公开(公告)号：CN109467857A

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201811220504.9

申请日：2018-10-19

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 刘利清 ,  鞠维 ,  王利霞

IPC: C08L27/18 ,  C08K7/00 ,  C08K3/22 ,  C23C14/28 ,  C23C14/12

Abstract: 本发明公开了一种氧化锌/聚四氟乙烯纳米复合材料及其制备方法，该复合材料包括氧化锌纳米线阵列基体及覆盖于该基体上的聚四氟乙烯薄膜；制备时首先在FTO衬底上制备氧化锌纳米种子层，其次将长有氧化锌纳米种子层的衬底放入二水合醋酸锌和六次甲基四胺的混合水溶液中，采用微波加热制备氧化锌纳米线阵列，最后在氧化锌纳米线阵列的表面采用脉冲激光沉积聚四氟乙烯，制得复合材料。本发明的复合材料具有优异的超疏水表面，同时制备时采用两步法，即先采用微波加热法后结合脉冲激光结合，提高了成膜的致密性和膜基的结合力，有效增加了复合材料的使用寿命，且工艺简便、耗时低、效率高、安全无污染。

公开(公告)号：CN114695124B

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202210363700.1

申请日：2022-04-08

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 王利霞 ,  张欣 ,  钮伟 ,  胡洪萁 ,  普勇

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/16 ,  H01L29/51

Abstract: 本发明公开了一种独立式离子胶薄膜门控石墨烯场效应晶体管制备方法，包括：首先在硅衬底上旋涂光刻胶PMMA，光刻出预设电极图案；将曝光后的硅衬底进行显影操作后置于异丙醇中定影；使用EBE镀膜装置在衬底上蒸镀金属层，获得电极；然后将筛选出的石墨烯转移至目标电极上，制备石墨烯场效应晶体管；最后将提前配置的离子胶烘烤去除多余的溶剂后，剪切转移至上述石墨烯场效应晶体管上。本发明通过提出“先做电极后转样品”的方法，大大减少了传统繁琐操作过程对石墨烯样品表面的负面影响，有效提升了石墨烯场效应晶体管的制备效率和成功率，且这种“剪切粘贴”离子胶的加工策略便于应用于制造各种基于半导体材料的晶体管，为大规模集成电路提供了参考。

公开(公告)号：CN114695124A

公开(公告)日：2022-07-01

申请号：CN202210363700.1

申请日：2022-04-08

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 王利霞 ,  张欣 ,  钮伟 ,  胡洪萁 ,  普勇

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/16 ,  H01L29/51

Abstract: 本发明公开了一种独立式离子胶薄膜门控石墨烯场效应晶体管制备方法，包括：首先在硅衬底上旋涂光刻胶PMMA，光刻出预设电极图案；将曝光后的硅衬底进行显影操作后置于异丙醇中定影；使用EBE镀膜装置在衬底上蒸镀金属层，获得电极；然后将筛选出的石墨烯转移至目标电极上，制备石墨烯场效应晶体管；最后将提前配置的离子胶烘烤去除多余的溶剂后，剪切转移至上述石墨烯场效应晶体管上。本发明通过提出“先做电极后转样品”的方法，大大减少了传统繁琐操作过程对石墨烯样品表面的负面影响，有效提升了石墨烯场效应晶体管的制备效率和成功率，且这种“剪切粘贴”离子胶的加工策略便于应用于制造各种基于半导体材料的晶体管，为大规模集成电路提供了参考。