公开(公告)号：CN112713240A

公开(公告)日：2021-04-27

申请号：CN202110125771.3

申请日：2021-01-29

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 普勇 ,  曹志 ,  钮伟

IPC: H01L43/12 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/02

Abstract: 本发明公开了一种基于二维材料的反对称磁电阻器件制备方法，首先制备金属电极；采用匀胶机在硅衬底上旋涂PMMA，用电子束曝光机曝光硅衬底，在EBL系统上设计出输运测量结构区域，并进行曝光；将曝光后的硅衬底放置于显影液中进行显影操作，然后放置于异丙醇中定影；在定影后的硅衬底上蒸镀Ti/Au金属层，并在丙酮中剥离，获取金属电极；然后筛选出厚度不均匀的Fe3GeTe2纳米级厚度薄片，用二维材料转移平台先后将Fe3GeTe2和hBN转移至带有金属电极的硅衬底上；本发明通过筛选出厚度不均匀的Fe3GeTe2纳米级厚度薄片制备出自旋电子学器件，可以实现器件在高中低三个阻态的调节，解决了当下多阻态磁存储器件中器件制备环节繁琐，容错率低的问题。

公开(公告)号：CN112713240B

公开(公告)日：2022-07-22

申请号：CN202110125771.3

申请日：2021-01-29

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 普勇 ,  曹志 ,  钮伟

IPC: H01L43/12 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/02

Abstract: 本发明公开了一种基于二维材料的反对称磁电阻器件制备方法，首先制备金属电极；采用匀胶机在硅衬底上旋涂PMMA，用电子束曝光机曝光硅衬底，在EBL系统上设计出输运测量结构区域，并进行曝光；将曝光后的硅衬底放置于显影液中进行显影操作，然后放置于异丙醇中定影；在定影后的硅衬底上蒸镀Ti/Au金属层，并在丙酮中剥离，获取金属电极；然后筛选出厚度不均匀的Fe3GeTe2纳米级厚度薄片，用二维材料转移平台先后将Fe3GeTe2和hBN转移至带有金属电极的硅衬底上；本发明通过筛选出厚度不均匀的Fe3GeTe2纳米级厚度薄片制备出自旋电子学器件，可以实现器件在高中低三个阻态的调节，解决了当下多阻态磁存储器件中器件制备环节繁琐，容错率低的问题。