公开(公告)号：CN114883484B

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202210285359.2

申请日：2022-03-23

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 普勇 ,  许昕宇 ,  魏陆军

IPC: H10N70/20

Abstract: 本发明公开了一种基于材料MoS2‑xOx的阻变存储器及其制备方法，阻变存储器包括由下至上依次设置的Ti/Au底电极层、MoS2‑xOx层、Ti/Au顶电极层，采用Ti作为顶部接触电极，金属Au作为底部接触电极。制备包括：在SiO2/Si硅片衬底上制备Ti/Au底电极；制备MoS2‑xOx层，制备Ti/Au顶电极。通过外加电压，Ti和阻变层间形成了氧富集层，器件从低阻态转变为高阻态。当加反向电压时，氧富集层中的氧回到初始状态，器件从高阻态转变成为低阻态。这种可逆的氧化过程通过控制金属/氧化物界面的离子的含量，可以实现更实用、更有效的阻变效应，在阻变存储器件中具有广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN113206149A

公开(公告)日：2021-08-03

申请号：CN202110488620.4

申请日：2021-05-06

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 普勇 ,  韩伟博 ,  杨家驹 ,  郭欣蕾 ,  钮伟 ,  魏陆军

IPC: H01L29/51 ,  H01L29/24 ,  H01L29/78 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明提供一种铁电二维场效应晶体管及其制备方法，晶体管包括由下至上依次为底部金电极层、铁电衬底层、沟道层、钛层、顶部金电极层和包覆层，所述底部金电极层用作底栅，所述顶部金电极层用作源极、漏极和顶栅，所述包覆层用于防止器件氧化，所述铁电衬底层用于施加门电压改变沟道层电子掺杂浓度。本发明利用铁电衬底层和沟道层的界面效应，通过加门电压的方式，使得铁电衬底层产生极化，通过不同极化方向来调控沟道的电子掺杂浓度，从而改变沟道层的电阻大小，可使铁电场效应晶体管实现‘导通’和‘断开’的两种状态，对应于器件的低电阻态和高电阻态。由于铁电衬底极化具有非易失性，这种器件存在记忆性，可以实现新型非易失铁电二维存储器。

公开(公告)号：CN114883484A

公开(公告)日：2022-08-09

申请号：CN202210285359.2

申请日：2022-03-23

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 普勇 ,  许昕宇 ,  魏陆军

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明公开了一种基于材料MoS2‑xOx的阻变存储器及其制备方法，阻变存储器包括由下至上依次设置的Ti/Au底电极层、MoS2‑xOx层、Ti/Au顶电极层，采用Ti作为顶部接触电极，金属Au作为底部接触电极。制备包括：在SiO2/Si硅片衬底上制备Ti/Au底电极；制备MoS2‑xOx层，制备Ti/Au顶电极。通过外加电压，Ti和阻变层间形成了氧富集层，器件从低阻态转变为高阻态。当加反向电压时，氧富集层中的氧回到初始状态，器件从高阻态转变成为低阻态。这种可逆的氧化过程通过控制金属/氧化物界面的离子的含量，可以实现更实用、更有效的阻变效应，在阻变存储器件中具有广阔的应用前景。