公开(公告)号：CN115988954A

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN202211671817.2

申请日：2022-12-26

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 胥清绪 ,  邢瑜 ,  周双 ,  董帅 ,  普勇 ,  王海云

IPC: H10N70/20

Abstract: 本发明属于电子存储器技术领域，具体提供了一种基于二维材料异质结的忆阻器及其制作方法，所述忆阻器由下往上依次由衬底、金属电极、二维材料异质结构成；器件的开关比高达103，耐久性超过600圈的循环圈数；本发明提供的基于二维材料异质结的忆阻器可用来模拟人工突触。

公开(公告)号：CN115988954B

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202211671817.2

申请日：2022-12-26

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 胥清绪 ,  邢瑜 ,  周双 ,  董帅 ,  普勇 ,  王海云

IPC: H10N70/20

Abstract: 本发明属于电子存储器技术领域，具体提供了一种基于二维材料异质结的忆阻器及其制作方法，所述忆阻器由下往上依次由衬底、金属电极、二维材料异质结构成；器件的开关比高达103，耐久性超过600圈的循环圈数；本发明提供的基于二维材料异质结的忆阻器可用来模拟人工突触。