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公开(公告)号：CN114792753B
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202210433744.7
申请日：2022-04-24
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 一种实现交换偏置效应的二维异质结器件的制备方法，首先切割硅衬底在上面制备金属电极，然后制备二维材料Fe3GeTe2、CrPS4和hBN纳米级厚度薄片；筛选出厚度均匀的Fe3GeTe2、CrPS4和hBN纳米级厚度薄片，依次将Fe3GeTe2、CrPS4和hBN转移至带有金属电极的硅衬底上。本方法通过堆叠二维铁磁层Fe3GeTe2和二维反铁磁层CrPS4制备出的异质结器件，可以实现能够在同一Fe3GeTe2上既测得异质结低温下的交换偏置效应，又能够对本征样品数据进行对比；解决了当下异质结器件制备成功率低、界面不干净以及测试效率低的问题；本发明在手套箱中制备并采用先做金属电极的方式，最大程度地减少器件接触化学药品和空气，从而减少氧化和污染，解决了传统工艺流程中会污染异质结样品导致测试结果不理想的问题。
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公开(公告)号：CN116110794A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202310221478.6
申请日：2023-03-09
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L21/336 , H01L29/16 , H01L29/423 , H01L29/40 , H01L29/51
Abstract: 本发明公开了一种磁性离子凝胶薄膜栅介石墨烯场效应管的制备方法，属于二维材料器件、电介质材料领域，包括以下步骤：第一步：制备金属电极，利用光刻胶在硅衬底上根据所需电极图案进行曝光，显影，定影；蒸镀Ti/Au金属层，获得带有目标图案的金属电极。第二步：转移样品，制备标准的石墨烯样品，将石墨烯转移至带有金属电极的硅衬底上。第三步：制备磁性离子凝胶薄膜，质量比为4:0.9:10的磁性离子液体、聚合物以及丙酮溶剂，加热搅拌至充分溶解，滴铸在基底上，真空烤干。切割并覆盖在转移好的石墨烯上，制备出磁性离子凝胶薄膜栅介石墨烯场效应管。本发明所制备出的磁性离子凝胶薄膜厚度均匀可控，能够提供强大且有效的载流子调控能力，简化了制备流程。
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公开(公告)号：CN112713240B
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202110125771.3
申请日：2021-01-29
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于二维材料的反对称磁电阻器件制备方法，首先制备金属电极；采用匀胶机在硅衬底上旋涂PMMA，用电子束曝光机曝光硅衬底，在EBL系统上设计出输运测量结构区域，并进行曝光；将曝光后的硅衬底放置于显影液中进行显影操作，然后放置于异丙醇中定影；在定影后的硅衬底上蒸镀Ti/Au金属层，并在丙酮中剥离，获取金属电极；然后筛选出厚度不均匀的Fe3GeTe2纳米级厚度薄片，用二维材料转移平台先后将Fe3GeTe2和hBN转移至带有金属电极的硅衬底上；本发明通过筛选出厚度不均匀的Fe3GeTe2纳米级厚度薄片制备出自旋电子学器件，可以实现器件在高中低三个阻态的调节，解决了当下多阻态磁存储器件中器件制备环节繁琐，容错率低的问题。
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公开(公告)号：CN114695124B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202210363700.1
申请日：2022-04-08
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L21/336 , H01L29/16 , H01L29/51
Abstract: 本发明公开了一种独立式离子胶薄膜门控石墨烯场效应晶体管制备方法，包括：首先在硅衬底上旋涂光刻胶PMMA，光刻出预设电极图案；将曝光后的硅衬底进行显影操作后置于异丙醇中定影；使用EBE镀膜装置在衬底上蒸镀金属层，获得电极；然后将筛选出的石墨烯转移至目标电极上，制备石墨烯场效应晶体管；最后将提前配置的离子胶烘烤去除多余的溶剂后，剪切转移至上述石墨烯场效应晶体管上。本发明通过提出“先做电极后转样品”的方法，大大减少了传统繁琐操作过程对石墨烯样品表面的负面影响，有效提升了石墨烯场效应晶体管的制备效率和成功率，且这种“剪切粘贴”离子胶的加工策略便于应用于制造各种基于半导体材料的晶体管，为大规模集成电路提供了参考。
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公开(公告)号：CN117396059A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311362438.X
申请日：2023-10-20
