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公开(公告)号：CN117396059A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311362438.X
申请日：2023-10-20
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种二维铁磁/反铁磁异质结交换偏置效应调控的器件及其制备方法，属于二维材料器件技术领域，制作器件时反铁磁材料只需覆盖在铁磁材料一侧，其面积为铁磁材料面积的8%以上即可钉扎住整个铁磁界面，产生交换偏置；利用多对霍尔探测端来研究交换偏置的非局域效应；通过调整反铁磁材料的占比来实现对交换偏置效应的调控，相对于其他手段来说简单高效；反铁磁钉扎范围极广，能够达到上百微米，实现大范围的交换偏置，这些优点无疑进一步降低了对于器件的要求，使得我们有更多的空间去拓展器件的功能，具有极大的实际应用价值。
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