-09
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明涉及基于第一性原理的新型非线性光学材料虚拟筛选系统，包括，采集模块，用于采集非线性光学材料晶体结构和光学性能数据；存储模块，用于存储非线性光学材料数据，其包括若干非线性光学材料数据库，各非线性光学材料数据库包括用于存储各非线性光学材料的各晶体结构数据的晶体结构数据存储单元以及用于存储各非线性光学材料各光学性能的光学性能数据存储单元；模型构建模块，用于根据各非线性光学材料晶体结构数据与各光学性能数据建立构校模型，模型构建模块根据获取当前非线性光学材料晶体结构变化度，模型构建模块判定对构校模型进行调节；材料筛选模块，用于根据目标光学性能通过构校模型获取目标非线性光学材料晶体结构。
-
公开(公告)号：CN112713240A
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN202110125771.3
申请日：2021-01-29
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于二维材料的反对称磁电阻器件制备方法，首先制备金属电极；采用匀胶机在硅衬底上旋涂PMMA，用电子束曝光机曝光硅衬底，在EBL系统上设计出输运测量结构区域，并进行曝光；将曝光后的硅衬底放置于显影液中进行显影操作，然后放置于异丙醇中定影；在定影后的硅衬底上蒸镀Ti/Au金属层，并在丙酮中剥离，获取金属电极；然后筛选出厚度不均匀的Fe3GeTe2纳米级厚度薄片，用二维材料转移平台先后将Fe3GeTe2和hBN转移至带有金属电极的硅衬底上；本发明通过筛选出厚度不均匀的Fe3GeTe2纳米级厚度薄片制备出自旋电子学器件，可以实现器件在高中低三个阻态的调节，解决了当下多阻态磁存储器件中器件制备环节繁琐，容错率低的问题。
-
公开(公告)号：CN114792753B
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202210433744.7
申请日：2022-04-24
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 一种实现交换偏置效应的二维异质结器件的制备方法，首先切割硅衬底在上面制备金属电极，然后制备二维材料Fe3GeTe2、CrPS4和hBN纳米级厚度薄片；筛选出厚度均匀的Fe3GeTe2、CrPS4和hBN纳米级厚度薄片，依次将Fe3GeTe2、CrPS4和hBN转移至带有金属电极的硅衬底上。本方法通过堆叠二维铁磁层Fe3GeTe2和二维反铁磁层CrPS4制备出的异质结器件，可以实现能够在同一Fe3GeTe2上既测得异质结低温下的交换偏置效应，又能够对本征样品数据进行对比；解决了当下异质结器件制备成功率低、界面不干净以及测试效率低的问题；本发明在手套箱中制备并采用先做金属电极的方式，最大程度地减少器件接触化学药品和空气，从而减少氧化和污染，解决了传统工艺流程中会污染异质结样品导致测试结果不理想的问题。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116110794A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202310221478.6
申请日：2023-03-09
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L21/336 , H01L29/16 , H01L29/423 , H01L29/40 , H01L29/51
Abstract: 本发明公开了一种磁性离子凝胶薄膜栅介石墨烯场效应管的制备方法，属于二维材料器件、电介质材料领域，包括以下步骤：第一步：制备金属电极，利用光刻胶在硅衬底上根据所需电极图案进行曝光，显影，定影；蒸镀Ti/Au金属层，获得带有目标图案的金属电极。第二步：转移样品，制备标准的石墨烯样品，将石墨烯转移至带有金属电极的硅衬底上。第三步：制备磁性离子凝胶薄膜，质量比为4:0.9:10的磁性离子液体、聚合物以及丙酮溶剂，加热搅拌至充分溶解，滴铸在基底上，真空烤干。切割并覆盖在转移好的石墨烯上，制备出磁性离子凝胶薄膜栅介石墨烯场效应管。本发明所制备出的磁性离子凝胶薄膜厚度均匀可控，能够提供强大且有效的载流子调控能力，简化了制备流程。
-
-
公开(公告)号：CN112713240B
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202110125771.3
申请日：2021-01-29
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于二维材料的反对称磁电阻器件制备方法，首先制备金属电极；采用匀胶机在硅衬底上旋涂PMMA，用电子束曝光机曝光硅衬底，在EBL系统上设计出输运测量结构区域，并进行曝光；将曝光后的硅衬底放置于显影液中进行显影操作，然后放置于异丙醇中定影；在定影后的硅衬底上蒸镀Ti/Au金属层，并在丙酮中剥离，获取金属电极；然后筛选出厚度不均匀的Fe3GeTe2纳米级厚度薄片，用二维材料转移平台先后将Fe3GeTe2和hBN转移至带有金属电极的硅衬底上；本发明通过筛选出厚度不均匀的Fe3GeTe2纳米级厚度薄片制备出自旋电子学器件，可以实现器件在高中低三个阻态的调节，解决了当下多阻态磁存储器件中器件制备环节繁琐，容错率低的问题。
-
公开(公告)号：CN114613678A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202210247344.7
申请日：2022-03-14
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L21/336 , H01L21/78 , H01L29/78 , H01L21/02
Abstract: 一种基于二维材料异质结的铁电场效应晶体管的制作方法，该方法利用二维铁电材料和去离子水的共同作用，通过施加门电压的方式，使得二维铁电材料和去离子水共同产生极化，使极化效应增强，共同作用于导电沟道，通过不同极化方向来调控沟道的电子掺杂浓度，从而改变沟道层的电阻大小，可使铁电场效应晶体管实现‘导通’和‘断开’的两种状态，对应于器件的低电阻态和高电阻态。由于去离子水的加入，使得极化效应大大增强了，器件的电阻率有很大的提高。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
20
records
(took 0.028 seconds)
