公开(公告)号：CN115988954B

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202211671817.2

申请日：2022-12-26

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 胥清绪 ,  邢瑜 ,  周双 ,  董帅 ,  普勇 ,  王海云

IPC: H10N70/20

Abstract: 本发明属于电子存储器技术领域，具体提供了一种基于二维材料异质结的忆阻器及其制作方法，所述忆阻器由下往上依次由衬底、金属电极、二维材料异质结构成；器件的开关比高达103，耐久性超过600圈的循环圈数；本发明提供的基于二维材料异质结的忆阻器可用来模拟人工突触。

公开(公告)号：CN105525267A

公开(公告)日：2016-04-27

申请号：CN201610037521.3

申请日：2016-01-20

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 何茂赟 ,  刘胜利 ,  王海云

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/08 ,  H01B12/06

CPC classification number: Y02E40/642 ,  C23C14/35 ,  C23C14/08 ,  H01B12/06

Abstract: 本发明提供一种涂层导体Y1-xRExBCO超导层的生长方法，具体涉及一种利用磁控溅射法在铝酸镧(LAO)基片上制备Y1-xRExBCO超导层的方法，有效克服YBCO超导层的厚度效应，提高超导载流能力。先用Sm或者Gd部分代替Y制备Y1-xRExBCO磁控溅射靶材，然后再将反应室抽真空至真空度小于等于5×10-4Pa，将LAO基片加热至600～700℃，20～30分钟后充入氩气和氧气至腔体气压稳定在30～60Pa，氧气氩气比例为1:2～1:3，以Y1-xRExBCO为靶材，开始溅射。溅射结束后，降温至400～450℃并充入氧气至气压维持在700～750mbar，进行40～80分钟退火处理。镀膜结束，将温度降至室温，得到LAO基带上生长的Y1-xRExBCO超导层。利用该方法能生产出Y1-xRExBCO超导层的厚度达到3μm的涂层导体。

公开(公告)号：CN103614697A

公开(公告)日：2014-03-05

申请号：CN201310557573.X

申请日：2013-11-08

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 刘胜利 ,  王海云 ,  厉建峥

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/06 ,  H01B12/06

CPC classification number: Y02E40/642

Abstract: 本发明提供一种涂层导体DyBCO超导层的生长方法及DyBCO涂层导体，具体涉及一种在具有立方织构氧化物隔离层的金属基带上制备DyBCO超导层的方法，有效克服YBCO超导层的厚度效应，提高超导载流能力。该制备方法利用磁控溅射沉积技术。先将反应室抽真空至真空度小于等于5×10-4Pa，将金属基带加热至600-700℃，20-30分钟后充入氩气和氧气至腔体气压稳定在30-60Pa，氧气氩气比例为1:2-1:3，以DyBCO为靶材，开始溅射。溅射结束后，降温至400-450℃并充入氧气至气压维持在700-750mbar，进行40-80分钟退火处理。镀膜结束，将温度降至室温，得到具有立方织构氧化物隔离层的金属基带上生长的DyBCO超导层。利用该方法能生产出DyBCO超导层的厚度大于2μm的涂层导体，该涂层导体是现有技术中所没有。

公开(公告)号：CN115988954A

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN202211671817.2

申请日：2022-12-26

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 胥清绪 ,  邢瑜 ,  周双 ,  董帅 ,  普勇 ,  王海云

IPC: H10N70/20

Abstract: 本发明属于电子存储器技术领域，具体提供了一种基于二维材料异质结的忆阻器及其制作方法，所述忆阻器由下往上依次由衬底、金属电极、二维材料异质结构成；器件的开关比高达103，耐久性超过600圈的循环圈数；本发明提供的基于二维材料异质结的忆阻器可用来模拟人工突触。