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种二维铁磁/反铁磁异质结交换偏置效应调控的器件及其制备方法，属于二维材料器件技术领域，制作器件时反铁磁材料只需覆盖在铁磁材料一侧，其面积为铁磁材料面积的8%以上即可钉扎住整个铁磁界面，产生交换偏置；利用多对霍尔探测端来研究交换偏置的非局域效应；通过调整反铁磁材料的占比来实现对交换偏置效应的调控，相对于其他手段来说简单高效；反铁磁钉扎范围极广，能够达到上百微米，实现大范围的交换偏置，这些优点无疑进一步降低了对于器件的要求，使得我们有更多的空间去拓展器件的功能，具有极大的实际应用价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114695124A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202210363700.1
申请日：2022-04-08
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L21/336 , H01L29/16 , H01L29/51
Abstract: 本发明公开了一种独立式离子胶薄膜门控石墨烯场效应晶体管制备方法，包括：首先在硅衬底上旋涂光刻胶PMMA，光刻出预设电极图案；将曝光后的硅衬底进行显影操作后置于异丙醇中定影；使用EBE镀膜装置在衬底上蒸镀金属层，获得电极；然后将筛选出的石墨烯转移至目标电极上，制备石墨烯场效应晶体管；最后将提前配置的离子胶烘烤去除多余的溶剂后，剪切转移至上述石墨烯场效应晶体管上。本发明通过提出“先做电极后转样品”的方法，大大减少了传统繁琐操作过程对石墨烯样品表面的负面影响，有效提升了石墨烯场效应晶体管的制备效率和成功率，且这种“剪切粘贴”离子胶的加工策略便于应用于制造各种基于半导体材料的晶体管，为大规模集成电路提供了参考。
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公开(公告)号：CN112713240A
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN202110125771.3
申请日：2021-01-29
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于二维材料的反对称磁电阻器件制备方法，首先制备金属电极；采用匀胶机在硅衬底上旋涂PMMA，用电子束曝光机曝光硅衬底，在EBL系统上设计出输运测量结构区域，并进行曝光；将曝光后的硅衬底放置于显影液中进行显影操作，然后放置于异丙醇中定影；在定影后的硅衬底上蒸镀Ti/Au金属层，并在丙酮中剥离，获取金属电极；然后筛选出厚度不均匀的Fe3GeTe2纳米级厚度薄片，用二维材料转移平台先后将Fe3GeTe2和hBN转移至带有金属电极的硅衬底上；本发明通过筛选出厚度不均匀的Fe3GeTe2纳米级厚度薄片制备出自旋电子学器件，可以实现器件在高中低三个阻态的调节，解决了当下多阻态磁存储器件中器件制备环节繁琐，容错率低的问题。
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公开(公告)号：CN119562753B
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202510129100.2
申请日：2025-02-05
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开一种二维磁性材料器件及其制备方法和调控方法，调控方法包括：将离子液体覆盖在所述二维磁性材料的表面，使离子液体接触栅极、源电极、漏电极和二维磁性材料，持续施加从栅极到源电极和到漏电极的电流，完成二维磁性材料器件的调控。本发明提供的二维磁性材料器件及其制备方法和调控方法通过选用包含不同长度阳离子分子链的离子液体对二维磁性材料器件进行插层，以实现对二维材料磁性器件的调控，大大提高了调控二维磁性材料的灵活性，且可以改变二维磁性材料的矫顽场、磁各向异性能和载流子浓度。
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公开(公告)号：CN119562753A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202510129100.2
申请日：2025-02-05
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开一种二维磁性材料器件及其制备方法和调控方法，调控方法包括：将离子液体覆盖在所述二维磁性材料的表面，使离子液体接触栅极、源电极、漏电极和二维磁性材料，持续施加从栅极到源电极和到漏电极的电流，完成二维磁性材料器件的调控。本发明提供的二维磁性材料器件及其制备方法和调控方法通过选用包含不同长度阳离子分子链的离子液体对二维磁性材料器件进行插层，以实现对二维材料磁性器件的调控，大大提高了调控二维磁性材料的灵活性，且可以改变二维磁性材料的矫顽场、磁各向异性能和载流子浓度。
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公开(公告)号：CN118139513A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410553255.4
申请日：2024-05-07
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种应力调控二维室温铁磁材料的器件、制备及调控方法，属于二维材料器件技术领域，器件结构包括：柔性PI衬底、电流端金属电极、霍尔端金属电极、二维室温铁磁材料、保护层材料、黏附层、印刷电路板。制作器件时将二维范德华室温铁磁材料Fe3GaTe2覆盖在电极中央沟道区域，覆盖电流端与霍尔探测端。在室温下的测试过程中通过调整柔性PI衬底弯曲弧度，改变二维室温铁磁材料的弯曲程度，改变材料晶格，从而达到室温下应力调控二维铁磁的效果。通过直接外加应力来实现调控，相对于其他调控手段来说更简单高效，且不同的弯曲弧度应力大小也不同。降低了器件的复杂程度，使得我们有更多的空间去拓展器件的功能，具有极大的实际应用价值。
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